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패스트 리커버리 다이오드 고속 회복 다이오드의 내부 구조는 일반 PN 접합 다이오드와 다르며, PIN 접합 다이오드에 속한다. 즉, P형 실리콘 재료와 N형 실리콘 재료 사이에 베이스 영역 I를 추가하여 PIN 실리콘 웨이퍼를 형성한다. 베이스 영역이 매우 얇기 때문에 역회복 전하량이 매우 작아, 고속 회복 다이오드의 역회복 시간이 더 짧고, 순방향 전압 강하가 더 낮으며, 역방향 항복 전압(내전압 값)이 더 높다.
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