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SiCデバイス
炭化ケイ素（SiC）は、シリコン（Si）と炭素（C）から構成される化合物半導体材料であり、通常は4H-SiC結晶型を有する。その絶縁破壊電界強度はSiの10倍、エネルギーギャップはSiの3倍、熱伝導率はSiの3倍、飽和ドリフト速度はSiの2倍である。Siよりも極めて優れたパワーエレクトロニクスデバイス材料である。
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKORの製品ラインには、ダイオード、トランジスタ、パワーデバイスなどのディスクリートデバイス、およびリニアレギュレータ、DC/DCチップ、インターフェースチップ、ホールセンサー、ADC、BMSなどの集積回路チップが含まれます...当社は専用半導体に関する長年の蓄積技術を持っています。
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