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Produtos
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Triacs BTA12-600B TO-220F
● Tensão de bloqueio até 600 V
● Corrente RMS no estado ligado até 12 A
● Tensão de pico repetitiva no estado desligado: 600 V
Nossas vantagens
Os processos de fabricação chineses passaram por anos de iteração, resultando em tecnologias maduras e confiáveis. Muitas empresas internacionais optam pela terceirização da produção na China. Como fabricante de componentes eletrônicos na China, nossos produtos podem substituir totalmente os das principais marcas internacionais em 99% das aplicações, sem a necessidade de verificação de testes. Nossos produtos apresentam alta consistência em qualidade, preços razoáveis, amplo estoque, fornecimento flexível, prazos de entrega curtos e serviço pós-venda profissional.
Descrição
Triacs passivados em vidro em um envelope de plástico, destinados ao uso em aplicações que exigem alta capacidade de tensão transitória e de bloqueio bidirecional e alto desempenho de ciclo térmico. As aplicações típicas incluem controle de motores, iluminação industrial e doméstica, aquecimento e comutação estática.
Diferenciais
● Tensão de bloqueio até 600 V
● Corrente RMS no estado ligado até 12 A
● Tensão de pico repetitiva no estado desligado: 600 V
● Corrente RMS no estado ligado IT(RMS)=12A
● Alto dv/dt de comutação
● Tensão de isolamento Viso 1500V CA
Aplicações
● Controle do motor
● Iluminação industrial e doméstica
● Aquecimento
● Comutação estática
Dados de referência rápida
| Símbolo | Parâmetro | Condições | Max | Unidade |
| VDRM | Tensões de pico repetitivas fora do estado | 600 | V | |
| IT (RMS) | Corrente RMS no estado (onda senoidal completa) | Tc=79℃ | 12 | A |
| ITSM | Corrente de surto no estado | Um ciclo de pico de 50 Hz/60 Hz não repetitivo | 119/130 | A |
Nome
Título
Descrição
Ficha de dados
Suporte
Suporte
Se precisar de suporte técnico/de design, informe-nos preenchendo o Formulário de Resposta. Entraremos em contato o mais breve possível.
Longevidade
O Programa de Longevidade visa fornecer aos nossos clientes informações periódicas sobre o prazo previsto para a disponibilidade dos nossos produtos. O Programa de Longevidade é revisto e atualizado regularmente pela nossa Equipa de Gestão Executiva. Consulte o nosso Programa de Longevidade aqui.
BT131-800 Retificador Controlado por Silício SCR TO-92
Marcas: slkor， VDRM(V)： 800V IT(RMS)(A)： 1A IGT(mA)/Max： 7mA VGT(V)： 1.2V Package： TO-92
BT136S-800E Retificador Controlado por Silício SCR TO-252
Marcas: slkor， VDRM(V)： 800V IT(RMS)(A)： 4A IGT(mA)/Max： 25mA VGT(V)： 1.5V Package： TO-252
BT151D-600R Retificador controlado por silício SCR TO-252
Marcas: slkor， VDRM(V)： 600V IT(RMS)(A)： 12A IGT(mA)/Max： 20mA VGT(V)： 1V Package： TO-252
BTA41-1200B TRIAC de 4 quadrantes TO-3P
Marcas: slkor， VDRM(V)： 1200V IT(RMS)(A)： 40A IGT(mA)/Max： 50mA VGT(V)： 1.5V Package： TO-3P
BTW69-1200B Retificador controlado por silício SCR TO-3P
Marcas: slkor， VDRM(V)： 1200V IT(RMS)(A)： 55A IGT(mA)/Max： 70mA VGT(V)： 1.5V Package： TO-3P
Retificador controlado por silício BTA06-800B SCR TO-220
Marcas: slkor， VDRM(V)： 800V IT(RMS)(A)： 6A IGT(mA)/Max： 100mA VGT(V)： 1.3V Package： TO-220
Retificador controlado por silício BTA08-800B SCR TO-220
Marcas: slkor， VDRM(V)： 800V IT(RMS)(A)： 8A IGT(mA)/Max： 100mA VGT(V)： 1.3V Package： TO-220
Retificador controlado por silício BTA26-800B SCR TO-3P
Marcas: slkor， VDRM(V)： 800V IT(RMS)(A)： 25A IGT(mA)/Max： 50mA VGT(V)： 1.5V Package： TO-3P
Retificador controlado por silício BTA41-800B SCR TO-3P
Marcas: slkor， VDRM(V)： 800V IT(RMS)(A)： 40A IGT(mA)/Max： 50mA VGT(V)： 1.5V Package： TO-3P
SCR40-1200B Retificador controlado por silício SCR TO-3P
Marcas: slkor， VDRM(V)： 1200V IT(RMS)(A)： 40A IGT(mA)/Max： 35mA VGT(V)： 1.5V Package： TO-3P
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
As linhas de produtos da SLKOR incluem dispositivos discretos, como diodos, transistores e dispositivos de potência; e circuitos integrados, como reguladores lineares, conversores DC/DC, chips de interface, sensores Hall, conversores analógico-digitais (ADCs) e sistemas de gerenciamento de bateria (BMS). Possuímos anos de tecnologia acumulada em semicondutores dedicados.
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