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US1MF 고속 회복 정류 다이오드 SMAF
US1MF는 우수한 역회복 특성을 지닌 고성능 고속회복 다이오드입니다. Slkor에서 제조한 이 다이오드는 고주파, 고효율 전원 공급 장치 애플리케이션용으로 설계되었으며 안정적인 성능과 전기적 특성을 제공합니다.
제품 개요
US1MF는 우수한 역회복 특성을 지닌 고성능 고속회복 다이오드입니다. Slkor에서 제조한 이 다이오드는 고주파, 고효율 전원 공급 장치 애플리케이션용으로 설계되었으며 안정적인 성능과 전기적 특성을 제공합니다.
주요 사양
- 최대 반복 역전압(VRRM): 1000V - 최대 평균 순방향 전류(IO): 1A - 순방향 전압 강하(VF): 1.65V - 역방향 누설 전류(IR): 5μA - 역방향 복구 시간(trr): 75ns - 패키지: SMAF
제품 특징
- 높은 역전압 내성: US1MF는 최대 1000V의 반복적인 피크 역전압을 견딜 수 있어 고전압 전원 공급 장치 및 회로 설계에 적합합니다. - 빠른 역회복: 75ns의 역회복 시간(trr)은 역전류 피크를 줄이고 스위칭 회로의 성능을 향상시킵니다. - 낮은 순방향 전압 강하: 1.65V의 순방향 전압 강하(VF)는 전력 소비를 줄이고 효율을 높입니다. - 낮은 역방향 누설 전류: 5μA에 불과한 초저 역방향 누설 전류(IR)는 에너지 절약과 성능 향상에 기여합니다. - 안정성 및 신뢰성: US1MF는 다양한 응용 분야에서 뛰어난 성능 안정성과 긴 수명을 제공합니다.
애플리케이션 분야
- 전력 인버터 - 고주파 스위칭 전원 공급 장치 - 조명 구동 회로 - 산업 자동화 제어 - 고전압 전원 공급 장치 설계 - 고효율 에너지 변환기
이름
Title
기술설명
데이터시트
고객 지원
ES1DF 고속 복구 정류기 다이오드 SMAF
브랜드: slkor， VRRM(V)： 200V IO(A)： 1A VF(V)： 1V IR(A)： 5μA trr(ns)： 35ns Package： SMAF
ES1GF 고속 회복 정류 다이오드 SMAF
브랜드: slkor， VRRM(V)： 400V IO(A)： 1A VF(V)： 1.25V IR(A)： 5μA trr(ns)： 35ns Package： SMAF
ES1JF 고속 회복 정류 다이오드 SMAF
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ES2G 고속 복구 정류 다이오드 SMA
브랜드: slkor， VRRM(V)： null IO(A)： null VF(V)： 1.25V IR(A)： 5uA trr(ns)： 35ns Package： SMA
ES2G 고속 복구 정류 다이오드 SMC
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ES2GF 고속 회복 정류 다이오드 SMAF
브랜드: slkor， VRRM(V)： 400V IO(A)： 1A VF(V)： 1.25V IR(A)： 5μA trr(ns)： 35ns Package： SMAF
ES2JF 고속 회복 정류 다이오드 SMAF
브랜드: slkor， VRRM(V)： 600V IO(A)： 1A VF(V)： 1.68V IR(A)： 5μA trr(ns)： 35ns Package： SMAF
ES2JW 고속 회복 정류 다이오드 SOD-123FL
브랜드: slkor， VRRM(V)： 600V IO(A)： 2A VF(V)： 1.7V IR(A)： 5μA trr(ns)： 35ns Package： SOD-123FL
ES2M 고속 복구 정류 다이오드 SMA
브랜드: slkor， VRRM(V)： 1000V IO(A)： 2A VF(V)： 1.7V IR(A)： 5μA trr(ns)： 75ns Package： SMA
ES3DC 고속 복구 정류 다이오드 SMC
브랜드: slkor， VRRM(V)： 200V IO(A)： 3A VF(V)： 1.25V IR(A)： 5μA trr(ns)： 35ns Package： SMC
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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