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Die US1MF ist eine Hochleistungsdiode mit schneller Erholung und exzellenten Sperrverzögerungseigenschaften. Hergestellt von Slkor, ist diese Diode für Hochfrequenz- und Hocheffizienz-Netzteile konzipiert und bietet zuverlässige Leistung und hervorragende elektrische Eigenschaften.
Die US1MF ist eine Hochleistungsdiode mit schneller Erholung und exzellenten Sperrverzögerungseigenschaften. Hergestellt von Slkor, ist diese Diode für Hochfrequenz- und Hocheffizienz-Netzteile konzipiert und bietet zuverlässige Leistung und hervorragende elektrische Eigenschaften.
- Maximale Sperrspannung (VRRM): 1000 V - Maximaler mittlerer Vorwärtsstrom (IO): 1 A - Vorwärtsspannungsabfall (VF): 1.65 V - Sperrleckstrom (IR): 5 μA - Sperrverzögerungszeit (trr): 75 ns - Gehäuse: SMAF
- Hohe Sperrspannungsfestigkeit: Der US1MF bietet eine maximale Sperrspannung von bis zu 1000 V und eignet sich daher für Hochspannungsnetzteile und Schaltungen. - Schnelle Sperrverzögerung: Die Sperrverzögerungszeit (trr) von 75 ns reduziert Rückstromspitzen und verbessert die Leistung von Schaltkreisen. - Geringer Durchlassspannungsabfall: Ein Durchlassspannungsabfall (VF) von 1.65 V senkt den Stromverbrauch und erhöht den Wirkungsgrad. - Geringer Sperrstrom: Der extrem niedrige Sperrstrom (IR) von nur 5 μA trägt zur Energieeinsparung und besseren Leistung bei. - Stabilität und Zuverlässigkeit: Der US1MF bietet hervorragende Leistungsstabilität und eine lange Lebensdauer für ein breites Anwendungsspektrum.
- Wechselrichter - Hochfrequenz-Schaltnetzteile - Beleuchtungstreiberschaltungen - Industrielle Automatisierungssteuerungen - Hochspannungsnetzteile - Hocheffiziente Energiewandler















