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SiC 쇼트키 다이오드
고주파 쇼트키 배리어 다이오드 구조를 통해 SiC SBD는 600V 이상의 고전압을 구현하며, 실리콘 SBD의 최대 내전압은 약 200V에 불과하다. 또한 온-상태 전압 강하는 실리콘 고속 회복 다이오드보다 훨씬 낮다. 차단 회복 시간이 짧아 차단 손실이 낮으며, 결과적으로 전자기 간섭(EMI)이 감소한다. SiC SBD를 주류 제품인 실리콘 고속 회복 다이오드(FRD) 대신 사용하면 총 손실을 크게 줄이고 전원 공급 장치의 효율을 향상시킬 수 있으며, 고주파 동작을 통해 인덕터 및 커패시터와 같은 수동 부품의 소형화를 구현하고 전자기 간섭(EMI)도 더 낮아진다. 실리콘 카바이드 SBD는 에어컨, 전원 공급 장치, 태양광 발전 시스템의 인버터, 전기차 모터 구동 시스템 및 급속 충전기에 광범위하게 적용될 수 있다.
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR의 제품 라인에는 개별 소자(다이오드, 트랜지스터, 전력 소자 등)와 집적 회로 칩(선형 레귤레이터, DC/DC 칩, 인터페이스 칩, 홀 센서, ADC, BMS 등)이 포함됩니다... 우리는 전용 반도체에 대한 수년간의 축적된 기술을 보유하고 있습니다.
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