Wiadomości
Wiadomości
Firma Samsung Electronics bada „ferroelektryki na bazie hafnu” jako materiał na pamięć flash NAND nowej generacji. Planują przekroczyć 1,000 warstw w swoich 3D NAND około 2030 roku
2024-06-05 975

Wiadomości ze świata:

1. 2 czerwca NVIDIA ogłosiła wprowadzenie na rynek chipa Blackwell Ultra AI w 2025 roku i ujawniła, że ​​platforma AI nowej generacji o nazwie „Rubin” zostanie wydana w 2026 roku.

2. Firma Samsung Electronics bada „ferroelektryk na bazie hafnu” jako materiał na pamięć flash NAND nowej generacji. Planują przekroczyć 1,000 warstw w swoich 3D NAND około 2030 roku.

3. Konferencja dotycząca testów płytek półprzewodnikowych 2024 odbędzie się w Kalifornii w USA w dniach 3–5 czerwca. Konferencja ta skupi się na testowaniu płytek mikroelektronicznych i chipów i obejmuje 23 prezentacje na temat technologii półprzewodników.

4. Microsoft planuje zainwestować w Szwecji 3.2 miliarda dolarów w budowę centrów danych skupionych na sztucznej inteligencji (AI) i usługach w chmurze.

5. Kinghelm (www.kinghelm.net) i oficjalna strona internetowa firmy Slkor opublikowały książkę Song Shiqiang pt. „Wzmacnianie nowej jakości produktywności dzięki sztucznej inteligencji”, która została ponownie opublikowana przez kilka mediów, w tym Xinhua Liaowang.

6. Południowokoreański producent sprzętu półprzewodnikowego Yesty ogłosił, że otrzymał zamówienia od Samsung Electronics o wartości 60 miliardów wonów koreańskich (około 43.5 miliona dolarów) na sprzęt do prasowania z pamięcią o dużej przepustowości (HBM) i sprzęt pod ciśnieniem otoczenia.


Wiadomości z Chin:

1. W dniu 31 maja komitet zarządzający Texas Tianqu New Area podpisał umowę inwestycyjną z Guangdong Xindaixi Materials na projekt industrializacji półprzewodnikowego laserowego radaru i komponentów czujników, który oficjalnie osiedlił się na nowym obszarze.

2. 30 maja firma Guangdong Xincheng Hanqi Semiconductor z powodzeniem nabyła działkę 2024WT038 w parku ekologicznym Songshan Lake, która jest przeznaczona pod projekt zaawansowanej produkcji opakowań i testowania na poziomie płytek, za łączną kwotę inwestycji wynoszącą około 3.09 miliarda juanów.

3. 30 maja w instytucie badawczym odbyła się ceremonia podpisania i odsłonięcia wspólnego laboratorium materiałów półprzewodnikowych, zbudowanego wspólnie przez Międzynarodowy Wspólny Instytut Badawczy Chin i Singapuru oraz Guangzhou Weinaxin Materials.

4. UMC aktywnie rozwija platformę technologii procesowej FinFET 12 nm (12FFC), która może być szeroko stosowana w różnych produktach półprzewodnikowych. Oczekuje się, że zostanie opracowany do 2026 r. i wprowadzony do masowej produkcji w 2027 r.

5. Wkrótce zostanie uruchomiona platforma usług publicznych Zhangjiang Chip Testing. Platforma, stworzona wspólnie przez Zhangjiang High-Tech i Hualing, przyspieszy prędkość produkcji chipów od projektu do produkcji masowej.

6. 28 maja spółka Taiwan Semiconductor przyjęła plan wydzielenia działalności w zakresie 8-calowego biznesu GaN (azotek galu), który zostanie przejęty przez jej spółkę zależną Guanya Semiconductor.


image.png

whatsapp

Service Hotline

tel: +86 755 83044319

WhatsApp

Whatsapp:+8618073002950