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Transistor bipolar SOT-5401 MMBT23 NPN
O MMBT5401 é um robusto transistor de junção bipolar NPN (BJT) projetado para aplicações de alta tensão e corrente moderada. Com um Vceo de 150 V e uma corrente máxima de coletor (Ic) de 500 mA, este transistor está alojado em um pacote SOT-23 compacto, tornando-o adequado para projetos com espaço limitado onde alta confiabilidade e desempenho são críticos.
Nossas vantagens:
Os processos de fabricação chineses passaram por anos de iteração, resultando em tecnologias maduras e confiáveis. Muitas empresas internacionais optam pela terceirização da produção na China. Como fabricante de componentes eletrônicos na China, nossos produtos podem substituir totalmente os das principais marcas internacionais em 99% das aplicações, sem a necessidade de verificação de testes. Nossos produtos apresentam alta consistência em qualidade, preços razoáveis, amplo estoque, fornecimento flexível, prazos de entrega curtos e serviço pós-venda profissional.
Descrição:
O MMBT5401 é um robusto transistor de junção bipolar NPN (BJT) projetado para aplicações de alta tensão e corrente moderada. Com um Vceo de 150 V e uma corrente máxima de coletor (Ic) de 500 mA, este transistor está alojado em um pacote SOT-23 compacto, tornando-o adequado para projetos com espaço limitado onde alta confiabilidade e desempenho são críticos.
Características:
? Amplificador de uso geral PNP
? Este dispositivo foi projetado como um amplificador e interruptor de uso geral para aplicações que exigem alta tensão.
Aplicações:
O transistor MMBT5401 NPN encontra aplicações em vários circuitos eletrônicos que requerem comutação e amplificação confiáveis:
? Circuitos de comutação: Operações de comutação eficientes em aplicações que exigem manuseio moderado de corrente.
? Regulação de Tensão: Utilizado em reguladores de tensão e circuitos de gerenciamento de energia devido à sua capacidade de alta tensão.
? Amplificação: Ideal para amplificação de pequenos sinais em amplificadores de áudio, interfaces de sensores e circuitos de condicionamento de sinal.
? Gerenciamento de energia: Adequado para aplicações de comutação de energia em dispositivos alimentados por bateria e eletrônicos portáteis.
? Automação Industrial: Utilizada em controle
? sistemas e interfaces de sensores onde é necessária uma operação confiável em ambientes severos.
Dados de referência rápida
|
Símbolo |
Parâmetro |
Condições |
Max |
Unidade |
|
V CEO |
tensão coletor-emissor |
base aberta |
150 |
V |
|
Eu C |
corrente de coletor |
0.5 |
A |
|
|
V CEsat |
coletor-emissor tensão de saturação |
IC = 50mA; IB = 10mA |
0.5 |
V |
Nome
Título
Descrição
Ficha de dados
Suporte
Suporte
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Longevidade
O Programa de Longevidade visa fornecer aos nossos clientes informações periódicas sobre o prazo previsto para a disponibilidade dos nossos produtos. O Programa de Longevidade é revisto e atualizado regularmente pela nossa Equipa de Gestão Executiva. Consulte o nosso Programa de Longevidade aqui.
13001 Transistor Bipolar NPN SOT-23
Marcas: slkor， VCEO(V)： 400V PD(W)(PD(W))： 750mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 8MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 200mA
2SA1037-R PNP Transistor Bipolar SOT-23
Marcas: slkor，
2SA1661-Y PNP Transistor Bipolar SOT-89
Marcas: slkor，
2SB1188-R PNP Transistor Bipolar SOT-89
Marcas: slkor，
2SB1260-R PNP Transistor Bipolar SOT-89
Marcas: slkor，
2SB1386-R PNP Transistor Bipolar SOT-89
Marcas: slkor，
2SB1424-R PNP Transistor Bipolar SOT-89
Marcas: slkor， VCEO(V)： 20V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 240MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 3A
2SC1623 NPN Transistor Bipolar SOT-23
Marcas: slkor，
2SC2873 NPN Transistor Bipolar SOT-89
Marcas: slkor， VCEO(V)： 50V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 120MHz Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 2A
2SC3357 RF
Marcas: slkor，
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
As linhas de produtos da SLKOR incluem dispositivos discretos, como diodos, transistores e dispositivos de potência; e circuitos integrados, como reguladores lineares, conversores DC/DC, chips de interface, sensores Hall, conversores analógico-digitais (ADCs) e sistemas de gerenciamento de bateria (BMS). Possuímos anos de tecnologia acumulada em semicondutores dedicados.
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