Diodo de recuperação rápidaA estrutura interna do diodo de recuperação rápida é diferente do diodo de junção PN comum, que pertence ao diodo de junção PIN, ou seja, a região de base I é adicionada no meio do material de silício tipo P e do material de silício tipo N para formar o PIN bolacha de silício. Como a região de base é muito fina, a carga de recuperação reversa é muito pequena, então o tempo de recuperação reversa do diodo de recuperação rápida é mais curto, a queda de tensão direta é menor e a tensão de ruptura reversa (valor de tensão suportável) é maior.
O objetivo desses cookies é fornecer o serviço, aplicativo ou recurso solicitado. Sem eles, nenhuma de suas solicitações poderá ser concluída corretamente. Normalmente, eles são usados para gerenciar as ações que você realiza em nosso site, por exemplo, ajudam você a obter elementos visuais, usar recursos da página e fazer login em sua conta. Além de configurar funções básicas, o uso desses cookies também nos permite garantir a segurança e a eficiência do nosso site.
Cookies do Google Analytics
O objetivo desses cookies é fornecer dados quantitativos sobre a interação do usuário com nosso site. Além disso, esses cookies coletam informações usadas para monitorar o desempenho do site. Normalmente, eles não coletam informações confidenciais e nos fornecem apenas estatísticas gerais, como número de visitantes em diferentes páginas, fontes de tráfego e taxas de conversão, para nos ajudar a melhorar o desempenho do site. Ao desativar esses cookies, não poderemos identificá-lo como visitante.
Cookies publicitários
Esses cookies são definidos por nossos parceiros de publicidade para fornecer publicidade comportamental e análise de remarketing. Eles coletam informações de navegação para criar perfis de usuário e exibir anúncios personalizados. Ao visitar outros sites, você verá anúncios personalizados com base em um perfil criado de acordo com seus interesses e comportamento.