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Dispositivos SiC
O碳化硅 SiC é um material semicondutor composto, formado por silício Si e carbono C, geralmente no tipo de cristal 4H-SiC. Sua resistência ao campo de ruptura de isolamento é 10 vezes maior que a do Si, a largura da banda proibida é 3 vezes maior que a do Si, a condutividade térmica é 3 vezes maior que a do Si, e a velocidade de deriva de saturação é 2 vezes maior que a do Si. É um material para dispositivos eletrônicos de potência muito superior ao Si.
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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