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ファストリカバリダイオード 高速リカバリダイオードの内部構造は通常のPN接合ダイオードとは異なり、PIN接合ダイオードに属します。すなわち、P型シリコン材料とN型シリコン材料の間にベース領域Iを追加してPINシリコンウェーハを形成します。ベース領域が非常に薄いため、逆回復電荷が非常に小さく、そのため高速リカバリダイオードの逆回復時間は短く、順方向電圧降下は低く、逆降伏電圧(耐圧値)は高くなります。
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