1. FET の入力抵抗を測定する際に考慮すべき要素は何ですか。

DA) FETの入力抵抗は一般に10M以上と高いため、測定には高内部抵抗計を使用し、グリッドの静電破壊防止に注意し、外部信号の絶縁にも注意する必要があります。測定に影響を与える、測定ループに寄生する誘導信号を防ぎます。

2. FET の入力端のカップリング コンデンサが通常約 0.02uf しかないのはなぜですか?

DA) カップリング コンデンサのサイズは出力抵抗と入力抵抗に関係します。 FET の入力抵抗は高いため、一般的には 0.01 ～ 0.02uF で十分です (これは 1950 年代の電子管と非常によく似ています)

3. 一般に FET アンプの倍率がトランジスタの電圧倍率ほど大きくないのはなぜですか?

DA) 一般的な三極管は電流型アンプなので、電流制御電流の単位はHfe(β)が使われますが、FETは電圧型アンプであり、その指標となるのはGm(トランスコンダクタンス)です。 ) は電圧制御された電流の単位です。

電界効果トランジスタ増幅回路の長所と短所は何ですか

FET増幅回路の利点は、 (1) 入力抵抗が大きい。

通常の三極管を使って増幅回路を作ると、エミッタ接地回路の入力抵抗は数KΩ程度（一般に10の3乗レベルと呼んでいます）、コレクタ接地回路の入力抵抗は数十KΩ～それ以上しかありません。百よりも。 K オーム (レベル 10^5)、接合型電界効果トランジスタ (JFET) を使用すると、レベル 10^6 の入力抵抗を達成でき、MOS チューブを使用すると、10^8 を超えるレベルを達成できます。

(2) 温度安定性が良好です。 FETにはドリフト電流が無いため、基本的に温度変化の影響を受けません。

デメリットとしては、(1) 倍率が小さく、一次増幅が数倍(10倍未満かも)しかできないこと、(2) 入力端子が静電誘導により破壊されやすいこと、などが挙げられます。