1. Những yếu tố nào cần được xem xét khi đo điện trở đầu vào của FET.

DA) Do điện trở đầu vào của FET cao, thường lên tới 10M trở lên, cần sử dụng máy đo điện trở trong cao để đo, chú ý ngăn ngừa sự cố tĩnh điện của lưới và chú ý cách ly tín hiệu bên ngoài để ngăn chặn các tín hiệu cảm ứng ký sinh trong vòng đo, ảnh hưởng đến phép đo.

2. Tại sao tụ điện ghép ở đầu vào của FET thường chỉ khoảng 0.02uf?

DA) Kích thước của tụ điện ghép có liên quan đến điện trở đầu ra và đầu vào. Vì điện trở đầu vào của FET cao nên thường sử dụng 0.01-0.02uF (điều này rất giống với ống điện tử những năm 1950)

3. Tại sao độ phóng đại của bộ khuếch đại FET thường không lớn bằng độ phóng đại điện áp của bóng bán dẫn?

DA) Triode thông thường là bộ khuếch đại loại dòng điện nên Hfe (β) được dùng làm đơn vị của dòng điều khiển dòng điện, trong khi FET là bộ khuếch đại loại điện áp và chỉ báo mà nó sử dụng là Gm (độ dẫn điện). ) là đơn vị của dòng điện điều khiển bằng điện áp.

Ưu điểm và nhược điểm của mạch khuếch đại sử dụng bóng bán dẫn hiệu ứng trường

Ưu điểm của mạch khuếch đại FET là: (1) Điện trở đầu vào lớn.

Sử dụng các triode thông thường để làm mạch khuếch đại, điện trở đầu vào của mạch phát chung khoảng vài KΩ (chúng ta thường gọi là mức 10^3) ​​và điện trở đầu vào của mạch thu chung chỉ có thể từ hàng chục KΩ trở lên hơn một trăm. Kohms (mức 10^5) và việc sử dụng bóng bán dẫn hiệu ứng trường tiếp giáp (JFET) có thể đạt được điện trở đầu vào ở mức 10^6 và việc sử dụng ống MOS có thể đạt được mức trên 10^8.

(2) Độ ổn định nhiệt độ tốt. Vì không có dòng trôi trong FET nên về cơ bản nó không bị ảnh hưởng bởi sự thay đổi nhiệt độ.

Nhược điểm: (1) Độ phóng đại nhỏ, chỉ có thể đạt được mức khuếch đại cấp một vài lần (có thể dưới 10 lần), (2) Đầu vào đầu vào dễ bị hỏng do cảm ứng tĩnh điện.