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BFG425W-TOB NPN 바이폴라 트랜지스터 SOT-343R
Vceo : 4.5V
IC:100nA
PD:135mW
VCE:-
fT:25GHz
작동 온도:150℃@(Tj)
우리의 장점
중국 제조 공정은 수년간의 반복을 거쳐 성숙하고 신뢰할 수 있는 기술을 탄생시켰습니다. 많은 국제 기업들이 중국에서 생산 아웃소싱을 선택합니다. 중국의 전자 부품 제조업체로서 당사 제품은 테스트 검증 없이 99%의 응용 분야에서 주요 국제 브랜드의 제품을 완전히 대체할 수 있습니다. 당사의 제품은 품질의 높은 일관성, 합리적인 가격, 충분한 재고, 유연한 공급, 짧은 리드 타임 및 전문적인 애프터 서비스를 자랑합니다.
기술설명
BFG425W-TOB는 SiGe 이중 폴리실리콘 NPNHBT(헤테로접합 바이폴라 트랜지스터)입니다. 낮은 잡음 계수, 높은 전력 이득, 높은 전압 용량, 넓은 동적 범위 및 뛰어난 선형 특성을 갖추고 있습니다. 듀얼 에미터 설계로 4핀 SOT343R 형식으로 패키징되어 있으며, 주로 고주파, 저잡음 애플리케이션을 위해 고안되었습니다.
특징
Vceo(컬렉터-에미터 전압): 4.5V – 견고한 전압 처리 기능을 제공하여 다양한 회로 구성에서 안정적인 작동을 보장합니다.
Ic(수집기 전류): 100nA – 정확하고 최소한의 전류 누설을 제공하여 전반적인 회로 성능과 효율성을 향상시킵니다.
Pd(전력 소모): 135mW – 뛰어난 전력 소모 용량으로 효과적인 열 관리를 지원하여 구성 요소의 수명 연장 및 안정적인 성능에 기여합니다.
fT(전환 주파수): 25GHz – 우수한 고주파 작동을 제공하므로 빠른 스위칭과 고속 신호 처리가 필요한 애플리케이션에 이상적입니다.
작동 온도: 150℃ @(Tj) – 고온에서도 안정적으로 작동할 수 있어 극한 조건에서도 내구성과 일관된 성능을 보장합니다.
어플리케이션
● RF 프런트 엔드
● 광대역 응용 분야 : 휴대전화, 무선 전화 등
● 레이더 모니터
● 비퍼
● 위성TV튜너
● 고주파 발진기
이름
제목
설명
데이터시트
지원
고객 지원
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장기적
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ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR의 제품 라인에는 개별 소자(다이오드, 트랜지스터, 전력 소자 등)와 집적 회로 칩(선형 레귤레이터, DC/DC 칩, 인터페이스 칩, 홀 센서, ADC, BMS 등)이 포함됩니다... 우리는 전용 반도체에 대한 수년간의 축적된 기술을 보유하고 있습니다.
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