Почему компания TSMC впервые передала производственный процесс на аутсорсинг заводу по производству светодиодов? Оказывается, причина кроется в ажиотаже вокруг технологии «быстрой зарядки с использованием нитрида галлия», запуск которой запланирован на следующий год.

　　
Поклонников Apple ждет сюрприз при открытии коробки с iPhone 12, который сейчас продается. В ней отсутствуют не только наушники, но и USB-зарядное устройство, прозванное «Головой тофу».
　　
Apple утверждала, что это связано с экологическими факторами, а её конкурент Samsung однажды высмеял это заявление на своей официальной странице в Facebook. Но не так давно просочившаяся в сеть информация от Samsung показала, что компания также последует этому примеру. Новейший мобильный телефон Galaxy, запуск которого ожидается в январе следующего года, не будет поставляться с зарядным устройством.
　　
Иными словами, только в следующем году с мирового рынка могут исчезнуть как минимум сотни миллионов бесплатных зарядных устройств. Таким образом, срабатывает эффект бабочки, и популярность зарядных устройств, изготовленных из дорогих и редких полупроводниковых материалов, резко возрастет.
　　
«Apple заняла лидирующую позицию, а Samsung последовала за ней. Они не стали раздавать зарядные устройства бесплатно, поэтому всем приходилось идти в магазин, чтобы их купить. Люди покупали более дорогие (зарядные устройства), которые быстро заряжают, они меньше по размеру и удобно помещаются в сумки», — сказал аналитик американской брокерской компании.
　　

Зарядные устройства на основе нитрида галлия с низкими потерями и малыми размерами будут способствовать росту их популярности.

Если поклонники Apple зайдут в магазин аксессуаров для мобильных телефонов, они обнаружат, что постепенно растет популярность зарядных устройств с «быстрой зарядкой на основе нитрида галлия», которые, как утверждается, заряжают телефон менее чем за половину времени, необходимого для оригинального зарядного устройства Apple. Например, продукция американских брендов AUKEY, китайских Xiaomi и других.
　　
По словам Чжан Минцзе, главного экономиста Fulake Capital, в общей сложности 30 производителей, включая ANKER, крупного производителя зарядных устройств, выпустили более 66 зарядных устройств на основе нитрида галлия.
　　
«В следующем году количество быстрых зарядных устройств может достичь десятков миллионов в месяц. Объём огромен, поэтому многие люди по всему миру начинают ими пользоваться», — пояснил высокопоставленный руководитель в полупроводниковой отрасли.
　　
Большинство из них оснащены силовыми чипами на основе нитрида галлия, производимыми американской стартап-компанией Navitas, которые, в свою очередь, выпускаются компанией TSMC.
　　
Нитрид галлия (GaN) относится к полупроводниковым материалам третьего поколения, которые в настоящее время вызывают бурные дискуссии. Он характеризуется высокой эффективностью преобразования энергии, низкими потерями и малыми размерами.
　　
Фактически, на собрании акционеров TSMC в этом году, когда юристы задали вопрос о востребованном на рынке технологическом процессе производства кремниевых пластин из нитрида галлия, президент TSMC Вэй Чжэцзя признал, что TSMC «в настоящее время занимается мелкосерийным производством», но ожидает широкого применения GaN в будущем.

Высокопоставленный руководитель полупроводниковой отрасли отметил, что в настоящее время TSMC производит чипы из нитрида галлия на кремниевой подложке (GaN-on-si) на 6-дюймовых кремниевых пластинах.
　　
Однако Apple и Samsung не предоставили зарядные устройства, что вызвало ажиотаж вокруг зарядных устройств на основе нитрида галлия. Это неожиданно заставило TSMC, обладающую всеми производственными мощностями, передать производственный процесс на аутсорсинг производителю светодиодов Epistar.
　　
В отчете аналитика Tianfeng International Securities Мин-Чи Куо говорится, что у Epistar есть возможность разместить заказы на поставку эпитаксиальных кремниевых пластин из нитрида галлия (Epitaxial Wafer) у TSMC, и ожидается, что отгрузка начнется во втором квартале 2021 года.
　　
Поскольку Apple собирается запустить собственную технологию «быстрой зарядки на основе нитрида галлия» в 2021 году, NanoVis также будет поставлять силовые чипы, но производственные мощности TSMC по эпитаксиальному производству ограничены. Он предсказал, что TSMC передаст заказы Nanovi на эпитаксиальные чипы на основе нитрида галлия компании Epistar.

　　
Компания TSMC передает свои производственные процессы на аутсорсинг компании Epistar, местонахождение которой уже установлено.
　　

Некоторые СМИ также сообщили, что компания TSMC даже приобрела это оборудование и установила его на заводе Jingdian в Чжунане, позволив Jingdian производить его на основании патентного лицензирования.
　　
Эта новость на первый взгляд может показаться невероятной. Компания TSMC впервые передала свой производственный процесс на аутсорсинг, и контракт заключен с заводом по производству светодиодов?
　　
Бывший руководитель технологического процесса TSMC объяснил, что так называемый «аутсорсинг эпитаксиальной обработки кремниевых пластин» означает, что TSMC сначала просит Epistar нанести слой нитрида галлия на кремниевую пластину, «а затем забирает ее обратно в TSMC для производства микросхем управления питанием, используемых в быстрых зарядных устройствах для мобильных телефонов».
　　
Компания Epistar является ведущим тайваньским производителем светодиодов, а эпитаксия нитрида галлия изначально была одним из ключевых производственных процессов для светодиодов, поэтому она, естественно, способна принимать заказы.
　　
«Мы официально подписали соглашение о неразглашении. Комментарии не принимаются». Председатель правления Epistar Ли Бинцзе отказался отвечать на запрос издания «World» по поводу аутсорсинга со стороны TSMC. Он лишь заявил, что у Epistar есть аналогичные технологии.
　　
Он сказал, что материальные свойства нитрида галлия, а именно плотность мощности, стабильность, теплопроводность и преобразование энергии, лучше, чем у традиционных кремниевых компонентов, что делает его идеальным усилителем мощности в микроволновом диапазоне. В прошлом он наиболее часто применялся в крупногабаритном оборудовании, таком как оборудование базовых станций 5G. В будущем его будут использовать в большом количестве зарядных устройств для электронных изделий 3C.
　　
Ли Бинцзе считает, что зарядные устройства во всем мире постепенно сформируют единый стандарт: 100-ваттные трехпортовые зарядные устройства Type-C (способные одновременно поддерживать ноутбуки, мобильные телефоны и планшеты) станут глобальным стандартом.
　　
В результате размеры традиционных зарядных устройств значительно уменьшатся. «Если использовать полупроводниковые материалы третьего поколения, зарядное устройство можно будет уменьшить в размерах, примерно до одной трети его объема», — сказал Ли Бинцзе, сравнивая размер примерно в 2 кубических дюйма со своей ладонью.
　　
Но любопытно, когда именно TSMC начала инвестировать в технологию производства нитрида галлия?
　　
Примерно в 2009 году TSMC активно осваивала новые направления в сфере экологически чистой энергетики, не являвшиеся её основной отраслью, включая тонкопленочные солнечные элементы и светодиодное твердотельное освещение Motech. Тан Чанлин, занимавший тогда должность генерального директора подразделения твердотельного освещения TSMC, пришёл из Epistar. Однако два последних направления потерпели неудачу. В 2015 году подразделение твердотельного освещения TSMC было продано Epistar.
　　
Один из представителей полупроводниковой промышленности, присутствовавший при создании компании TSMC Solid State Lighting в том году, рассказал, что первоначально в TSMC Solid State Lighting работало 380 сотрудников, более 200 из которых перешли в Epistar.

Примечание: Данная статья воспроизведена из интернета и направлена ​​на защиту прав интеллектуальной собственности. При перепечатке, пожалуйста, указывайте первоисточник и автора. В случае нарушения авторских прав, пожалуйста, свяжитесь с нами для удаления публикации.

Номер телефона компании: +86-0755-83044319
Факс: +86-0755-83975897
Почта: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 Менеджер Ли

QQ: 332496225 Менеджер Цю

Адрес: Комната 809, корпус C, технологический корпус Чжаньтао, проспект Миньчжи, 1079, новый район Лунхуа, Шэньчжэнь.