1. אילו גורמים יש לקחת בחשבון בעת ​​מדידת התנגדות הכניסה של ה-FET.

DA) בשל התנגדות הכניסה הגבוהה של ה-FET, בדרך כלל עד 10M או יותר, יש צורך להשתמש במד התנגדות פנימי גבוה למדידה, לשים לב למניעת התמוטטות אלקטרוסטטית של הרשת, ולשים לב לבידוד של אותות חיצוניים כדי למנוע אותות מושרה טפילים בלולאת המדידה, המשפיעים על המדידה.

2. מדוע קבל הצימוד בקצה הקלט של ה-FET הוא בדרך כלל רק בערך 0.02uf?

DA) גודל קבל הצימוד קשור לפלט ולהתנגדות הכניסה. מכיוון שהתנגדות הכניסה של ה-FET גבוהה, זה בדרך כלל מספיק להשתמש ב-0.01-0.02uF (זה דומה מאוד לצינור האלקטרוני בשנות החמישים)

3. מדוע בדרך כלל ההגדלה של מגבר ה-FET אינה גדולה כמו הגדלת המתח של הטרנזיסטור?

DA) הטריודה הכללית היא מגבר מסוג זרם, ולכן Hfe (β) משמש כיחידה של זרם בקרת זרם, בעוד שה-FET הוא מגבר מסוג מתח, והמחוון שבו הוא משתמש הוא Gm (טרנסמוליכות). ) היא היחידה של זרם מבוקר מתח.

מהם היתרונות והחסרונות של מעגלי מגבר טרנזיסטורי אפקט שדה

היתרונות של מעגל מגבר FET הם: (1) התנגדות הכניסה גדולה.

שימוש בטריודות רגילות לייצור מעגל מגבר, התנגדות הכניסה של מעגל הפולט המשותף היא בערך כמה KΩ (בדרך כלל אנו קוראים לזה רמת 10^3), והתנגדות הכניסה של מעגל האספנים המשותף יכולה להיות רק עשרות KΩ עד יותר ממאה. K אוהם (רמה 10^5), והשימוש בטרנזיסטורי אפקט שדה צומת (JFET) יכולים להשיג התנגדות כניסה של רמה 10^6, והשימוש בצינורות MOS יכול להשיג רמות מעל 10^8.

(2) יציבות הטמפרטורה טובה. מכיוון שאין זרם סחף ב-FET, הוא בעצם לא מושפע משינויי טמפרטורה.

חסרונות: (1) ההגדלה קטנה, וניתן להשיג את ההגברה ברמה הראשונה רק מספר פעמים (אולי פחות מפי 10), (2) מסוף הקלט נוטה להתמוטט עקב אינדוקציה אלקטרוסטטית.