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Transistor bipolar SOT-5551 MMBT23 NPN

Este dispositivo foi projetado para amplificadores de alta tensão de uso geral e drivers de exibição de descarga de gás.

Nossas vantagens:
Os processos de fabricação chineses passaram por anos de iteração, resultando em tecnologias maduras e confiáveis. Muitas empresas internacionais optam pela terceirização da produção na China. Como fabricante de componentes eletrônicos na China, nossos produtos podem substituir totalmente os das principais marcas internacionais em 99% das aplicações, sem a necessidade de verificação de testes. Nossos produtos apresentam alta consistência em qualidade, preços razoáveis, amplo estoque, fornecimento flexível, prazos de entrega curtos e serviço pós-venda profissional. 

Descrição:
Este dispositivo foi projetado para amplificadores de alta tensão de uso geral e drivers de exibição de descarga de gás.

Características:

● Construção de matriz planar epitaxial.

● Tipo PNP complementar disponível: MMBT5401.

● também disponível na versão sem chumbo.

Aplicações:

Ideal para amplificação e comutação de potência média.

Dados de referência rápida:

Símbolo

Parâmetro

Condições

Max

Unidade

V CEO

tensão coletor-emissor

base aberta

160

V

Eu C

corrente de coletor

0.6

A

V CEsat

coletor-emissor

tensão de saturação

I C = 50mA; I B = 10mA

0.5

V



Nome
Título
Descrição
MMBT5551.pdf
-
Ficha de dados
Suporte

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Longevidade

 

O Programa de Longevidade visa fornecer aos nossos clientes informações periódicas sobre o prazo previsto para a disponibilidade dos nossos produtos. O Programa de Longevidade é revisto e atualizado regularmente pela nossa Equipa de Gestão Executiva. Consulte o nosso Programa de Longevidade aqui.

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