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SL8N65F MOSFET de aprimoramento de canal N TO-220F

● Troca rápida

● Baixa resistência ON

● Baixa taxa de entrada

Descrição
Nosso MOSFET de canal N foi projetado para oferecer desempenho robusto em ambientes de alta tensão. Com uma tensão dreno-fonte máxima de 650 V, é ideal para aplicações de comutação de alta tensão. O dispositivo apresenta uma baixa resistência de ativação de 1.1 Ω (a Vgs = 10V e eud = 3.5A), garantindo perda mínima de energia e operação eficiente. Além disso, possui uma capacidade total de dissipação de energia de 30 W, permitindo lidar com uma potência significativa sem superaquecimento.

Diferenciais

Troca rápida

Baixa resistência ON

Baixa taxa de entrada

● Teste de energia de avalanche de pulso único 100%


Aplicação

Circuitos de alimentação: Comutação eficiente em conversores e reguladores de potência.

Acionamentos de motores: Controle confiável de motores CC em eletrônicos industriais e de consumo.

Reguladores de comutação: Desempenho de alta eficiência em conversores elevadores e abaixadores de tensão.

Sistemas de inversores: Adequados para sistemas fotovoltaicos e de alimentação ininterrupta (UPS).

● Controle de iluminação: Eficaz para aplicações de comutação e dimerização em sistemas de iluminação LED.


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Suporte

Suporte

 

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Longevidade

 

O Programa de Longevidade visa fornecer aos nossos clientes informações periódicas sobre o prazo previsto para a disponibilidade dos nossos produtos. O Programa de Longevidade é revisto e atualizado regularmente pela nossa Equipa de Gestão Executiva. Consulte o nosso Programa de Longevidade aqui.

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