Hotline
● Commutation rapide
● Faible résistance à l'état passant
● Faibles frais d'entrée
Description
Notre MOSFET canal N est conçu pour offrir des performances robustes dans les environnements haute tension. Avec une tension drain-source maximale de 650 V, il est parfaitement adapté aux applications de commutation haute tension. Il présente une faible résistance à l'état passant de 1.1 Ω (à V).gs = 10V et jed = 3.5 A), garantissant une perte de puissance minimale et un fonctionnement efficace. De plus, il a une capacité totale de dissipation de puissance de 30 W, ce qui lui permet de gérer une puissance importante sans surchauffe.
Fonctionnalité
● Commutation rapide
● Faible résistance à l'état passant
● Faibles frais d'entrée
● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %
Application
● Circuits d'alimentation : Commutation efficace dans les convertisseurs et régulateurs de puissance.
● Entraînements de moteurs : Commande fiable des moteurs à courant continu dans l'électronique industrielle et grand public.
● Régulateurs à découpage : Performances à haut rendement dans les convertisseurs élévateurs et abaisseurs.
● Systèmes d'onduleurs : Convient aux systèmes photovoltaïques et d'alimentation sans interruption (ASI).
● Contrôle de l'éclairage : efficace pour les applications de commutation et de gradation dans les systèmes d'éclairage LED.
Assistance
Si vous avez besoin d'assistance technique ou en matière de conception, veuillez nous le faire savoir et remplir le formulaire de réponse. Nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
Longévité
Le Programme de Longévité vise à informer régulièrement nos clients sur la durée de disponibilité de nos produits. Ce programme est régulièrement revu et mis à jour par notre direction. Consultez notre Programme de Longévité ici.















