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양극성 트랜지스터(BJT)
트랜지스터, 반도체 트랜지스터는 바이폴라 트랜지스터라고도 알려져 있으며 전류를 제어할 수 있는 반도체 소자입니다. 구조에 따라 NPN 트랜지스터, PNP 트랜지스터로 구분됩니다. 전압 또는 전류 증폭 기능이 있어 증폭 회로, 발진 회로, 변조 및 복조 회로, 스위칭 회로 등에 사용할 수 있습니다.
13001 NPN 바이폴라 트랜지스터 SOT-23
VCEO(V)：400V
PD(W)(PD(W))：750mW
VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))：500mV
fT(MHz)(fT(MHz))：8MHz
Package(Package)：SOT-23
IC(A)(IC(A))：200mA
13001S NPN 바이폴라 트랜지스터 TO-92
Polar NPN 고전압 트랜지스터는 고전압 애플리케이션에서 강력한 성능을 발휘하도록 설계되었습니다. 콜렉터-이미터 정격 전압(Vceo)이 450V이고 최대 콜렉터 전류(Ic)가 0.2A인 이 트랜지스터는 전력 스위칭 및 증폭 작업에 이상적입니다. 이 제품은 0.625W의 전력 손실(Pd) 성능과 0.4mA 콜렉터 전류 및 50mA 베이스 전류에서 10V의 낮은 콜렉터-이미터 포화 전압(VCE(sat))을 제공합니다. 또한 이 트랜지스터는 8MHz의 전이 주파수(fT)를 제공하여 고주파수에서 효과적인 작동을 보장합니다. 내구성과 효율성으로 인해 까다로운 전자 시스템에 신뢰할 수 있는 선택이 되었습니다.
2N2222A NPN 바이폴라 트랜지스터 TO-92
TO-92 플라스틱 패키지의 실리콘 NPN 트랜지스터.
2N3904 NPN BJT 트랜지스터 TO-92
2N3904 NPN BJT 트랜지스터 TO-92
2N3906 NPN 바이폴라 트랜지스터 TO-92
2N3906은 다양한 전자 회로에서 신뢰성과 효율성으로 유명한 다용도 NPN 바이폴라 트랜지스터입니다. TO-92 패키지에 캡슐화된 이 트랜지스터는 -40V의 최대 콜렉터-이미터 전압(Vceo)과 -200mA의 연속 콜렉터 전류(Ic)를 처리하도록 설계되었습니다. 625mW의 전력 손실(Pd) 정격을 통해 일반적인 작동 조건에서 열 손실을 효율적으로 관리합니다. 2N3906은 250MHz의 높은 전이 주파수(fT)를 제공하므로 고속 스위칭 및 신호 증폭이 필요한 애플리케이션에 적합합니다.
2N5401 PNP 바이폴라 트랜지스터 TO-92
VCEO(V)：150V
PD(W)(PD(W))：625mW
VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))：500mV
fT(MHz)(fT(MHz))：300MHz
Package(Package)：TO-92
IC(A)(IC(A))：600mA
2N5551 NPN 바이폴라 트랜지스터 TO-92
VCEO(V)：160V
PD(W)(PD(W))：625mW
VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))：200mV
fT(MHz)(fT(MHz))：300MHz
Package(Package)：TO-92
IC(A)(IC(A))：600mA
2SA1015-B PNP 바이폴라 트랜지스터 TO-92
2SA1015-B PNP 바이폴라 트랜지스터는 광범위한 전자 애플리케이션에서 뛰어난 성능과 안정성을 제공하도록 설계되었습니다. 고급 사양과 견고한 설계로 이 트랜지스터는 신호 증폭 및 스위칭 작업에서 효율성이 뛰어납니다.
2SA1037-R PNP 바이폴라 트랜지스터 SOT-23
2SA1037-R PNP 디지털 트랜지스터는 까다로운 전자 애플리케이션에서 안정적인 작동을 제공하도록 설계된 고성능 PNP 트랜지스터입니다. 최대 컬렉터-에미터 전압(Vceo)이 50V이므로 다양한 스위칭 및 증폭 작업에 적합합니다. 이 트랜지스터는 140MHz의 높은 전이 주파수(fT)를 자랑하여 고속 신호 처리에 이상적입니다.
2SA1162-Y PNP 바이폴라 트랜지스터
2SA1162-Y PNP 바이폴라 트랜지스터
2SA1213-Y PNP 바이폴라 트랜지스터
2SA1213-Y PNP 바이폴라 트랜지스터
2SA1661-Y PNP 바이폴라 트랜지스터 SOT-89
2SA1661-Y PNP 디지털 트랜지스터는 현대 전자 애플리케이션의 요구 사항을 충족하도록 설계된 고성능 트랜지스터입니다. 강력한 전압 처리 기능과 고주파수 응답을 갖춘 이 트랜지스터는 다양한 회로에서 안정적인 성능과 효율성을 제공합니다. 2SA1661-Y PNP 디지털 트랜지스터는 특히 고주파수 및 고온 환경에 적합하여 까다로운 조건에서도 안정성과 내구성을 보장합니다.
2SA1774-R PNP 바이폴라 트랜지스터 SOT-523
VCEO(V)：50V
PD(W)(PD(W))：150mW
VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))：500mV
fT(MHz)(fT(MHz))：140MHz
Package(Package)：SOT-523
IC(A)(IC(A))：150mA
2SA1797-Q PNP 바이폴라 트랜지스터
2SA1797-Q PNP 바이폴라 트랜지스터
2SA812-M7 PNP 바이폴라 트랜지스터
2SA812-M7 PNP 바이폴라 트랜지스터
2SB1188-R PNP 바이폴라 트랜지스터 SOT-89
고성능 NPN 트랜지스터는 견고한 성능과 신뢰성을 요구하는 까다로운 전자 애플리케이션을 위해 설계되었습니다. -32V의 Vceo 정격과 -2A의 최대 Ic를 갖춘 이 트랜지스터는 신뢰할 수 있는 전력 처리 및 스위칭 기능을 제공합니다.
2SB1197KR PNP 바이폴라 트랜지스터
VCEO(V)：32V
PD(W)(PD(W))：200mW
VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))：400mV
fT(MHz)(fT(MHz))：150MHz
Package(Package)：SOT-23
IC(A)(IC(A))：800mA
2SB1260-R PNP 바이폴라 트랜지스터 SOT-89
2SB1260-R PNP 바이폴라 트랜지스터는 다양한 전자 시스템의 고신뢰성 애플리케이션용으로 설계된 견고하고 다양한 구성 요소입니다. 최대 80V의 콜렉터-이미터 전압을 처리하도록 설계된 이 트랜지스터는 까다로운 환경에서도 안정적인 성능을 보장합니다. 컴팩트한 디자인과 우수한 열 특성을 갖춘 이 제품은 정밀한 제어와 효율성이 필요한 애플리케이션에 이상적입니다.
2SB1261 PNP 바이폴라 트랜지스터
2SB1261 PNP 바이폴라 트랜지스터
2SB1386-R PNP 바이폴라 트랜지스터 SOT-89
2SB1386-R PNP 디지털 트랜지스터는 고전류 및 고주파 작동에 최적화된 다재다능한 장치입니다. 최대 컬렉터-에미터 전압(VCE)이 20V이고 연속 컬렉터 전류(Ic) 정격이 5A이므로 전력 증폭 및 스위칭 애플리케이션에 적합합니다. 이 트랜지스터는 컬렉터 전류 0.35A 및 베이스 전류 4A에서 0.1V의 낮은 포화 전압(VCE(sat))을 특징으로 하여 최소한의 전력 손실과 효율적인 성능을 보장합니다.
| 400V | 750mW | 500mV | 8MHz | SOT-23 | 200mA | |
| 150V | 625mW | 500mV | 300MHz | TO-92 | 600mA | |
| 160V | 625mW | 200mV | 300MHz | TO-92 | 600mA | |
| 50V | 150mW | 500mV | 140MHz | SOT-523 | 150mA | |
| 32V | 200mW | 400mV | 150MHz | SOT-23 | 800mA | |
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