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Raddrizzatore a diodi Schottky B16WS SOD-323
Raddrizzatore a diodi Schottky B16WS SOD-323
I nostri vantaggi
I processi di produzione cinesi hanno subito anni di iterazione, dando vita a tecnologie mature e affidabili. Molte aziende internazionali optano per l’outsourcing della produzione in Cina. In qualità di produttore di componenti elettronici in Cina, i nostri prodotti possono sostituire completamente quelli dei principali marchi internazionali nel 99% delle applicazioni senza la necessità di test di verifica. I nostri prodotti vantano un'elevata coerenza in termini di qualità, prezzi ragionevoli, ampio inventario, fornitura flessibile, tempi di consegna brevi e servizio post-vendita professionale.
Descrizione generale
Il B16WS è un diodo a barriera Schottky a montaggio superficiale progettato per applicazioni di rettifica generica e commutazione a bassa tensione. Presenta una corrente di picco diretta di 10 A (singola semionda sinusoidale di 8.3 ms, metodo JEDEC) e una tensione diretta istantanea massima di 0.7 V a IF=1.0 A, con una capacità totale di 120 pF misurata a VR=4 V, f=1 MHz. Grazie alla resistenza termica giunzione-ambiente e all'ampio intervallo di temperatura, questo dispositivo compatto a montaggio superficiale offre prestazioni stabili per progetti di PCB con spazio limitato.
Caratteristiche
● Bassa tensione diretta istantanea di 0.7 V a IF=1.0 A
● Corrente di picco diretta fino a 10 A (singola semionda sinusoidale da 8.3 ms)
● Capacità totale 120 pF a VR=4 V, f=1 MHz
● Ampio intervallo di temperatura di stoccaggio da -55℃ a +150℃, temperatura massima di giunzione 125℃
● Contenitore per montaggio superficiale ideale per l'assemblaggio automatico
Applicazioni
● Rettifica a bassa tensione: ideale per attività di rettifica a bassa tensione in dispositivi elettronici compatti e prodotti di consumo.
● Elaborazione del segnale: Adatto per applicazioni di elaborazione del segnale che richiedono prestazioni di commutazione rapide.
● Elettronica portatile: ideale per dispositivi elettronici portatili dove lo spazio e l'efficienza energetica sono fondamentali.
● Protezione contro l'inversione di polarità: Utilizzata per la protezione dalla corrente inversa in diversi circuiti compatti.
Nome
Titolo
Descrizione
Datasheet
Assistenza
Assistenza
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Longevità
Il Programma Longevità ha lo scopo di fornire periodicamente ai nostri clienti informazioni sulla durata prevista di conservazione dei nostri prodotti. Il Programma Longevità viene rivisto e aggiornato regolarmente dal nostro team dirigenziale. Consulta il nostro Programma Longevità qui.
1N5817W Raddrizzatori a barriera Schottky SOD-123
Brand: slkor， IO： 1A VR(V)： 20V VF(V)： 0.45V IR： 1mA Package： SOD-123
1N5819W Raddrizzatori a barriera Schottky SOD-123
Brand: slkor， IO： 1A VR(V)： 40V VF(V)： 0.45V IR： 1mA Package： SOD-123
1N5819WT Diodi Schottky di potenza SOD-523
Brand: slkor， IO： 350mA VR(V)： 40V VF(V)： 0.27V@1mA IR： 5uA@30V Package： SOD-523
B0530WS Raddrizzatori a barriera Schottky SOD-323
Brand: slkor， IO： 0.5A VR(V)： 30V VF(V)： 0.36V@0.1A IR： 75uA@15V Package： SOD-323
B0540WS Raddrizzatori Schottky SOD-323
Brand: slkor， IO： 500mA VR(V)： 40V VF(V)： 620mV@1A IR： 20μA@40V Package： SOD-323
BAS40-04 Transistor epitassiale al silicio SOT-23
Brand: slkor， IO： 200mA VR(V)： 40V VF(V)： 1V@40mA IR： 200nA@30V Package： SOT-23
BAS521 Raddrizzatori a barriera Schottky SOD-523
Brand: slkor， IO： 300V VR(V)： 250mA VF(V)： 0.95V IR： 30nA Package： SOD-523
BAS70-06 Raddrizzatore a diodi Schottky SOT-23
Brand: slkor， IO： 100mA VR(V)： 70V VF(V)： 1V@15mA IR： 100nA@50V Package： SOT-23
BAS70W-05 Diodo Schottky SOT-323
Brand: slkor， Package： SOT-323 VDSS(V)： 70V Id(A)： 100mA P/N： N-channel
BAT54CT Schottky rettificante SOT-23
Brand: slkor， IO： 200mA VR(V)： 30V VF(V)： 1V@100mA IR： 2μA@25V Package： SOT-23
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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