MOS는 삼극관과 비슷하지만 삼극관은 전류 구동형인 반면, MOS는 전압 구동형이므로 제어 시 MOS의 G 단자 전압을 고려해야 합니다. 일반적인 N채널 MOS는 3V에서 턴온이 가능하지만, 신뢰성을 고려하기 위해 저항을 추가하여 흔히 사용되는 12V 정도에 연결하는 경우가 많다. 당사 제품의 사진과 같이 MOS의 스위칭 특성을 이용한 모터드라이브입니다. 또한 디지털 회로에 사용되는 트랜지스터와 MOS는 스위치입니다. 디지털 회로에는 0과 1만 있기 때문입니다. 사진의 PWM은 마이크로 컨트롤러의 IO 포트에서 직접 가져온 것이며 0V와 5V는 가변적입니다. 푸시풀 회로 뒤를 거쳐 MOS로 이동합니다.

MOS 튜브를 스위치 회로로 사용하는 방법

그림에서 배터리의 양극 전원은 스위치 S2을 통해 전계 효과 트랜지스터 Q1의 1핀 소스에 연결됩니다. Q1은 P 채널 튜브이기 때문에 1핀 게이트는 R20 저항을 통해 양의 전위 전압을 제공하므로 전원을 켤 수 없으며 전압이 계속 통과할 수 없으며 3v 전압 조정기 IC 입력 핀을 얻을 수 없습니다. 전압이 걸려서 작동하지 않고 부팅할 수 없습니다! 이때 SW1의 전원 ON 버튼을 누르면 R2, R11, D23 버튼을 통해 트랜지스터 Q4의 베이스에 양의 전기가 인가되어 트랜지스터 Q2의 베이스가 양의 전위를 얻게 되고 트랜지스터는 (트랜지스터가 앞서 언급되었을 때 이미 언급했듯이) 트랜지스터의 이미터가 직접 접지되므로 트랜지스터 Q2의 전도는 Q1 게이트의 직접 접지와 동일하며 이를 통해 인가되는 전압 R20 저항은 접지에 직접 연결되고 Q1의 게이트는 하이에서 하이로 이동합니다. 전위가 낮아지고 Q1이 켜지면 Q3에서 1v 전압 조정기 IC의 입력 핀에 추가됩니다. 3v 전압 조정기 IC는 U1이 3v 작동 전압 vcc를 출력하고 이를 마스터 제어에 공급하는 IC입니다. 마스터 제어는 이를 0으로 재설정하고 읽습니다. 펌웨어 프로그램 감지와 같은 일련의 조치를 취하고 PWR_ON에 제어 전압을 입력한 다음 R2 및 R24을 통해 Q13의 베이스로 보내고, Q2의 베이스를 분리하려면 전원 버튼을 놓으십시오. 이때 메인 컨트롤에서 보낸 제어 전압은 유지되고 Q1는 항상 전도 상태에 있을 수 있으며 Q2은 1v 전압 조정기 IC에 작동 전압을 지속적으로 제공할 수 있습니다! SW3은 또한 두 저항 R1과 R11의 전압 분배기를 통해 동시에 메인 제어 PLAYON 핀에 서로 다른 시간과 시간의 제어 신호를 보냅니다. 다양한 작업 상태를 달성하기 위한 제어점!