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Diodo de Recuperação Rápida A estrutura interna do diodo de recuperação rápida é diferente do diodo de junção PN comum, pertencendo ao diodo de junção PIN, ou seja, a região de base I é adicionada no meio do material de silício tipo P e do material de silício tipo N para formar a pastilha de silício PIN. Como a região de base é muito fina, a carga de recuperação reversa é muito pequena, portanto, o tempo de recuperação reversa do diodo de recuperação rápida é mais curto, a queda de tensão direta é menor e a tensão de ruptura reversa (valor de tensão suportável) é maior.
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