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MOSFET de SiC
A impedância da camada de deriva dos dispositivos SiC de carboneto de silício é menor do que a dos dispositivos Si, e alta tensão suportável e baixa impedância podem ser alcançadas com estrutura MOSFET sem modulação de condutividade. Além disso, em princípio, os MOSFETs não geram uma corrente de cauda, de modo que as perdas de comutação podem ser significativamente reduzidas e a miniaturização dos componentes de dissipação de calor pode ser alcançada ao substituir os IGBTs por SiC-MOSFETs. Além disso, a frequência de operação do SiC-MOSFET pode ser muito maior que a do IGBT, suas partes do capacitor indutor do circuito são menores, fácil de realizar o tamanho e peso do sistema. Comparado com o mesmo Si-MOSFET de tensão de 600V ~ 900V, a área do chip SiC-MOSFET é pequena, pode ser usada em pacotes menores e a perda de recuperação do diodo corporal é muito pequena. Atualmente, os MOSFETs SiC são usados principalmente em fontes de alimentação industriais de última geração, inversores e conversores de última geração, arrasto e controle de motores de última geração, etc.
SL19N120A MOSFET de alta tensão TO-247-3
Package：TO-247-3
VDSS(V)：1200V
ID@TC=25℃（A）：19A
RDSON(Ω)：160mΩ@20V,10A
PD（W）：134W
P/N：N -width
| TO-247-3 | 1200V | 19A | 160mΩ@20V,10A | 134W | N -width |
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
As linhas de produtos da SLKOR incluem dispositivos discretos, como diodos, transistores e dispositivos de potência; e circuitos integrados, como reguladores lineares, conversores DC/DC, chips de interface, sensores Hall, conversores analógico-digitais (ADCs) e sistemas de gerenciamento de bateria (BMS). Possuímos anos de tecnologia acumulada em semicondutores dedicados.
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