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Diodi a barriera Schottky B5819W SOD-123
Diodi a barriera Schottky B5819W SOD-123
I nostri vantaggi
I processi di produzione cinesi hanno subito anni di iterazione, dando vita a tecnologie mature e affidabili. Molte aziende internazionali optano per l’outsourcing della produzione in Cina. In qualità di produttore di componenti elettronici in Cina, i nostri prodotti possono sostituire completamente quelli dei principali marchi internazionali nel 99% delle applicazioni senza la necessità di test di verifica. I nostri prodotti vantano un'elevata coerenza in termini di qualità, prezzi ragionevoli, ampio inventario, fornitura flessibile, tempi di consegna brevi e servizio post-vendita professionale.
Descrizione
Il nostro diodo a barriera Schottky B5819W, progettato con una tensione diretta istantanea massima di 0.75 V a 1 A e 0.9 V a 3 A, è studiato per offrire prestazioni affidabili e ad alta velocità in diverse applicazioni elettroniche. Presenta una capacità di giunzione tipica di 110 pF, una corrente inversa massima di 1 mA a 25 °C e 10 mA a 100 °C, con temperature di giunzione operative e di stoccaggio comprese tra -55 °C e +125 °C. Questo diodo è disponibile in un package compatto per montaggio superficiale, ottimizzando l'utilizzo dello spazio sul PCB.
CARATTERISTICHE
● Bassa caduta di tensione diretta istantanea ● Capacità di giunzione tipica di 110 pF per prestazioni di commutazione rapide ● Ampio intervallo di temperatura di giunzione operativa da -55℃ a +125℃ ● Contenitore per montaggio superficiale ideale per l'assemblaggio automatico ● Caratteristiche di corrente inversa stabili a diverse temperature
Applicazioni
Questo diodo a barriera Schottky ad alta efficienza è progettato per soddisfare le esigenze dei moderni sistemi elettronici, offrendo prestazioni e affidabilità per diverse applicazioni.
- Rettifica ad alta velocitàAdatto per circuiti di rettifica a bassa tensione ad alta velocità.
- Circuiti di elaborazione del segnaleIdeale per la commutazione di segnali che richiedono una risposta rapida.
- Protezione polarità inversa: Applicato per la protezione dalla corrente inversa nei dispositivi elettronici di consumo compatti.
- Alimentatori SwitchingAdatto per circuiti di gestione dell'alimentazione a bassa potenza.
Nome
Titolo
Descrizione
Datasheet
Assistenza
Assistenza
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Longevità
Il Programma Longevità ha lo scopo di fornire periodicamente ai nostri clienti informazioni sulla durata prevista di conservazione dei nostri prodotti. Il Programma Longevità viene rivisto e aggiornato regolarmente dal nostro team dirigenziale. Consulta il nostro Programma Longevità qui.
1N5817W Raddrizzatori a barriera Schottky SOD-123
Brand: slkor， IO： 1A VR(V)： 20V VF(V)： 0.45V IR： 1mA Package： SOD-123
1N5819W Raddrizzatori a barriera Schottky SOD-123
Brand: slkor， IO： 1A VR(V)： 40V VF(V)： 0.45V IR： 1mA Package： SOD-123
1N5819WT Diodi Schottky di potenza SOD-523
Brand: slkor， IO： 350mA VR(V)： 40V VF(V)： 0.27V@1mA IR： 5uA@30V Package： SOD-523
B0530WS Raddrizzatori a barriera Schottky SOD-323
Brand: slkor， IO： 0.5A VR(V)： 30V VF(V)： 0.36V@0.1A IR： 75uA@15V Package： SOD-323
B0540WS Raddrizzatori Schottky SOD-323
Brand: slkor， IO： 500mA VR(V)： 40V VF(V)： 620mV@1A IR： 20μA@40V Package： SOD-323
BAS40-04 Transistor epitassiale al silicio SOT-23
Brand: slkor， IO： 200mA VR(V)： 40V VF(V)： 1V@40mA IR： 200nA@30V Package： SOT-23
BAS521 Raddrizzatori a barriera Schottky SOD-523
Brand: slkor， IO： 300V VR(V)： 250mA VF(V)： 0.95V IR： 30nA Package： SOD-523
BAS70-06 Raddrizzatore a diodi Schottky SOT-23
Brand: slkor， IO： 100mA VR(V)： 70V VF(V)： 1V@15mA IR： 100nA@50V Package： SOT-23
BAS70W-05 Diodo Schottky SOT-323
Brand: slkor， Package： SOT-323 VDSS(V)： 70V Id(A)： 100mA P/N： N-channel
BAT54CT Schottky rettificante SOT-23
Brand: slkor， IO： 200mA VR(V)： 30V VF(V)： 1V@100mA IR： 2μA@25V Package： SOT-23
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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