Transistor Bipolar (BJT)Transistor, transistor semicondutor, também conhecido como transistor bipolar, é um dispositivo semicondutor que pode controlar a corrente. De acordo com sua estrutura, é dividido em transistor NPN, transistor PNP. Tem a função de amplificação de tensão ou corrente, que pode ser utilizada em circuitos de amplificação, circuitos de oscilação, circuitos de modulação e demodulação, circuitos de comutação e assim por diante.
13001 Transistor Bipolar NPN SOT-23Apresentando o Transistor Bipolar NPN 13001, um componente robusto e versátil projetado para aplicações de alta tensão e energia. Encapsulado em um pacote SOT-23 compacto, este transistor oferece uma tensão máxima coletor-emissor (Vceo) de 600 V, acomodando requisitos de circuito exigentes. Com uma capacidade de corrente de coletor (Ic) de até 0.2 A e uma classificação de dissipação de energia de 0.75 W, ele garante uma operação confiável em várias configurações. O 13001 apresenta uma baixa tensão de saturação (VCE(sat)) de 0.5 V e uma frequência de transição (fT) de 8 MHz, tornando-o adequado para tarefas de comutação e amplificação.
2SA1037-R PNP Transistor Bipolar SOT-23O Transistor Digital PNP 2SA1037-R é um transistor PNP de alto desempenho projetado para fornecer operação confiável em aplicações eletrônicas exigentes. Com uma tensão coletor-emissor máxima (Vceo) de 50 V, ele é bem adequado para várias tarefas de comutação e amplificação. O transistor possui uma alta frequência de transição (fT) de 140 MHz, tornando-o ideal para processamento de sinal de alta velocidade.
2SA1661-Y PNP Transistor Bipolar SOT-89O transistor digital PNP 2SA1661-Y é um transistor de alto desempenho projetado para atender às demandas de aplicações eletrônicas modernas. Com suas capacidades robustas de manipulação de tensão e resposta de alta frequência, este transistor oferece desempenho confiável e eficiência em uma variedade de circuitos. O transistor digital PNP 2SA1661-Y é particularmente adequado para ambientes de alta frequência e alta temperatura, garantindo estabilidade e durabilidade mesmo sob condições desafiadoras.
2SB1188-R PNP Transistor Bipolar SOT-89O transistor NPN de alto desempenho foi projetado para aplicações eletrônicas exigentes que exigem desempenho robusto e confiabilidade. Com uma classificação Vceo de -32V e um Ic máximo de -2A, este transistor oferece recursos confiáveis de manipulação e comutação de energia.
2SB1260-R PNP Transistor Bipolar SOT-89O Transistor Bipolar PNP 2SB1260-R é um componente robusto e versátil projetado para aplicações de alta confiabilidade em vários sistemas eletrônicos. Projetado para lidar com até 80 V de tensão coletor-emissor, este transistor garante desempenho estável mesmo em ambientes exigentes. Com seu design compacto e excelentes características térmicas, ele é ideal para aplicações que exigem controle preciso e eficiência.
2SB1386-R PNP Transistor Bipolar SOT-89O transistor digital PNP 2SB1386-R é um dispositivo versátil otimizado para operações de alta corrente e alta frequência. Com uma tensão máxima de coletor-emissor (VCE) de 20 V e uma corrente de coletor contínua (Ic) nominal de 5 A, é adequado para amplificação de potência e aplicações de comutação. Este transistor apresenta uma baixa tensão de saturação (VCE (sat)) de 0.35 V com corrente de coletor de 4 A e corrente de base de 0.1 A, garantindo perda mínima de energia e desempenho eficiente.
2SC3357RE PNP Transistor Bipolar SOT-89O 2SC3357 é um transistor de potência de ultra-alta frequência e baixo ruído, utilizando um processo bipolar epitaxial de silício NPN planar. Ele oferece alto ganho de potência, baixo ruído, ampla faixa dinâmica e excelentes características de corrente. Embalado em uma configuração de montagem em superfície SOT-89, ele é usado principalmente em aplicações VHF, UHF e CATV para amplificação de baixo ruído e banda larga de alta frequência.
2SC3585R45 NPN Transistor Bipolar SOT-23-3LO 2SC3585 é um transistor de ultra-alta frequência e baixo ruído que usa tecnologia bipolar epitaxial de silício planar NPN. Possui alto ganho de potência, baixo ruído, ampla faixa dinâmica e características de corrente ideais. Ele vem em um pacote de montagem em superfície SOT-23-3L e é usado principalmente em amplificadores de baixo ruído de banda larga de alta frequência VHF, UHF e CATV.
2SC4081-R PNP Transistor Bipolar SOT-323O transistor bipolar PNP 2SC4081-R é um transistor de alto desempenho projetado para aplicações eletrônicas exigentes. Projetado para oferecer robustez e confiabilidade, este transistor se destaca em vários ambientes de alta frequência e alta temperatura, tornando-o a escolha ideal para circuitos e sistemas eletrônicos avançados.
2SC4617 NPN Transistor Bipolar SOT-523O 2SC4617 é um transistor de junção bipolar NPN (BJT) de alto desempenho projetado para aplicações que exigem amplificação de sinal precisa e recursos de comutação de alta frequência. Encapsulado em um pacote TO-92L, este transistor oferece operação confiável com uma tensão máxima coletor-emissor (Vceo) de 50V e uma corrente contínua máxima de coletor (Ic) de 0.1A. Com uma classificação de dissipação de energia (Pd) de 125mW e uma impressionante frequência de transição (fT) de 180MHz, o 2SC4617 se destaca em circuitos que exigem desempenho de alta velocidade e processamento de sinal eficiente.
2SC4901 NPN Transistor Bipolar SOT-3232SC4901 é um transistor de baixo ruído de frequência ultra-alta; com a tecnologia bipolar de epitaxia de silício NPN plana, possui características como altos ganhos de potência, baixos ruídos e grandes faixas dinâmicas. Com o pacote SOT-323, é aplicável à instalação de paster de superfície de alta densidade, usado principalmente para amplificadores de banda larga de baixo ruído e alta frequência, como VHF, UHF e CATV.
2SD1782R NPN Transistor Bipolar SOT-23O transistor bipolar NPN 2SD1782R SOT-23 foi projetado para oferecer confiabilidade e eficiência excepcionais em aplicações eletrônicas exigentes. Com especificações robustas e tecnologia avançada, este transistor foi projetado para lidar com altas tensões e correntes, mantendo o desempenho ideal em temperaturas extremas. Ideal para aplicações de alta frequência e de energia, oferece uma combinação equilibrada de manuseio de energia, velocidade de comutação e estabilidade térmica.
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