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SiC MOSFET
SiC(탄화규소) 디바이스의 드리프트층 임피던스는 Si 디바이스보다 낮아, 전도도 변조 없이 MOSFET 구조로 높은 내압과 낮은 임피던스를 구현할 수 있다. 또한 MOSFET은 원리적으로 테일 전류가 발생하지 않으므로, IGBT를 SiC-MOSFET으로 교체할 경우 스위칭 손실을 크게 줄일 수 있으며 방열 부품의 소형화를 달성할 수 있다. 더불어 SiC-MOSFET의 동작 주파수는 IGBT보다 훨씬 높아 회로의 인덕터 및 커패시터 부품을 축소할 수 있어 시스템의 소형화와 경량화를 용이하게 실현할 수 있다. 동일한 600V~900V 전압의 Si-MOSFET과 비교하여 SiC-MOSFET은 칩 면적이 작아 더 작은 패키지에 적용 가능하며, 바디 다이오드의 역회복 손실이 매우 작다. 현재 SiC MOSFET은 주로 고급 산업용 전원 공급 장치, 고급 인버터 및 컨버터, 고급 모터 구동 및 제어 등에 사용되고 있다.
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR의 제품 라인에는 개별 소자(다이오드, 트랜지스터, 전력 소자 등)와 집적 회로 칩(선형 레귤레이터, DC/DC 칩, 인터페이스 칩, 홀 센서, ADC, BMS 등)이 포함됩니다... 우리는 전용 반도체에 대한 수년간의 축적된 기술을 보유하고 있습니다.
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