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SiCショットキーダイオード
高周波ショットキーバリアダイオード構造を採用したSiC SBDは、600V以上の高耐圧を実現し、シリコンSBDの最大耐圧はわずか200V程度である一方、そのオン状態電圧降下はシリコンファストリカバリーダイオードよりもはるかに低い。また、遮断回復時間が短いため、遮断損失が低く、電磁干渉EMIも低減される。SiC SBDを主流製品であるシリコンファストリカバリーダイオードFRDの代替として使用することで、総損失を大幅に低減し、電源の効率を向上させることができ、高周波動作によりインダクタやコンデンサなどの受動部品の小型化を実現し、電磁干渉EMIも低減される。シリコンカーバイドSBDは、エアコン、電源、太陽光発電システムのインバータ、電気自動車のモータ駆動システム、急速充電器などに広く応用可能である。
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKORの製品ラインには、ダイオード、トランジスタ、パワーデバイスなどのディスクリートデバイス、およびリニアレギュレータ、DC/DCチップ、インターフェースチップ、ホールセンサー、ADC、BMSなどの集積回路チップが含まれます...当社は専用半導体に関する長年の蓄積技術を持っています。
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