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실리콘 에피택시 기술로 제작된 이 칩은 높은 전력 이득, 낮은 잡음 계수, 넓은 반전 주파수, 낮은 누설 전류, 금 소재 선도 구조 및 높은 신뢰성과 같은 특성을 가지고 있습니다.
우리의 장점
중국 제조 공정은 수년간의 반복을 거쳐 성숙하고 신뢰할 수 있는 기술을 탄생시켰습니다. 많은 국제 기업들이 중국에서 생산 아웃소싱을 선택합니다. 중국의 전자 부품 제조업체로서 당사 제품은 테스트 검증 없이 99%의 응용 분야에서 주요 국제 브랜드의 제품을 완전히 대체할 수 있습니다. 당사의 제품은 품질의 높은 일관성, 합리적인 가격, 충분한 재고, 유연한 공급, 짧은 리드 타임 및 전문적인 애프터 서비스를 자랑합니다.
기술설명
● 실리콘 에피택시 기술로 제작된 이 칩은 높은 전력 이득, 낮은 잡음 계수, 넓은 반전 주파수, 낮은 누설 전류, 금 소재 선도적 구조 및 높은 신뢰성과 같은 특성을 갖습니다.
● SATV 튜너, CATV 증폭기, 아날로그 디지털 무선 전화기, 레이더 탐지기, 무선 주파수 모듈 및 광섬유의 릴레이 증폭기와 같은 초고주파 마이크로파, VHF, UHF 및 CATV 고주파 광대역 저잡음 증폭기 제품에 주로 적용됩니다. 전염;
● 콜렉터-이미터 항복 전압: BVCEO=12V, 최대 콜렉터 전류: IC=120mA, 콜렉터 낭비 전력: PC=400mW, 특성 주파수: fT=9GHz;
● 4핀(와이드 컬렉터 핀 및 듀얼 이미터 핀) SOT143B 표면 플라스틱 패키지가 채택되었습니다. BFG540과 BFG540/X는 패키지 형태는 동일하지만 핀 정의가 다릅니다.
기능
● BVCEO(Collector-Emitter Breakdown 전압): 15V - 고전압 환경에서도 안정적인 성능을 보장합니다.
● IC(컬렉터 전류): 120mA - 고주파 신호 증폭을 지원하는 데 적합한 전류를 제공합니다.
● fT(전환 주파수): 9GHz - 왜곡을 최소화하면서 고속 신호 처리를 보장합니다.
● NF(잡음 지수): 1.9dB - 낮은 잡음 증폭을 제공하여 신호 선명도를 유지합니다.
● IP1dB(1dB 압축 지점에서의 출력 전력): 21dBm - 효율적인 신호 전송을 위해 강력한 출력 전력을 제공합니다.
● 패키지: SOT-143B - 컴팩트하고 공간 효율적이며 다양한 용도에 적합합니다.
어플리케이션
● RF 통신 시스템
● 전자레인지 장치
● 방송장비
● 위성통신
● 테스트 및 측정
고객 지원
디자인/기술 지원이 필요하시면 저희에게 알려주시고 응답 양식을 작성해 주세요. 최대한 빨리 연락드리겠습니다.
장기적
장수명 프로그램은 고객 여러분께 당사 제품의 예상 주문 가능 시기에 대한 정보를 수시로 제공하기 위해 마련되었습니다. 이 프로그램은 경영진이 정기적으로 검토 및 업데이트합니다. 장수명 프로그램에 대한 자세한 내용은 여기에서 확인하세요.









