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Diodos ESD bidirecionais SLESD3V3D5 SOD-523
A série SLESD3V3D5 foi projetada para proteger componentes sensíveis à tensão contra ESD e eventos de tensão transitória. Excelente capacidade de fixação, baixo vazamento e tempo de resposta rápido tornam essas peças ideais para proteção contra ESD em projetos onde o espaço da placa é escasso. Devido ao seu tamanho pequeno, é adequado para uso em telefones celulares, dispositivos portáteis, câmeras digitais, fontes de alimentação e muitas outras aplicações portáteis.
Nossas vantagens
Os processos de fabricação chineses passaram por anos de iteração, resultando em tecnologias maduras e confiáveis. Muitas empresas internacionais optam pela terceirização da produção na China. Como fabricante de componentes eletrônicos na China, nossos produtos podem substituir totalmente os das principais marcas internacionais em 99% das aplicações, sem a necessidade de verificação de testes. Nossos produtos apresentam alta consistência em qualidade, preços razoáveis, amplo estoque, fornecimento flexível, prazos de entrega curtos e serviço pós-venda profissional.
Descrição
A série SLESD3V3D5 foi projetada para proteger componentes sensíveis à tensão contra ESD e eventos de tensão transitória. Excelente capacidade de fixação, baixo vazamento e tempo de resposta rápido tornam essas peças ideais para proteção contra ESD em projetos onde o espaço da placa é escasso. Devido ao seu tamanho pequeno, é adequado para uso em telefones celulares, dispositivos portáteis, câmeras digitais, fontes de alimentação e muitas outras aplicações portáteis.
Diferenciais
● Proteção ESD de nível 4, conforme a norma IEC61000-4-2
● Protege uma linha de E/S unidirecional
● Baixa tensão de fixação
● Tensão de operação: 3.3V
● Baixa corrente de fuga
Aplicações
● Aparelhos e acessórios para celulares
● Equipamento baseado em microprocessador
● Assistentes Digitais Pessoais (PDAs)
● Notebooks, desktops e servidores
● Instrumentação Portátil
● Periféricos
● Pagers
Nome
Título
Descrição
Ficha de dados
Suporte
Suporte
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Longevidade
O Programa de Longevidade visa fornecer aos nossos clientes informações periódicas sobre o prazo previsto para a disponibilidade dos nossos produtos. O Programa de Longevidade é revisto e atualizado regularmente pela nossa Equipa de Gestão Executiva. Consulte o nosso Programa de Longevidade aqui.
AU0511P1 Diodo de proteção ESD SOD-323
Marcas: slkor， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 5.6V IR(uA)： 1μA VC(V)： 9.5V CJ(pF)： 15 Package： DFN1006
Diodo ESD SLPED0201M05 0201
Marcas: slkor， VRWM(V)： null- VBR min(V)： null- IR(uA)： 10nA VC(V)： 40V CJ(pF)： 0.05pF Package： 0201
Diodo de proteção ESD BTRD04A035 DFN1006
Marcas: slkor， VRWM(V)： 5 VBR min(V)： 8.4 IR(uA)： 0.1 VC(V)： 10 CJ(pF)： 18 Package： DFN1006
Diodo de proteção ESD ESDA14V2L SOT-23
Marcas: slkor， VRWM(V)： 12V VBR min(V)： 13.3V IR(uA)： 1μA VC(V)： 19V CJ(pF)： 130pF Package： SOT-23
Diodo de proteção ESD GBLC03CI SOD-323
Marcas: slkor， VRWM(V)： 8V VBR min(V)： 8.5V IR(uA)： 1μA VC(V)： 13.4V CJ(pF)： 0.8pF Package： SOD-323
Diodo de proteção ESD GBLC08C SOD-323
Marcas: slkor， VRWM(V)： 8V VBR min(V)： 8.5V IR(uA)： 1μA VC(V)： 13.4V CJ(pF)： 0.8pF Package： SOD-323
Diodo de proteção ESD GBLC15CI SOD-323
Marcas: slkor， VRWM(V)： 15V VBR min(V)： 16.7V IR(uA)： 1μA VC(V)： 24V CJ(pF)： 0.8pF Package： SOD-323
Diodo de proteção ESD PRTR5V0U2X SOT-143
Marcas: slkor， VRWM(V)： 5 VBR min(V)： 6 IR(uA)： 1 VC(V)： 15.5 CJ(pF)： 0.6 Package： SOT-143
Diodo de proteção ESD RSAC6.8CST2RA SOD-923
Marcas: slkor， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 5.4V IR(uA)： 1mA VC(V)： 12.9V CJ(pF)： 0.9pF Package： SOD-923
Diodo de proteção ESD RST9361MA DFN1006
Marcas: slkor， VRWM(V)： 3.3V VBR min(V)： 4.2V IR(uA)： 100nA VC(V)： 12V@1A CJ(pF)： 0.25pF Package： DFN1006
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
As linhas de produtos da SLKOR incluem dispositivos discretos, como diodos, transistores e dispositivos de potência; e circuitos integrados, como reguladores lineares, conversores DC/DC, chips de interface, sensores Hall, conversores analógico-digitais (ADCs) e sistemas de gerenciamento de bateria (BMS). Possuímos anos de tecnologia acumulada em semicondutores dedicados.
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