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最大評価
| 特性 | シンボル | 最大値 | ユニット |
| ドレイン・ソース間電圧 | BVDSS | 20 | V |
| ゲート・ソース間電圧 | VGS | 10 | V |
| ドレイン電流(連続) | ID | 4 | A |
| ドレイン電流(パルス) | IDM | 15 | A |
| デバイスの総損失 | PD | 1200 | mW |
| TA=25℃ | |||
| ジャンクション | TJ | 150 | ℃ |
| はんだ温度/はんだ時間 | T / t | 260/10 | ℃/秒 |
| 保管温度 | TSTG | -55to + 150 | ℃ |
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詳細説明
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サポート
サポート
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耐用性アップ
長寿プログラムとは、お客様に製品のご注文時期に関する情報を随時ご提供することを目的としています。このプログラムは、当社の経営陣によって定期的に見直し、更新されています。長寿プログラムの詳細はこちらをご覧ください。
2SK3018 N チャネル パワー MOSFET SOT-23
ブランド: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N-Channel
2SK3018W NチャンネルパワーMOSFET SOT-323
ブランド: slkor， Package： SOT-323 VDSS(V)： 30V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 8Ω@10V,3A VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
2SK3019 N チャネルエンハンスメント MOSFET SOT-523
ブランド: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10A VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
2SK3019 金属酸化物シリコン電界効果トランジスタ
ブランド: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V, 10mA VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
BSN20 NチャネルエンハンスメントMOSFET SOT-23
ブランド: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 3A RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
BSS205N NチャネルエンハンスメントMOSFET SOT-23
ブランド: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.5A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.5A VTH： 0.7V@11μA P/N： N-Channel
BSS84 P チャネルエンハンスメントモード電界効果トランジスタ SOT-23
ブランド: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA RDSON(Ω)： 10Ω@5V,100mA VTH： 2.5V@250uA P/N： P-Channel
FDN302P PチャネルエンハンスメントMOSFET SOT-23
ブランド: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.4A RDSON(Ω)： 44mΩ@-4.5V, -2.4A VTH： -1V@-250μA P/N： P-Channel
FDN304P PチャネルエンハンスメントMOSFET SOT-23
ブランド: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.4A RDSON(Ω)： 36mΩ@-4.5V, -2.4A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
FDN306P PチャネルエンハンスメントMOSFET SOT-23
ブランド: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -12V Id(A)： -2.6A RDSON(Ω)： 30mΩ@-4.5V, -2.6A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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