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Transistor bipolar SOT-1616 MMBT23AK NPN

O transistor bipolar MMBT1616AK NPN foi projetado para oferecer eficiência e confiabilidade excepcionais para uma ampla gama de aplicações eletrônicas. Com uma classificação de tensão coletor-emissor (Vceo) de 60 V e capacidade de corrente de coletor (Ic) de 1 A, este transistor foi projetado para lidar com tarefas exigentes, mantendo o desempenho ideal. O dispositivo possui uma dissipação de energia (Pd) de 350mW, garantindo uma operação robusta mesmo sob cargas significativas. Apresentando um VCE(sat) baixo de 0.3V a 1A e corrente de base (Ib) de 50mA, este transistor oferece tensão de saturação mínima para melhorar a eficiência energética. Além disso, com uma frequência de transição (fT) de 100 MHz, é adequado para aplicações de alta frequência.

Nossas vantagens    

Os processos de fabricação chineses passaram por anos de iteração, resultando em tecnologias maduras e confiáveis. Muitas empresas internacionais optam pela terceirização da produção na China. Como fabricante de componentes eletrônicos na China, nossos produtos podem substituir totalmente os das principais marcas internacionais em 99% das aplicações, sem a necessidade de verificação de testes. Nossos produtos apresentam alta consistência em qualidade, preços razoáveis, amplo estoque, fornecimento flexível, prazos de entrega curtos e serviço pós-venda profissional.    


Descrição:

O Transistor Bipolar NPN MMBT1616AK foi projetado para oferecer eficiência e confiabilidade excepcionais para uma ampla gama de aplicações eletrônicas. Com uma tensão coletor-emissor (VChefe executivo) classificação de 60 V e uma corrente de coletor (Ic) de 1A, este transistor foi projetado para lidar com tarefas exigentes enquanto mantém o desempenho ideal. O dispositivo possui uma dissipação de energia (Pd) de 350mW, garantindo operação robusta mesmo sob cargas significativas. Apresentando um V baixoCE (sat) de 0.3V a 1A e corrente de base de 50mA (Ib), este transistor oferece tensão de saturação mínima para melhorar a eficiência energética. Além disso, com uma frequência de transição (fT) de 100 MHz, é adequado para aplicações de alta frequência.

CARATERÍSTICAS

● Dissipação de energia

Aplicação:

● Circuitos de Chaveamento: Ideal para uso em aplicações de chaveamento eletrônico onde baixa tensão de saturação e manuseio de alta corrente são essenciais.

Estágios de amplificação: Adequado para uso em estágios de amplificação que exigem operação em alta frequência e gerenciamento confiável de potência.

Processamento de sinais: Ideal para tarefas de processamento de sinais de alta velocidade, onde a comutação rápida e a distorção mínima do sinal são cruciais.

Gerenciamento de energia: Eficaz em circuitos de gerenciamento de energia, proporcionando desempenho estável e conversão de energia eficiente.


MMBT1616AK SOT-23_00.png

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