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Diode TVS M4SMF15CA SOD-123FL
La M4SMF15CA est une diode TVS bidirectionnelle à montage en surface, conditionnée en boîtier SOD-123FL. Elle offre une puissance d'impulsion de crête de 4 500 W avec une forme d'onde de surtension de 8/20 µs et est spécialement conçue pour protéger les circuits électroniques contre les décharges électrostatiques positives et négatives, les surtensions dues à la foudre et les surtensions transitoires.
Description
La M4SMF15CA est une diode TVS bidirectionnelle à montage en surface, conditionnée en boîtier SOD-123FL. Elle offre une puissance d'impulsion de crête de 4 500 W avec une forme d'onde de surtension de 8/20 µs et est spécialement conçue pour protéger les circuits électroniques contre les décharges électrostatiques positives et négatives, les surtensions dues à la foudre et les surtensions transitoires.
Fonctionnalité
- Puissance d'impulsion de crête de 4500 W pour une forme d'onde de surtension de 8/20 µs
- Paramètres électriques : VRWM=15V, VBR=16.7~18.5V @ 1mA, IR≤1μA @ 15V, VC=26V @ 180A
- Temps de réponse extrêmement rapide, inférieur à 1 ps, grâce à une conception à faible inductance.
- Performances exceptionnelles en matière de limitation de tension transitoire
- Boîtier CMS compact et discret pour montage en surface
Nos avantages
- Sa conception bidirectionnelle offre une protection complète contre les pics de tension positifs et négatifs.
- Sa puissance élevée garantit une protection fiable même en cas de fortes surtensions.
- Le format miniature permet de gagner efficacement de l'espace sur le circuit imprimé.
- Le courant de fuite ultra-faible réduit la consommation d'énergie en veille
- L'emballage standard en bande et bobine est entièrement compatible avec la production SMT automatisée.
Caractéristiques mécaniques
- Emballage : SOD-123FL, plastique moulé avec norme de retardateur de flamme UL94V-0
- Type bidirectionnel sans bande de couleur de cathode
- Poids approximatif d'une unité : 0.07 g
- Température de jonction en fonctionnement : -55 °C à +125 °C ; Température de stockage : -55 °C à +150 °C
- Conforme à la norme de sensibilité à l'humidité MSL 1
Applications
Systèmes informatiques, appareils électroménagers, circuits d'entrée vidéo, électronique automobile, équipements de contrôle industriel et modules de communication
Nom
Titre
Description
Fiche technique
Support
Diode de protection contre les surtensions SMF11A, boîtier SOT-23
Marque: slkor， VRWM(V)： 15V VBR min(V)： 16.7V VBR max(V)： 18.5V IR(uA)： 1μA VC(V)： 26V Package： SOD-123FL
Diode TVS SMA6J5.0A SMA
Marque: slkor， VRWM(V)： 15V VBR min(V)： 16.7V VBR max(V)： 18.5V IR(uA)： 1μA VC(V)： 26V Package： SOD-123FL
Diode TVS SMA6J5.0CA SMA
Marque: slkor， VRWM(V)： 15V VBR min(V)： 16.7V VBR max(V)： 18.5V IR(uA)： 1μA VC(V)： 26V Package： SOD-123FL
Diode TVS P4SMA6.8A SMA (DO-214AC)
Marque: slkor， VRWM(V)： 15V VBR min(V)： 16.7V VBR max(V)： 18.5V IR(uA)： 1μA VC(V)： 26V Package： SOD-123FL
Diode TVS P4SMA6.8CA SMA (DO-214AC)
Marque: slkor， VRWM(V)： 15V VBR min(V)： 16.7V VBR max(V)： 18.5V IR(uA)： 1μA VC(V)： 26V Package： SOD-123FL
Diode TVS P4SMA15A SMA (DO-214AC)
Marque: slkor， VRWM(V)： 15V VBR min(V)： 16.7V VBR max(V)： 18.5V IR(uA)： 1μA VC(V)： 26V Package： SOD-123FL
Diode TVS P4SMA15CA SMA (DO-214AC)
Marque: slkor， VRWM(V)： 15V VBR min(V)： 16.7V VBR max(V)： 18.5V IR(uA)： 1μA VC(V)： 26V Package： SOD-123FL
Diode TVS P4SMA16CA SMA (DO-214AC)
Marque: slkor， VRWM(V)： 15V VBR min(V)： 16.7V VBR max(V)： 18.5V IR(uA)： 1μA VC(V)： 26V Package： SOD-123FL
Diode TVS P4SMA18A SMA (DO-214AC)
Marque: slkor， VRWM(V)： 15V VBR min(V)： 16.7V VBR max(V)： 18.5V IR(uA)： 1μA VC(V)： 26V Package： SOD-123FL
Diode TVS P4SMA18CA SMA (DO-214AC)
Marque: slkor， VRWM(V)： 15V VBR min(V)： 16.7V VBR max(V)： 18.5V IR(uA)： 1μA VC(V)： 26V Package： SOD-123FL
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Les gammes de produits de SLKOR incluent des dispositifs discrets, etc., diodes, transistors, dispositifs de puissance ; et des puces de circuits intégrés, etc., régulateurs linéaires, puces DC/DC, puces d'interface, capteurs à effet Hall, CAN et BMS... Nous avons des années de technologie accumulée sur les semi-conducteurs dédiés.
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