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BAS521 ショットキーバリア整流器 SOD-523
このダイオードは最大電流定格が 5A で、最大 150V の電圧範囲内で効果的に動作します。順方向電圧 (VF) はわずか 0.92V、逆方向漏れ電流 (IR) は 0.02mA で、電力損失を最小限に抑え、高いパフォーマンスを実現します。
我々の利点
中国の製造プロセスは長年の反復を経て、成熟した信頼性の高い技術に成長しました。多くの国際企業が中国での生産アウトソーシングを選択しています。中国の電子部品メーカーとして、当社の製品は、テスト検証を必要とせずに、アプリケーションの 99% で主要な国際ブランドの製品を完全に置き換えることができます。当社の製品は、品質の一貫性、リーズナブルな価格、十分な在庫、柔軟な供給、短いリードタイム、プロフェッショナルなアフターサービスを誇ります。
詳細説明
このダイオードは最大電流定格5Aで、最大150Vの電圧範囲で効果的に動作します。順方向電圧（VF）はわずか0.92Vで、逆漏れ電流（IR0.02mAの低消費電流で、電力損失を最小限に抑え、高いパフォーマンスを実現します。
マスタープランの特徴
●超小型プラスチックSMDパッケージ
●連続高逆電圧：300V
●繰り返しピーク順方向電流：250mA
●高速スイッチング：最大50ns
用途
● 高速スイッチング
● 高電圧スイッチング
名前
Title
詳細説明
データシート
サポート
サポート
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耐用性アップ
長寿プログラムとは、お客様に製品のご注文時期に関する情報を随時ご提供することを目的としています。このプログラムは、当社の経営陣によって定期的に見直し、更新されています。長寿プログラムの詳細はこちらをご覧ください。
1N5817W ショットキーバリア整流器 SOD-123
ブランド: slkor， IO： 1A VR(V)： 20V VF(V)： 0.45V IR： 1mA Package： SOD-123
1N5817WS ショットキーダイオード整流器 SOD-323
ブランド: slkor， IO： 1.0A VR(V)： 20V VF(V)： -- IR： 1mA@20V Package： SOD-323
1N5819W ショットキーバリア整流器 SOD-123
ブランド: slkor， IO： 1A VR(V)： 40V VF(V)： 0.45V IR： 1mA Package： SOD-123
1N5819WT パワーショットキーダイオード SOD-523
ブランド: slkor， IO： 350mA VR(V)： 40V VF(V)： 0.27V@1mA IR： 5uA@30V Package： SOD-523
1SS357 ショットキーバリアダイオード SOD-323
ブランド: slkor， IO： 0.2A VR(V)： 70V VF(V)： 0.47V@1mA IR： 0.1uA@50V Package： SOD-323
B0530WS ショットキーバリア整流器 SOD-323
ブランド: slkor， IO： 0.5A VR(V)： 30V VF(V)： 0.36V@0.1A IR： 75uA@15V Package： SOD-323
B0540WS ショットキー整流器 SOD-323
ブランド: slkor， IO： 500mA VR(V)： 40V VF(V)： 620mV@1A IR： 20μA@40V Package： SOD-323
B16WS ショットキーダイオード整流器 SOD-323
ブランド: slkor， IO： 1A VR(V)： 60V VF(V)： 700mV@1A IR： 100μA@60V Package： SOD-323
B5817W パワーショットキーダイオード SOD-123FL
ブランド: slkor， IO： 1A VR(V)： 20V VF(V)： 0.45V@1A IR： 1μA@20V Package： SOD-123FL
B5817WS ショットキーバリアダイオード SOD-323
ブランド: slkor， IO： 1A VR(V)： 20V VF(V)： 0.45V@1A IR： 1mA@20V Package： SOD-323
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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