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MOSFET de SiC
A impedância da camada de deriva dos dispositivos de carboneto de silício (SiC) é menor do que a dos dispositivos de Si, e é possível obter alta tensão de bloqueio e baixa impedância com a estrutura MOSFET sem modulação de condutividade. Além disso, os MOSFETs não geram corrente de cauda em princípio, o que permite reduzir significativamente as perdas de comutação e alcançar a miniaturização dos componentes de dissipação de calor ao substituir IGBTs por SiC-MOSFETs. Adicionalmente, a frequência de operação dos SiC-MOSFETs pode ser muito maior do que a dos IGBTs, resultando em componentes de indutores e capacitores de circuito menores, facilitando a realização de sistemas compactos e leves. Em comparação com Si-MOSFETs da mesma faixa de tensão de 600V a 900V, a área do chip dos SiC-MOSFETs é menor, podendo ser utilizados em encapsulamentos menores, e a perda de recuperação do diodo de corpo é muito reduzida. Atualmente, os SiC MOSFETs são principalmente empregados em fontes de alimentação industriais de alta qualidade, inversores e conversores de alto desempenho, e acionamento e controle de motores de alta especificação, entre outros.
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