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SiC MOSFET
SiCデバイスのドリフト層のインピーダンスはSiデバイスよりも低く、MOSFET構造により導電率変調なしで高耐圧と低インピーダンスを実現できる。さらに、MOSFETは原理的にテール電流を発生しないため、IGBTをSiC-MOSFETに置き換える際にスイッチング損失を大幅に低減でき、放熱部品の小型化が達成できる。また、SiC-MOSFETの動作周波数はIGBTよりもはるかに高くでき、回路のインダクタやキャパシタ部品を小さくでき、システムの小型化・軽量化を容易に実現できる。同じ600V〜900V電圧のSi-MOSFETと比較して、SiC-MOSFETはチップ面積が小さく、より小型のパッケージを使用でき、ボディダイオードの回復損失も非常に小さい。現在、SiC MOSFETは主にハイエンド産業用電源、ハイエンドインバータおよびコンバータ、ハイエンドモータ駆動および制御などに使用されている。
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKORの製品ラインには、ダイオード、トランジスタ、パワーデバイスなどのディスクリートデバイス、およびリニアレギュレータ、DC/DCチップ、インターフェースチップ、ホールセンサー、ADC、BMSなどの集積回路チップが含まれます...当社は専用半導体に関する長年の蓄積技術を持っています。
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