Linha de Apoio
● Troca rápida
● Baixa resistência ON
● Baixa taxa de entrada
Descrição
Nosso MOSFET de canal N foi projetado para oferecer desempenho robusto em ambientes de alta tensão. Com uma tensão dreno-fonte máxima de 650 V, é ideal para aplicações de comutação de alta tensão. O dispositivo apresenta uma baixa resistência de ativação de 1.1 Ω (a Vgs = 10V e eud = 3.5A), garantindo perda mínima de energia e operação eficiente. Além disso, possui uma capacidade total de dissipação de energia de 30 W, permitindo lidar com uma potência significativa sem superaquecimento.
Diferenciais
● Troca rápida
● Baixa resistência ON
● Baixa taxa de entrada
● Teste de energia de avalanche de pulso único 100%
Aplicação
● Circuitos de alimentação: Comutação eficiente em conversores e reguladores de potência.
● Acionamentos de motores: Controle confiável de motores CC em eletrônicos industriais e de consumo.
● Reguladores de comutação: Desempenho de alta eficiência em conversores elevadores e abaixadores de tensão.
● Sistemas de inversores: Adequados para sistemas fotovoltaicos e de alimentação ininterrupta (UPS).
● Controle de iluminação: Eficaz para aplicações de comutação e dimerização em sistemas de iluminação LED.
Suporte
Se precisar de suporte técnico/de design, informe-nos preenchendo o Formulário de Resposta. Entraremos em contato o mais breve possível.
Longevidade
O Programa de Longevidade visa fornecer aos nossos clientes informações periódicas sobre o prazo previsto para a disponibilidade dos nossos produtos. O Programa de Longevidade é revisto e atualizado regularmente pela nossa Equipa de Gestão Executiva. Consulte o nosso Programa de Longevidade aqui.















