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MMDT5451 NPN+PNP バイポーラトランジスタ SOT-363
MMDT5451 NPN+PNP バイポーラ トランジスタは、高周波アプリケーションで優れた効率と信頼性を実現するように設計されています。堅牢なコレクタ エミッタ電圧定格 160V、最大コレクタ電流 0.2A を備えたこのトランジスタは、高ストレス環境向けに設計されており、厳しい条件下でも長期間のパフォーマンスを保証します。
我々の利点
中国の製造プロセスは長年の反復を経て、成熟した信頼性の高い技術に成長しました。多くの国際企業が中国での生産アウトソーシングを選択しています。中国の電子部品メーカーとして、当社の製品は、テスト検証を必要とせずに、アプリケーションの 99% で主要な国際ブランドの製品を完全に置き換えることができます。当社の製品は、品質の一貫性、リーズナブルな価格、十分な在庫、柔軟な供給、短いリードタイム、プロフェッショナルなアフターサービスを誇ります。
説明:
MMDT5451 NPN+PNP バイポーラ トランジスタは、高周波アプリケーションで優れた効率と信頼性を実現するように設計されています。堅牢なコレクタ エミッタ電圧定格 160V、最大コレクタ電流 0.2A を備えたこのトランジスタは、高ストレス環境向けに設計されており、厳しい条件下でも長期間のパフォーマンスを保証します。
マスタープランの特徴
●D高ストレス環境向けに設計されています。
応用：
● 高周波アンプ：高い遷移周波数と低い飽和電圧を活かして、RF アンプや高速スイッチング回路に最適です。
● 電力スイッチング: 信頼性の高いパフォーマンスと高電圧耐性が重要な電力スイッチング アプリケーションに効果的です。
● 信号処理: 低飽和電圧と高周波応答のメリットを活かし、信号増幅および処理を伴うアプリケーションに適しています。
● 自動車用電子機器: 高温でも信頼性の高い動作が可能なため、自動車用電子機器やその他の高温環境に適しています。
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サポート
サポート
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耐用性アップ
長寿プログラムとは、お客様に製品のご注文時期に関する情報を随時ご提供することを目的としています。このプログラムは、当社の経営陣によって定期的に見直し、更新されています。長寿プログラムの詳細はこちらをご覧ください。
13001 NPN バイポーラトランジスタ SOT-23
ブランド: slkor， VCEO(V)： 400V PD(W)(PD(W))： 750mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 8MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 200mA
13001S NPNバイポーラトランジスタTO-92
ブランド: slkor，
2N2222A NPNバイポーラトランジスタTO-92
ブランド: slkor，
2N3904 NPN BJT トランジスタ TO-92
ブランド: slkor，
2N3906 NPNバイポーラトランジスタTO-92
ブランド: slkor，
2N5401 PNPバイポーラトランジスタTO-92
ブランド: slkor， VCEO(V)： 150V PD(W)(PD(W))： 625mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： TO-92 IC(A)(IC(A))： 600mA
2N5551 NPNバイポーラトランジスタTO-92
ブランド: slkor， VCEO(V)： 160V PD(W)(PD(W))： 625mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 200mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： TO-92 IC(A)(IC(A))： 600mA
2SA1015-B PNPバイポーラトランジスタTO-92
ブランド: slkor，
2SA1037-R PNP バイポーラトランジスタ SOT-23
ブランド: slkor，
2SA1162-Y PNP バイポーラ トランジスタ
ブランド: slkor，
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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