Hotline usługi
● Szybkie przełączanie
● Niska rezystancja włączenia
● Niska opłata za bramkę
OPIS
Nasz tranzystor MOSFET z kanałem N został zaprojektowany z myślą o zapewnieniu niezawodnej pracy w środowiskach wysokiego napięcia. Dzięki maksymalnemu napięciu dren-źródło wynoszącemu 650 V, doskonale nadaje się do zastosowań przełączających wysokiego napięcia. Urządzenie charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia wynoszącą 1.1 Ω (przy V).gs = 10 V i Id = 3.5A), zapewniając minimalne straty mocy i wydajną pracę. Dodatkowo ma całkowitą zdolność rozpraszania mocy wynoszącą 30 W, co pozwala na obsługę znacznej mocy bez przegrzania.
Udogodnienia
● Szybkie przełączanie
● Niska rezystancja włączenia
● Niska opłata za bramkę
● 100% test energii lawinowej w pojedynczym impulsie
Zastosowanie
● Obwody zasilania: efektywne przełączanie w przetwornikach i regulatorach mocy.
● Napędy silnikowe: Niezawodne sterowanie silnikami prądu stałego w elektronice przemysłowej i użytkowej.
● Regulatory przełączające: Wysoka sprawność w przetwornicach podwyższających i obniżających napięcie.
● Systemy inwerterowe: Nadają się do systemów fotowoltaicznych i systemów zasilania bezprzerwowego (UPS).
● Sterowanie oświetleniem: Skuteczne do przełączania i ściemniania w systemach oświetlenia LED.
Wsparcie
Jeśli potrzebujesz wsparcia technicznego lub projektowego, daj nam znać i wypełnij Formularz odpowiedzi. Odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
Długowieczność
Program Długowieczności ma na celu okresowe informowanie naszych klientów o przewidywanym czasie realizacji zamówień na nasze produkty. Program NLP jest regularnie weryfikowany i aktualizowany przez nasz Zespół Zarządzający. Zapoznaj się z naszym programem długowieczności tutaj.















