심천 슬코어 마이크로 반도체(Shenzhen Slkor Micro Semiconductor Co., Ltd.)는 한국 칭화대학교와 연세대학교 출신의 인재들을 핵심으로 삼아 신소재, 신공정, 신제품 개발을 선도하고 있습니다. 특히, 세계적으로 앞선 3세대 실리콘 카바이드(SiC) 전력 소자 기술을 보유하고 있습니다. 창립자인 송스창(Song Shiqiang) 회장은 신기술 개발과 신제품 확보에 항상 심혈을 기울여 왔습니다. 슬코어는 또한 지적재산권 보호에 집중하여 치열한 경쟁 시장에서 경쟁력을 확보하고 브랜드를 안전하게 지켜왔습니다.  

2022년 3월 중국 국가 지식재산권국으로부터 "MOSFET 패키징 구조", "IGBT 전력 모듈 설치 구조", "트랜지스터 성형 및 가공용 고정 장치" 등 3건의 실용신안 특허를 승인받은 데 이어, 2022년 4월에는 "사이리스터 가공용 가열 장치"라는 또 다른 실용신안 특허를 승인받았습니다. 이는 슬코르의 지식재산 포트폴리오를 더욱 강화하고 회사의 역량이 지속적으로 향상되고 있음을 보여줍니다.  

Slkor의 제품군은 점점 더 다양해지고 있습니다. 산업용 제품으로는 실리콘 카바이드(SiC) 다이오드, 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET, IGBT, 5세대 초고속 복구 전력 다이오드 등이 있으며, 신에너지 자동차, 고급 장비, 통신 및 전력 장비, 태양광 발전, 의료 기기 등 고성능 제품에 대한 수요를 충족합니다. 일반 소비자용 제품으로는 고전압, 중전압, 저전압 MOSFET, 사이리스터, 브리지 정류기 등의 전력 소자, 쇼트키 다이오드, ESD 보호 다이오드, TVS 과도 억제 다이오드, 범용 다이오드 및 트랜지스터, 전력 관리 칩, 홀 센서, 고속 광커플러 등의 제품군이 있습니다. 이러한 제품들은 스마트폰, 노트북, 로봇, 스마트 홈, IoT 및 IoV(사물인터넷), LED 조명, 3C 디지털 제품 등에 널리 사용됩니다.  

슬코르의 브랜드 제품이 점점 더 다양해짐에 따라, 권리와 이익을 보호하기 위해서는 법적 수단을 활용해야 하며, 지적 재산권이 그 첫 번째 방어선입니다.  

 

이 특허는 기술 혁신과 변혁을 추구하는 노력의 결실이며, 회사의 제품 기술력과 실질적 가치를 종합적으로 향상시킨 것입니다. 이는 연세대학교와 칭화대학교 연구진으로 구성된 슬코어 송스창 사장이 이끄는 연구개발팀이 개발 과정에서 수많은 난관을 극복하고 반복적인 실험을 통해 이뤄낸 놀라운 성과를 구체적으로 보여주는 사례입니다.  

수년간의 지속적인 축적과 공고화를 통해 슬코르는 탄탄한 기반을 구축하고 꾸준한 성장을 이루어냈습니다. 송스창 사장의 리더십은 이러한 성과에 결정적인 역할을 했습니다. 송스창 사장은 기업 발전이 단순히 인재에만 달려 있는 것이 아니라는 점을 깊이 인식하고 있습니다. 기업을 업계 선두에 굳건히 세우기 위해서는 종합적인 역량 또한 그에 발맞춰 발전시켜야 합니다. 실용신안 특허를 비롯한 지적재산권 확보는 단지 시작일 뿐입니다. 제품 특허, 기업 경영 시스템, 디지털 경영 등에도 지속적인 투자를 통해 기업의 디지털 전환을 점진적으로 실현해 나가고 있습니다.  

"트랜지스터 성형 및 가공용 고정구"에 대한 실용신안 특허증서가 3월에 발급되었습니다.  

강력한 기술 지원과 지적 재산권을 바탕으로, 슬코르는 머지않아 양적 변화를 넘어 질적 변화로 나아갈 것입니다. 이는 슬코르가 기업공개(IPO)라는 목표에 한 걸음 더 다가서게 하고, 나아가 IPO를 뛰어넘어 국내 반도체 산업에서 슬코르 반도체의 탄탄한 입지를 보여주고, '중국 반도체 산업' 성장에 기여할 수 있도록 해줄 것입니다.