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SL8N65F N チャネルエンハンスメント MOSFET TO-220F

● 高速スイッチング

● 低オン抵抗

● 低ゲート電荷

詳細説明
当社のNチャネルMOSFETは、高電圧環境において堅牢な性能を発揮するように設計されています。最大ドレイン・ソース間電圧は650Vで、高電圧スイッチングアプリケーションに最適です。このデバイスは、1.1Ω(Vgs = 10Vと私d = 3.5A) により、電力損失を最小限に抑え、効率的な動作を実現します。さらに、総電力消費能力は 30W で、過熱することなく大きな電力を処理できます。

特長

高速切り替え

低オン抵抗

ゲートチャージが低い

● 100%シングルパルスアバランシェエネルギーテスト


用途

電源回路:電力変換器およびレギュレータにおける効率的なスイッチング。

モータードライブ:産業用および民生用電子機器におけるDCモーターの信頼性の高い制御。

スイッチングレギュレータ:昇圧コンバータおよび降圧コンバータにおいて高効率な性能を発揮します。

インバーターシステム:太陽光発電システムおよび無停電電源装置(UPS)システムに適しています。

● 照明制御: LED 照明システムのスイッチングおよび調光アプリケーションに効果的です。


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耐用性アップ

 

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