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Diodos de barreira Schottky B5819W SOD-123
Diodos de barreira Schottky B5819W SOD-123
Nossas vantagens
Os processos de fabricação chineses passaram por anos de iteração, resultando em tecnologias maduras e confiáveis. Muitas empresas internacionais optam pela terceirização da produção na China. Como fabricante de componentes eletrônicos na China, nossos produtos podem substituir totalmente os das principais marcas internacionais em 99% das aplicações, sem a necessidade de verificação de testes. Nossos produtos apresentam alta consistência em qualidade, preços razoáveis, amplo estoque, fornecimento flexível, prazos de entrega curtos e serviço pós-venda profissional.
Descrição
Nosso diodo Schottky B5819W, projetado com tensão direta instantânea máxima de 0.75 V a 1 A e 0.9 V a 3 A, foi desenvolvido para fornecer desempenho confiável e de alta velocidade em diversas aplicações eletrônicas. Ele apresenta capacitância de junção típica de 110 pF, corrente reversa máxima de 1 mA a 25 °C e 10 mA a 100 °C, com temperatura de junção de operação e armazenamento variando de -55 °C a +125 °C. Este diodo é fornecido em um encapsulamento compacto para montagem em superfície, otimizando o uso do espaço em sua placa de circuito impresso.
CARATERÍSTICAS
● Baixa queda de tensão direta instantânea ● Capacitância de junção típica de 110 pF para desempenho de comutação rápida ● Ampla faixa de temperatura de junção operacional de -55 °C a +125 °C ● Pacote de montagem em superfície ideal para montagem automática ● Características de corrente reversa estáveis em diferentes temperaturas
Aplicações
Este diodo Schottky de alta eficiência foi projetado para atender às demandas dos sistemas eletrônicos modernos, oferecendo desempenho e confiabilidade para diversas aplicações.
- Retificação de alta velocidadeAdequado para circuitos de retificação de alta velocidade e baixa tensão.
- Circuitos de Processamento de SinaisIdeal para comutação de sinais que exigem resposta rápida.
- Proteção contra polaridade reversaAplicado para proteção contra corrente reversa em eletrônicos de consumo compactos.
- ChaveadaFunciona para circuitos de gerenciamento de energia de baixa potência.
Nome
Título
Descrição
Ficha de dados
Suporte
Suporte
Se precisar de suporte técnico/de design, informe-nos preenchendo o Formulário de Resposta. Entraremos em contato o mais breve possível.
Longevidade
O Programa de Longevidade visa fornecer aos nossos clientes informações periódicas sobre o prazo previsto para a disponibilidade dos nossos produtos. O Programa de Longevidade é revisto e atualizado regularmente pela nossa Equipa de Gestão Executiva. Consulte o nosso Programa de Longevidade aqui.
B0530WS Retificadores de barreira Schottky SOD-323
Marcas: slkor， IO： 0.5A VR(V)： 30V VF(V)： 0.36V@0.1A IR： 75uA@15V Package： SOD-323
B0540WS Retificadores Schottky SOD-323
Marcas: slkor， IO： 500mA VR(V)： 40V VF(V)： 620mV@1A IR： 20μA@40V Package： SOD-323
BAS40-04 Transistor de Silício Epitaxial SOT-23
Marcas: slkor， IO： 200mA VR(V)： 40V VF(V)： 1V@40mA IR： 200nA@30V Package： SOT-23
BAS521 Retificadores de Barreira Schottky SOD-523
Marcas: slkor， IO： 300V VR(V)： 250mA VF(V)： 0.95V IR： 30nA Package： SOD-523
BAS70-04 Diodos Schottky SOT-23
Marcas: slkor， IO： 100mA VR(V)： 70V VF(V)： 1V@15mA IR： 100nA@50V Package： SOT-23
BAT42W Retificadores de Barreira Schottky SOD-123
Marcas: slkor， IO： 500mA VR(V)： 30V VF(V)： 0.4V IR： 500nA Package： SOD-123
BAT54CT Schottky retificadora SOT-23
Marcas: slkor， IO： 200mA VR(V)： 30V VF(V)： 1V@100mA IR： 2μA@25V Package： SOT-23
DS521-30 Retificadores de barreira Schottky DFN0603-2L
Marcas: slkor， IO： 100mA VR(V)： 30V VF(V)： 0.6V@100mA IR： 2μA@10V Package： DFN0603-2L
DSK110 Retificadores de barreira Schottky SOD-123FL
Marcas: slkor， IO： 1A VR(V)： 100V VF(V)： 850mV@1A IR： 500μA@100V Package： SOD-123FL
DSK34 Schottky retificadora SOD-123FL
Marcas: slkor， IO： 3A VR(V)： 40V VF(V)： 550mV@3A IR： 500μA@40V Package： SOD-123FL
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
As linhas de produtos da SLKOR incluem dispositivos discretos, como diodos, transistores e dispositivos de potência; e circuitos integrados, como reguladores lineares, conversores DC/DC, chips de interface, sensores Hall, conversores analógico-digitais (ADCs) e sistemas de gerenciamento de bateria (BMS). Possuímos anos de tecnologia acumulada em semicondutores dedicados.
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