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SL214N オプトカプラ SSOP-16
SL301X、SL302X、および SL305X シリーズのデバイスは、GaAs 赤外線発光ダイオードとモノリシック シリコン チップ双方向サイリスタで構成されるランダム位相オプトカプラで構成されています。
我々の利点
中国の製造プロセスは長年の反復を経て、成熟した信頼性の高い技術に成長しました。多くの国際企業が中国での生産アウトソーシングを選択しています。中国の電子部品メーカーとして、当社の製品は、テスト検証を必要とせずに、アプリケーションの 99% で主要な国際ブランドの製品を完全に置き換えることができます。当社の製品は、品質の一貫性、リーズナブルな価格、十分な在庫、柔軟な供給、短いリードタイム、プロフェッショナルなアフターサービスを誇ります。
説明:
SL301X、SL302X、および SL305X シリーズのデバイスは、GaAs 赤外線発光ダイオードとモノリシック シリコン チップ双方向サイリスタで構成されるランダム位相オプトカプラで構成されています。
特長
● ピーク破壊電圧
● 250V:SL301X 400V:SL302X 600V:SL305X
● 入力と出力間の高絶縁電圧（Viso=5000Vrms）
● 鉛フリー、RoHS準拠
用途
●電磁弁制御
● バラスト
● 静的AC電源スイッチ
● 115～240VAC用マイクロプロセッサ周辺機器インターフェース
● 白熱灯調光器
● 温度管理
● モーター制御
名前
Title
詳細説明
データシート
サポート
サポート
デザインや技術サポートが必要な場合は、お問い合わせフォームにご記入の上、ご連絡ください。できるだけ早くご連絡いたします。
耐用性アップ
長寿プログラムとは、お客様に製品のご注文時期に関する情報を随時ご提供することを目的としています。このプログラムは、当社の経営陣によって定期的に見直し、更新されています。長寿プログラムの詳細はこちらをご覧ください。
6N135S オプトカプラ DIP8
ブランド: slkor， VCEO(V)： 30V IC(A)： 50mA VR(V)： 5V IF(A)： 25mA Package： DIP8
6N136 オプトカプラ DIP-8
ブランド: slkor， VCEO(V)： 30V IC(A)： 50mA VR(V)： 5V IF(A)： 25mA Package： DIP-8
6N136S オプトカプラ DIP8
ブランド: slkor， VCEO(V)： 30V IC(A)： 50mA VR(V)： 5V IF(A)： 25mA Package： DIP8
6N137 オプトカプラ DIP-8
ブランド: slkor， VCEO(V)： 7V IC(A)： 50mA VR(V)： 5V IF(A)： 25mA Package： DIP-8
6N137S オプトカプラ DIP8
ブランド: slkor， VCEO(V)： 7V IC(A)： 50mA VR(V)： 5V IF(A)： 25mA Package： DIP8
6N139 オプトカプラ DIP-8
ブランド: slkor， VCEO(V)： 18V IC(A)： 60mA VR(V)： 5V IF(A)： 25mA Package： DIP-8
PC817B オプトカプラ SOP-4
ブランド: slkor， VCEO(V)： 35V IC(A)： 50mA VR(V)： 6V IF(A)： 50mA Package： SMD-4
PC817C フォトカプラ SMD-4
ブランド: slkor， VCEO(V)： 70V IC(A)： 50mA VR(V)： 6V IF(A)： 50mA Package： SMD-4
SL-1007 オプトカプラ SMD-4
ブランド: slkor， VCEO(V)： 80V IC(A)： 50mA VR(V)： 6V IF(A)： 60mA Package： SMD-4
SL-1008 オプトカプラ SMD-4
ブランド: slkor， VCEO(V)： 80V IC(A)： 50mA VR(V)： 6V IF(A)： 60mA Package： SMD-4
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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