Горячая линия
Зарядное устройство Slkor SL4057 для линейных литий-ионных аккумуляторов: микросхема для зарядки отдельных элементов CC/CV на 500 мА в корпусе SOT23-6.
2026-09-14
232
В устройствах с батарейным питанием, таких как портативная бытовая электроника и небольшие интеллектуальные терминалы, уровень интеграции, точность зарядки, энергопотребление и габариты микросхем управления зарядкой напрямую определяют безопасность зарядки, срок службы батареи и уровень миниатюризации конечных устройств. Традиционные линейные решения для зарядки требуют множества внешних компонентов, отличаются низкой степенью интеграции и занимают много места на печатной плате, что затрудняет их адаптацию к компактным конструкциям портативных устройств. Slkor SL4057 — это линейное зарядное устройство постоянного тока/постоянного напряжения (CC/CV), разработанное специально для одноэлементных литий-ионных батарей. Размещенное в миниатюрном корпусе SOT23-6, оно интегрирует на кристалле силовой MOSFET и схему обратной блокировки, устраняя необходимость во внешних резисторах и блокирующих диодах. Оно поддерживает программируемый зарядный ток до 500 мА и имеет функции терморегулирования, автоматической подзарядки и множественной защиты. Благодаря минимальному количеству внешних компонентов и совместимости с источниками питания USB и адаптерами, это высокоинтегрированное решение для зарядки литиевых батарей в портативных электронных устройствах.
1. Основные параметры продукта
Тип устройства: Линейное зарядное устройство для одноэлементных литий-ионных аккумуляторов
Входное напряжение питания (VCC): 4.0 В ~ 6.5 В
Плавающее напряжение: 4.24 В с точностью ±1%.
Максимальный программируемый зарядный ток: 500 мА
Пороговое напряжение поддерживающей зарядки: 2.9 В
Ток покоя в режиме ожидания: 25 мкА (типичный)
Ток утечки батареи в спящем режиме: ≤1 мкА
Диапазон рабочих температур окружающей среды: от -40℃ до 85℃
Температура перехода, запускаемая терморегулированием: 135℃
Корпус: SOT23-6
2. Основные преимущества продукта
2.1 Высокоинтегрированная конструкция с минимальным количеством внешних компонентов
В микросхеме интегрированы силовой MOSFET, схема измерения тока и обратный блокирующий диод, что исключает необходимость использования внешних резисторов измерения, силовых транзисторов и разделительных устройств. Это значительно сокращает количество компонентов внешней спецификации, экономит место на печатной плате и снижает общую стоимость решения, что делает его особенно подходящим для компактных портативных электронных устройств.
2.2 Полный профиль зарядки с интеллектуальной терморегуляцией
Он поддерживает полный трехступенчатый процесс зарядки: медленная предварительная зарядка, зарядка постоянным током и зарядка постоянным напряжением. Когда напряжение батареи ниже 2.9 В, он предварительно заряжает батарею низким током; как только напряжение поднимается выше порогового значения, он переключается на быструю зарядку постоянным током; при приближении к полному заряду он переходит в режим поддерживающей зарядки постоянным напряжением и автоматически прекращает зарядку, когда ток падает до 1/10 от заданного значения. Встроенная система терморегулирования автоматически снижает зарядный ток, когда температура перехода чипа превышает 135℃, предотвращая перегрев и обеспечивая максимальную скорость зарядки, что подходит для сценариев зарядки высокой мощности.
2.3 Высокоточное напряжение зарядки с программируемым током зарядки
Благодаря встроенному высокоточному источнику опорного напряжения и резисторному делителю, напряжение плавающего заряда 4.24 В обеспечивает точность ±1%, что соответствует требованиям зарядки литий-ионных и литий-полимерных батарей. Ток зарядки можно гибко регулировать с помощью внешнего резистора, подключенного к выводу PROG, поддерживая до 500 мА. Он может быть подобран под различную емкость батарей для оптимизации скорости зарядки, обладая широкой адаптивностью.
2.4 Режим ожидания с низким энергопотреблением и многоуровневой защитой
Ток покоя в режиме ожидания составляет всего 25 мкА. При отключении входного напряжения устройство переходит в спящий режим с током утечки батареи ниже 1 мкА, что эффективно снижает потери мощности в режиме ожидания и продлевает срок службы батареи. Кроме того, устройство включает в себя множество механизмов защиты, в том числе блокировку при пониженном напряжении (UVLO), ограничение пускового тока при плавном пуске, защиту от обратной полярности батареи и защиту от пониженного напряжения батареи, что повышает надежность работы системы зарядки.
2.5-дюймовый двойной индикатор состояния с функцией автоматической подзарядки
Оснащенный двумя выходными контактами состояния с открытым стоком, CHRG и STDBY, он может визуально отображать различные рабочие состояния, такие как процесс зарядки, завершение зарядки и отсутствие неисправности батареи. Он поддерживает внешние светодиодные индикаторы или подключение к главному контроллеру для определения состояния. Встроенная функция автоматической подзарядки непрерывно контролирует напряжение батареи после завершения зарядки и автоматически запускает новый цикл зарядки, когда напряжение падает ниже порогового значения перезарядки, поддерживая батарею в состоянии, близком к полному заряду, без дополнительного управления.
2.6 Компактный SMD-корпус для портативных устройств
Благодаря использованию сверхкомпактного корпуса SOT23-6 для поверхностного монтажа, устройство имеет малые габариты, поддерживает стандартную автоматизированную SMT-сборку с гарантированным качеством пайки и подходит для компактных печатных плат высокой плотности. Оно широко совместимо с требованиями к конструкции различных небольших портативных электронных устройств.
3 Основные области применения
Благодаря высокой степени интеграции, минимальному количеству внешних компонентов, высокоточной зарядке и комплексным функциям защиты, микросхема SL4057 широко используется в различных портативных устройствах с питанием от одноэлементных литиевых батарей: мобильных телефонах, КПК, MP3/MP4-плеерах, цифровых камерах, электронных словарях, Bluetooth-гарнитурах, GPS-навигаторах, портативных интеллектуальных терминалах и небольших зарядных устройствах для литиевых батарей.
4. Руководящие принципы инженерного проектирования
Настройка зарядного тока : Установите зарядный ток с помощью внешнего резистора между выводом PROG и землей. Выберите сопротивление в соответствии с емкостью батареи: 2 кОм соответствует 500 мА, 5 кОм — 200 мА. Для выбора модели обратитесь к параметрам в техническом описании. Выбор внешних компонентов : Рекомендуется установить керамические конденсаторы 1 мкФ–10 мкФ на входе VCC и выводе BAT соответственно для фильтрации пульсаций питания и стабилизации зарядного напряжения и тока. Тепловая оптимизация : Для сценариев зарядки высокими токами увеличьте площадь рассеивания тепла чипа за счет медной заливки печатной платы, чтобы улучшить непрерывную зарядку и в полной мере использовать запас производительности функции терморегулирования. Конструкция индикаторов состояния : CHRG и STDBY — это выходы с открытым стоком. В приложении требуются внешние подтягивающие резисторы. Они могут напрямую управлять светодиодами или подключаться к портам ввода-вывода микроконтроллера для получения информации о состоянии. Конструкция защиты : Чип имеет встроенную защиту от обратной полярности батареи. Во избежание повреждений от перенапряжения убедитесь, что входное напряжение не превышает верхний предел в 6.5 В. Рекомендуется расширить входные силовые дорожки, чтобы уменьшить влияние потерь в линии на точность зарядки.
5. Краткое описание продукта
Микросхема Slkor SL4057 — это высокоинтегрированная линейная микросхема для зарядки одноэлементных литий-ионных батарей в миниатюрном корпусе SOT23-6. Она включает в себя встроенные силовые транзисторы и схемы измерения, требует минимального количества внешних компонентов и обеспечивает точность зарядного напряжения ±1%, программируемый ток 500 мА и полный трехступенчатый процесс зарядки. Благодаря терморегулированию, автоматической подзарядке, двойной индикации состояния и комплексным функциям защиты, она обеспечивает баланс между производительностью зарядки, энергопотреблением и удобством конструкции, являясь экономичным решением для зарядки различных портативных устройств бытовой электроники с литий-ионными батареями.
Введение СкораСогласно Сун Шицяну, компания Slkor Semiconductor (https://www.slkormicro.comКомпания торжественно открыла свой третий франчайзинговый магазин в Хуацянбэй 14 августа 2026 года. В магазине в основном продаются MOSFET-транзисторы, микросхемы управления питанием, датчики Холла, оптопары, IGBT-транзисторы, компоненты из карбида кремния (SiC), приборы переменного/постоянного тока, TVS-диоды, диоды Шоттки, тиристоры и другие электронные компоненты.SL4057 На страницу продукта
Дискретный мощный IGBT-транзистор Slkor SL50T120FZ: силовой импульсный транзистор промышленного класса на 1200 В.
2026-09-14
260
В мощных силовых электронных системах, таких как промышленные инверторы, сварочные аппараты с инвертором, источники бесперебойного питания (ИБП), преобразователи фотоэлектрической энергии и индукционные нагревательные приборы, выдерживаемое напряжение, пропускная способность по току, теплоотводящие характеристики и широкий диапазон рабочих температур силовых устройств напрямую определяют общую эффективность и эксплуатационную безопасность всего оборудования. Slkor SL50T120FZ — это мощный дискретный IGBT-транзистор (IGBT) в корпусе TO-264. Он обладает высоким сопротивлением коллектор-эмиттер 1200 В, номинальным током 50 А при температуре корпуса 100℃, высокой рассеиваемой мощностью 535 Вт и широким диапазоном рабочих температур перехода от -55℃ до 175℃. Благодаря превосходной выходной мощности при больших нагрузках, низким потерям и высокой термической стабильности, он служит высококачественным отечественным альтернативным силовым устройством для промышленного мощного преобразовательного оборудования.
1. Основные электрические параметры
Тип устройства: Одиночный IGBT-транзистор с дискретным расположением транзисторов. Напряжение коллектор-эмиттер (VCE): 1200 В. Ток коллектора (IC при TC=100℃): 50 А. Общая рассеиваемая мощность (PD при TC=25℃): 535 Вт. Рабочая температура перехода (TJ): -55℃ ~ 175℃. Корпус: TO-264
2. Основные преимущества продукта
2.1 Высоковольтное сопротивление 1200 В с достаточным запасом прочности
Оснащенный высоким выдерживаемым напряжением коллектор-эмиттер 1200 В, SL50T120FZ эффективно подавляет скачки напряжения и импульсные помехи в цепи, значительно снижая риск выхода устройства из строя и поломки. Полностью адаптированный для мощных промышленных преобразователей с входным напряжением 380 В переменного тока, он соответствует строгим требованиям безопасности высоковольтных инверторных систем и обеспечивает выдающуюся устойчивость к ударным напряжениям.
2.2 50А Высокий непрерывный ток для стабильной работы в тяжелых условиях
Устройство поддерживает непрерывный коллекторный ток 50 А даже при высокой температуре корпуса 100℃, демонстрируя превосходные характеристики по пропускной способности при высоких температурах. Оно обеспечивает стабильную выходную мощность в течение длительного времени при полной нагрузке без снижения мощности или недостаточной выходной мощности, идеально соответствуя условиям непрерывной работы с высокими нагрузками сварочных аппаратов, частотных преобразователей и другого промышленного оборудования.
2.3 Корпус TO-264 для высокой мощности, обеспечивающий превосходное рассеивание тепла.
Благодаря использованию стандартного силового блока TO-264 с выводами для монтажа в отверстия и металлическим теплоотводящим основанием большой площади, устройство обладает низким тепловым сопротивлением и может быть плотно установлено с внешними радиаторами для эффективного отвода тепла. Обладая высокой рассеиваемой мощностью в 535 Вт, оно выдерживает экстремальные потери мощности, снижает накопление тепла в условиях высокой нагрузки и значительно повышает долговременную надежность работы всей системы.
2.4 Сверхширокий температурный диапазон адаптации для суровых промышленных условий
Поддерживая сверхширокий диапазон температур перехода от -55℃ до 175℃, SL50T120FZ стабильно работает в условиях экстремально низких температур окружающей среды и в условиях высоких температур в закрытых корпусах. Он устойчив к сильным холодовым и термическим ударам, полностью адаптируясь к сложным и суровым условиям промышленной эксплуатации.
2.5 Оптимизированные характеристики потерь для повышения эффективности системы
Благодаря использованию проверенной технологии полевых затворов с траншейным затвором, устройство обеспечивает баланс между низкими потерями проводимости и низкими потерями при переключении, гарантируя превосходные характеристики высокоскоростного переключения. Оно эффективно снижает тепловые потери при преобразовании энергии, повышает общую эффективность преобразования энергии и снижает затраты на рассеивание тепла в системе.
2.6 Надежная замена отечественным аналогам со стабильным качеством массового производства.
Благодаря отработанной технологии массового производства силовых полупроводниковых компонентов компании Slkor, микросхема SL50T120FZ отличается стабильными электрическими параметрами и высокой устойчивостью к короткому замыканию. Она обеспечивает совместимость по выводам с импортными аналогами IGBT-транзисторов, эффективно решая такие проблемы отрасли, как длительные сроки поставки, недостаточные поставки и высокая стоимость импортных компонентов, что делает её идеальной для крупномасштабного промышленного массового производства.
3 Основные области применения
Благодаря сочетанию высокого сопротивления напряжению, большой токовой нагрузки, превосходного теплоотвода и широкого температурного диапазона, Slkor SL50T120FZ широко применяется в различных мощных силовых электронных устройствах, включая промышленные частотные преобразователи, источники питания сервоприводов, инверторные сварочные аппараты, оборудование для плазменной резки, источники бесперебойного питания (ИБП), фотоэлектрические инверторы, преобразователи энергии для хранения энергии, индукционное нагревательное оборудование, мощные импульсные источники питания, промышленные электроприводы и мощные зарядные устройства.
4. Руководящие принципы инженерного проектирования
Проектирование запаса по напряжению: В практических приложениях следует предусмотреть достаточный запас напряжения. Избегайте длительной эксплуатации вблизи предельного значения 1200 В, чтобы предотвратить повреждение устройства из-за скачков напряжения.
Термическое управление: Оснастите корпус TO-264 радиатором соответствующего класса и равномерно нанесите термопасту. Контролируйте температуру корпуса и температуру перехода во время длительной работы на высокой мощности, чтобы избежать выхода из строя из-за перегрева.
Подбор привода воротПоскольку это IGBT-транзистор с управлением напряжением, для оптимизации скорости переключения, подавления колебаний, снижения потерь при переключении и электромагнитных помех требуется согласование напряжения управления затвором и сопротивления затвора.
Предложение по параллельной операцииДля расширения мощности за счет параллельного соединения следует отбирать устройства с согласованными параметрами и применять схему распределения тока. Для обеспечения сбалансированного распределения тока следует использовать положительный температурный коэффициент падения напряжения насыщения.
Рабочий пределНе допускайте работы за пределами номинального диапазона тока, рассеиваемой мощности и температуры перехода. При работе в импульсном режиме уделяйте особое внимание ширине импульса и условиям тепловыделения.
5. Краткое описание продукта
Slkor SL50T120FZ — это промышленный высокомощный дискретный IGBT-транзистор в корпусе TO-264. Обладая высоким сопротивлением 1200 В, током, выдерживаемым при высоких температурах, мощностью рассеивания 535 Вт и сверхшироким диапазоном рабочих температур перехода от -55℃ до 175℃, он сочетает в себе высокую устойчивость к напряжению, высокую термостойкость при больших нагрузках, превосходное теплоотведение и низкие потери. Он идеально подходит для использования в промышленных инверторах, сварочном оборудовании, системах хранения энергии и мощных источниках питания, являясь экономичной и надежной отечественной альтернативой высокомощным дискретным IGBT-транзисторам.Введение СкораСогласно Сун Шицяну, компания Slkor Semiconductor (https://www.slkormicro.comКомпания торжественно открыла свой третий франчайзинговый магазин в Хуацянбэй 14 августа 2026 года. В магазине в основном продаются MOSFET-транзисторы, микросхемы управления питанием, датчики Холла, оптопары, IGBT-транзисторы, компоненты из карбида кремния (SiC), приборы переменного/постоянного тока, TVS-диоды, диоды Шоттки, тиристоры и другие электронные компоненты.SL50T120FZ На страницу продукта
Датчик Холла Slkor SL1719SH с одним S-полюсом: сверхнизкопотребляющее магнитоуправляемое устройство с наноусилителем.
2026-09-14
260
Для портативной электроники с батарейным питанием, IoT-терминалов и малогабаритной бытовой техники бесконтактные магнитные переключатели предъявляют строгие требования к энергопотреблению в режиме ожидания, устойчивости к магнитным помехам и длительному сроку службы батареи. Механические контактные переключатели подвержены износу и окислению, что приводит к короткому сроку службы и ложным срабатываниям. Slkor SL1719SH — это микромощный датчик Холла с одним S-полюсом в корпусе TO-92S для монтажа в отверстия. Он реагирует только на магнитное поле S-полюса, отличается сверхнизким средним рабочим током 0.9 мкА при прерывистом сканировании 25 Гц и максимальным напряжением питания 5.5 В. Благодаря сверхнизкому энергопотреблению в режиме ожидания, направленному обнаружению магнитных полюсов и стабильному выходному сигналу переключения, он служит экономичным отечественным сенсорным чипом для бесконтактного определения положения и определения открытия/закрытия в устройствах с батарейным питанием.
1. Основные электрические параметры
Тип устройства: Однополюсный датчик Холла с S-образным контактом. Полярность: Только S-полюс (срабатывает только от магнитного поля S-полюса). Напряжение питания (VDD): 5.5 В. Средний рабочий ток (IDD): 0.9 мкА. Частота сканирования: 25 Гц. Корпус: TO-92S
2. Основные преимущества продукта
2.1 Направленное S-образное зондирование с высокой помехоустойчивостью
Микросхема реагирует только на сигналы магнитного поля S-полюса; магнитное поле N-полюса не вызывает срабатывания. Это эффективно предотвращает ложные срабатывания, вызванные блуждающими магнитными полями или установкой магнитов с обратной полярностью. Идеально подходит для конструкций с фиксированной полярностью магнитов, повышает общую надежность обнаружения в системе.
2.2 Низкое энергопотребление на уровне наноампер продлевает срок службы батареи
Благодаря использованию механизма прерывистого сканирования в режиме сна и пробуждения, средний рабочий ток составляет всего 0.9 мкА. Чрезвычайно низкое статическое энергопотребление значительно снижает расход энергии в оборудовании с батарейным питанием и существенно продлевает срок службы конечных изделий, работающих на сухих элементах питания и литий-ионных батареях.
2.3 25 Гц Низкоскоростное сканирование, оптимизированное для определения положения открытия/закрытия
Частота дискретизации 25 Гц предназначена для обнаружения состояния на низких скоростях, отвечая требованиям к определению состояния открытия/закрытия, положения предельных точек и наличия магнита. Она не подходит для сценариев с быстро меняющимися магнитными полями и обеспечивает превосходную производительность в приложениях с низким энергопотреблением.
2.4 Корпус TO-92S для сквозного монтажа, обеспечивающий удобство сборки и отладки.
Стандартный 3-контактный корпус TO-92S для сквозного монтажа отличается отработанным процессом пайки, удобством ручной сварки и возможностью массового производства печатных плат со сквозным монтажом. Он может напрямую заменить традиционные герконовые и механические контактные переключатели.
2.5 Широкий диапазон напряжения и стабильная выходная мощность
Максимальное напряжение питания достигает 5.5 В, что совместимо с системами на основе литиевых батарей, а также микроконтроллеров с напряжением 3.3 В и 5 В. Встроенная схема температурной компенсации минимизирует дрейф точки переключения при изменении температуры. Выход CMOS с двухтактной схемой может напрямую подключаться к выводам ввода/вывода микроконтроллера без дополнительных подтягивающих резисторов.
2.6. Устоявшееся решение для внутреннего рынка со стабильными поставками.
Прошедшая сертификацию для серийного производства микросхема Slkor SL1719SH гарантирует стабильные параметры и превосходную защиту от электростатического разряда. Она обеспечивает совместимость выводов с аналогичными однополюсными маломощными датчиками Холла, используемыми за рубежом, что снижает такие проблемы, как длительный срок поставки и высокая стоимость импортных компонентов для крупномасштабных проектов потребительского класса.
3 Основные области применения
Благодаря однополюсному датчику, малому энергопотреблению и корпусу для монтажа в отверстия, микросхема SL1719SH широко применяется в устройствах с батарейным питанием: обнаружение открытия/закрытия зарядного кейса, магнитные переключатели для малогабаритной бытовой техники, интеллектуальные дверные замки, мониторинг положения клапанов, расходомеры воды/газа, беспроводные датчики дверных магнитов, маломощные сенсорные узлы IoT, датчики предельных значений для игрушек, портативные измерительные приборы и различные бесконтактные бесконтактные переключатели.
4. Руководящие принципы инженерного проектирования
Согласование магнитных полюсовДанное устройство реагирует только на S-полюс. При проектировании оборудования убедитесь, что S-полюс направлен к чувствительной поверхности чипа; N-полюс не может вызвать выходной сигнал. Дважды проверьте ориентацию крепления магнита.
Уведомление о мощности и частотеДатчик работает в режиме прерывистого сканирования с частотой 25 Гц и предназначен только для определения состояния на низких скоростях. Не используйте его в условиях быстро меняющегося магнитного поля.
Конструкция источника питанияНе превышайте напряжение питания 5.5 В. Установите развязывающий конденсатор рядом с выводом питания для подавления помех от источника питания.
Выходное соединениеВыход с двухтактной схемой; внешний подтягивающий резистор не требуется. Для считывания уровня подключайте напрямую к портам ввода-вывода микроконтроллера.
Расстояние от магнита до чипаДля обеспечения достаточной напряженности магнитного поля и надежного срабатывания необходимо правильно установить зазор между магнитом и датчиком.
Диапазон температурРабочая температура: от -40 ℃ до +85 ℃. Избегайте эксплуатации за пределами этого температурного диапазона.
5. Краткое описание продукта
Slkor SL1719SH — это маломощный однополюсный датчик Холла в корпусе TO-92S. Он поддерживает максимальное напряжение питания 5.5 В, сверхнизкий рабочий ток 0.9 мкА и частоту сканирования 25 Гц. Срабатывает исключительно от магнитного поля S-полюса, отличается хорошей устойчивостью к рассеянному магнитному полю и сверхнизким энергопотреблением. Идеально подходит для бесконтактного открытия/закрытия и определения положения в оборудовании с батарейным питанием, являясь отличной заменой механическим и герконовым переключателям в бытовом применении.Введение СкораПо словам Сун Шицяна, Slkor Semiconductor (https://www.slkormicro.comКомпания торжественно открыла свой третий франчайзинговый магазин в Хуацянбэй 14 августа 2026 года. В магазине в основном продаются MOSFET-транзисторы, микросхемы управления питанием, датчики Холла, оптопары, IGBT-транзисторы, компоненты из карбида кремния (SiC), приборы переменного/постоянного тока, TVS-диоды, диоды Шоттки, тиристоры и другие электронные компоненты.SL1719SH На страницу продукта
Аудиоусилитель мощности Slkor PAM8403 класса D: высокоэффективный стереофонический SMD-усилитель мощности.
2026-09-05
239
В потребительских аудиоустройствах, таких как Bluetooth-колонки, портативные плееры, ноутбуки и небольшие бытовые устройства с голосовым управлением, эффективность преобразования, тепловыделение, сложность периферийных схем и адаптивность напряжения микросхем усилителей мощности напрямую определяют общее качество звука, время работы от батареи и сложность компоновки печатной платы оконечного оборудования. Традиционные усилители мощности класса AB страдают от высокого тепловыделения и низкой эффективности, требуют многочисленных периферийных компонентов и препятствуют миниатюризации. Slkor PAM8403 — это стереофонический аудиоусилитель мощности класса D без фильтров, выполненный в корпусе SOP-16. Он обеспечивает выходную мощность до 3 Вт на одном канале, поддерживает широкий диапазон напряжения питания от -0.3 В до 5.5 В и отличается низким рабочим током и сверхнизким током в режиме ожидания. Благодаря преимуществам высокой эффективности, низкого тепловыделения и минимального количества периферийных компонентов, он служит экономичным решением для бытовых усилителей аудиоустройств с батарейным питанием.
1. Основные параметры продукта
Тип устройства: Стереофонический аудиоусилитель мощности класса D. Напряжение питания (VDD): -0.3 В ~ 5.5 В. Рабочая температура (TA): -40℃ ~ 85℃. Выходная мощность одного канала (Po): 3 Вт. Ток покоя (IDD): 6.3 мА. Ток в режиме ожидания (ISD): 16 мкА. Корпус: SOP-16
2. Основные преимущества продукта
2.1 Безфильтровая архитектура класса D упрощает проектирование оборудования
Благодаря запатентованной конструкции без фильтров, PAM8403 может напрямую управлять акустическими системами без традиционных цепей низкочастотного фильтра на выходе. Это значительно сокращает количество периферийных компонентов в спецификации, экономит ценное место на печатной плате, снижает общие затраты на материалы и сокращает циклы разработки продукта, идеально соответствуя тенденциям в разработке легких и миниатюрных аудиоустройств.
2.2 Высокая эффективность преобразования и низкое тепловыделение продлевают срок службы батареи
Благодаря максимальной эффективности преобразования в 90%, этот чип эффективно снижает потери мощности по сравнению с обычными усилителями класса AB. Он выделяет крайне мало тепла во время работы и в большинстве рабочих условий не требует дополнительного радиатора. Идеально подходит для портативных устройств с литиевыми батареями 3.7 В и питанием от USB 5 В, значительно повышая время автономной работы оборудования и эффективность использования батареи.
2.3 Широкий диапазон адаптации к напряжению. Совместимость с основными системами электропитания.
Поддерживая широкий диапазон напряжений от -0.3 В до 5.5 В, микросхема полностью совместима с основными источниками питания, такими как литиевые батареи и USB-источники питания 5 В. Оснащенная независимым выводом управления выключением, она снижает ток в режиме ожидания до всего 16 мкА в спящем режиме, эффективно уменьшая энергопотребление в режиме ожидания и отвечая требованиям к низкому энергопотреблению портативных электронных устройств.
2.4 Низкий уровень искажений и шума для чистого качества звука
Микросхема PAM8403 обеспечивает сверхнизкий уровень суммарных гармонических искажений (THD+N) и минимальный уровень фонового шума, гарантируя чистое стереозвучание. Встроенные функции защиты от короткого замыкания и защиты от перегрева эффективно предотвращают повреждение микросхемы, вызванное ненормальными условиями эксплуатации, значительно повышая стабильность и срок службы аудиооборудования.
2.5 Стандартный корпус SOP-16 для массового производства
Устройство, выполненное в стандартном форм-факторе SOP-16 SMD, поддерживает автоматизированный поверхностный монтаж благодаря отработанной технологии пайки и имеет компактные размеры, что делает его подходящим для высокоплотной компоновки печатных плат. Проверенное в крупномасштабном серийном производстве, Slkor PAM8403 отличается стабильной стабильностью параметров и совместимостью выводов с импортными аналогами. Оно решает проблемы отрасли, связанные с длительными сроками поставки и высокой стоимостью импортных устройств, обеспечивая стабильные поставки в серийном производстве.
3 Основные области применения
Благодаря сочетанию высокой эффективности, низкого энергопотребления, низкого уровня шума и простой периферийной схемы, Slkor PAM8403 широко используется в различных сценариях стереофонического аудио с низким энергопотреблением: портативные Bluetooth-колонки, аудиовыходы для ноутбуков, звуковые системы для дисплеев и телевизоров, портативные DVD-плееры, игровые приставки, системы громкой связи для раций, голосовые суфлеры для небольших бытовых приборов, умные игрушки, самодельные аудиомодули, мини-колонки с питанием от USB и терминалы голосового вещания IoT.
4. Руководящие принципы инженерного проектирования
Конструкция блока питанияНе превышайте максимально допустимое напряжение питания 5.5 В. Размещайте развязывающие конденсаторы рядом с выводами питания для подавления помех питания и оптимизации фонового шума звука.
Соответствие нагрузкиРекомендуется использовать с акустическими системами сопротивлением 4–8 Ом. При питании от источника 5 В обеспечивает стабильную выходную мощность 3 Вт при нагрузке 4 Ом.
Управление выводом из строяКонтакт выключения может управляться микроконтроллером для реализации переключения в спящий режим, что эффективно снижает энергопотребление системы в режиме ожидания.
Макет печатной платы: Используйте короткие и толстые дорожки выходного напряжения. Изолируйте входные аудиодорожки от силовых петель, чтобы избежать электромагнитных помех и звукового шума.
Инструкции по защитеВстроенная защита от короткого замыкания и перегрева предназначена только для предотвращения неисправностей. Не используйте микросхему в условиях длительного короткого замыкания.
Диапазон температурНормальный диапазон рабочих температур составляет от -40℃ до 85℃. Эксплуатация за пределами указанного диапазона запрещена для обеспечения стабильной работы.
5. Краткое описание продукта
Микросхема Slkor PAM8403 — это двухканальный аудиоусилитель класса D мощностью 3 Вт в корпусе SOP-16, отличающийся широким диапазоном поддерживаемого напряжения (-0.3 В ~ 5.5 В), низким рабочим током (6.3 мА), сверхнизким током отключения (16 мкА) и широкой температурной адаптацией (-40 ~ 85 ℃). Благодаря архитектуре без фильтров, высокой эффективности, низкому тепловыделению и минимальному количеству периферийных компонентов, она обеспечивает баланс между превосходным качеством звука и низким энергопотреблением. Это предпочтительное экономичное решение для потребительской электроники, заменяющее различные миниатюрные стереофонические аудиоустройства с USB-портом и питанием от батарей.
Высокочастотный малошумящий радиочастотный транзистор Slkor BFR360F: устройство усиления микроволнового сигнала в корпусе SOT-323.
2026-09-08
271
В высокочастотных схемных системах, таких как беспроводная связь, микроволновая генерация, радиочастотный прием и обработка сигналов кабельного телевидения, шумовые характеристики, адаптивность к частотному диапазону, линейность сигнала и паразитные параметры устройств существенно влияют на качество передачи сигнала и стабильность работы всего оборудования. Традиционные транзисторы общего назначения имеют ограниченные высокочастотные характеристики с относительно высоким уровнем шума и большими паразитными параметрами перехода, что делает их непригодными для усиления слабых сигналов в цепях гигагерцового диапазона. Slkor BFR360F — это кремниевый NPN-транзистор для микроволновых и радиочастотных цепей, выполненный в компактном форм-факторе SOT-323 SMD. Оптимизированный для работы на высоких частотах с низким током и совместимый с распространенными системами питания постоянного тока 3.3–5 В, он широко применяется в схемах высокочастотного усиления и микроволновой генерации, являясь хорошо зарекомендовавшим себя отечественным устройством для проектирования высокочастотных радиочастотных схем для гражданского применения.
1. Основные параметры продукта
Тип устройства: NPN высокочастотный ВЧ транзистор Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): 6 В Ток коллектора (IC): 35 мА Рассеиваемая мощность (PD): 300 мВт Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)): 6 В Частота перехода (fT): 12 ГГц Корпус: SOT-323
2. Основные характеристики продукта
2.1 Превосходные малошумные радиочастотные характеристики
Устройство имеет коэффициент шума приблизительно 1.0 дБ на частоте 1.8 ГГц, обеспечивая надежное подавление шума. Оно эффективно снижает фоновые шумы в радиочастотных цепях, четко усиливает слабые высокочастотные сигналы и повышает точность сигнала и чувствительность приема радиочастотных приемных цепей, что делает его подходящим для различных сценариев высокоточной обработки высокочастотных сигналов.
2.2 Широкополосная высокочастотная адаптивность
Благодаря частоте перехода 12 ГГц устройство демонстрирует стабильную высокочастотную характеристику. Оно поддерживает усиление сигнала для генераторных цепей в диапазоне 4.0 ГГц, охватывая основные гражданские радиочастотные и микроволновые диапазоны. Устройство выполняет множество схемных функций, включая усиление сигнала, генератор цепей и смешивание сигналов, с универсальной адаптацией к различным сценариям использования.
2.3 Стабильный выходной сигнал с оптимизированными электрическими характеристиками
Благодаря низкому току утечки и малой емкости перехода, устройство снижает затухание сигнала и фазовые отклонения при работе на высоких частотах. Обладая умеренным динамическим диапазоном и хорошей линейностью тока, оно поддерживает низкий уровень искажений сигнала и плавные выходные сигналы, обеспечивая стабильную работу высокочастотных цепей.
2.4 Совместимость с традиционными низковольтными системами
Предназначенное для питания от источника постоянного тока с напряжением коллектора 3.3–5 В, это устройство соответствует основным архитектурам питания бытовой электроники, миниатюрных беспроводных устройств и модулей IoT. Благодаря номинальному рабочему току 35 мА, оно подходит для непрерывной работы с низким током и поддерживает разработку легких, маломощных высокочастотных схем.
2.5 Миниатюрный корпус для миниатюрного массового производства
Благодаря компактному корпусу SOT-323 SMD, устройство занимает минимальное пространство на печатной плате и поддерживает автоматизированный поверхностный монтаж с гарантированной стабильной пайкой для массового производства. Разработанное на основе отработанного производственного процесса Slkor, оно обеспечивает стабильные параметры и совместимость по выводам с импортными аналогами, отличаясь стабильными поставками и выгодным соотношением цены и качества.
3 Основные области применения
Благодаря надежной работе на высоких частотах, низкому уровню шума и стабильному линейному выходному сигналу, Slkor BFR360F широко используется в гражданских высокочастотных микроволновых схемах, включая модули усиления сигнала кабельного телевидения, схемы настройки и приема спутникового телевидения, радиочастотные блоки для беспроводных домофонов, модули беспроводной телефонной связи, индукционные схемы радаров, модули беспроводного дистанционного управления и передачи данных, системы радиочастотной идентификации RFID, схемы усиления сигнала оптоволоконной связи, а также усилители, генераторы, смесители и детекторы для диапазонов VHF и UHF. Он хорошо подходит для малогабаритных высокочастотных беспроводных устройств, питаемых от напряжения 3.3–5 В.
4. Руководящие принципы инженерного проектирования
Соответствие условиям эксплуатацииОптимизирован для работы в условиях низкого напряжения, низкого тока и высокой частоты. Конструкция разработана строго в соответствии с номинальными параметрами напряжения, тока и мощности для обеспечения долговременной стабильности работы.
Оптимизация компоновки печатной платыВысокочастотные цепи чувствительны к проводке. Для минимизации паразитных помех на высокочастотных сигналах необходимо обеспечить короткие и аккуратные входные и выходные дорожки ВЧ-сигнала с надлежащим согласованием импеданса.
Снижение уровня шума источника питанияДля фильтрации помех от источника питания, подавления перекрестных помех от цифровых схем и обеспечения чистого радиочастотного сигнала следует использовать высокочастотные развязывающие конденсаторы вблизи выводов питания.
Защита от электростатического разрядаВысокочастотные полупроводниковые приборы чувствительны к статическому электричеству. Для предотвращения ухудшения характеристик из-за статического разряда во время сварки и сборки необходимы стандартные процедуры защиты от электростатического разряда.
5. Краткое описание продукта
Транзистор Slkor BFR360F — это NPN-транзистор для высокочастотных применений в гражданской электронике. Благодаря частоте перехода 12 ГГц, низкому уровню шума 1.0 дБ на частоте 1.8 ГГц, стабильной линейности тока и малой емкости перехода, он поддерживает усиление микроволновых сигналов и генерацию в диапазоне 4 ГГц. Совместим с низковольтным источником питания 3.3–5 В и выполнен в миниатюрном корпусе SOT-323, он сочетает в себе превосходные характеристики, компактные размеры и практичность. Являясь надежной заменой в отечественной электронике, он обеспечивает превосходную адаптивность для миниатюрного беспроводного высокочастотного оборудования и проектирования малосигнальных схем для гражданской электроники.Введение СкораПо словам Сун Шицяна, Slkor Semiconductor (https://www.slkormicro.comКомпания торжественно открыла свой третий франчайзинговый магазин в Хуацянбэй 14 августа 2026 года. В магазине в основном продаются MOSFET-транзисторы, микросхемы управления питанием, датчики Холла, оптопары, IGBT-транзисторы, компоненты из карбида кремния (SiC), приборы переменного/постоянного тока, TVS-диоды, диоды Шоттки, тиристоры и другие электронные компоненты.BFR360F На страницу продукта
Дискретный IGBT-транзистор Slkor SL15T65FK: силовой прибор промышленного класса на 15 А для управления двигателями в корпусе TO-263.
2026-09-08
241
В силовых электронных системах, таких как промышленные электроприводы, системы регулирования частоты и малогабаритные инверторы, долговечность, коммутационные характеристики, поведение при повышении температуры и помехоустойчивость IGBT-транзисторов напрямую влияют на стабильность работы и срок службы всего оборудования. Slkor SL15T65FK — это дискретный IGBT-транзистор, разработанный для сценариев промышленного управления. Выполненный в корпусе TO-263, он имеет напряжение коллектор-эмиттер 650 В, непрерывный коллекторный ток 15 А при температуре корпуса 100℃, номинальную рассеиваемую мощность 182 Вт при температуре окружающей среды 25℃ и широкий диапазон температур перехода от -40℃ до 175℃. Благодаря положительному температурному коэффициенту напряжения насыщения, быстрому восстановлению и низкому уровню электромагнитных помех, он подходит для промышленных сценариев, таких как инверторы управления двигателями, и является экономичным решением для коммутации мощности в промышленных приводных системах малой и средней мощности.
1. Основные параметры продукта
Тип устройства: дискретный IGBT-транзистор (со встроенным антипараллельным диодом)Напряжение коллектор-эмиттер (VCE): 650 ВТок коллектора (IC при TC=100℃): 15 АОбщая рассеиваемая мощность (PD при TC=25℃): 182 ВтДиапазон рабочих температур перехода (TJ): -40℃ ~ 175℃Пакет: ТО-263
2. Основные преимущества продукта
2.1 Высокопрочная конструкция для длительной промышленной эксплуатации
Конструкция устройства и технологический процесс оптимизированы для сценариев непрерывной работы, таких как управление промышленными двигателями, что повышает ударопрочность и долговременную надежность устройства. Оно адаптируется к промышленным условиям работы с частыми запусками-остановками и колебаниями нагрузки, обеспечивая долговременную стабильную работу оборудования.
2.2 Положительный температурный коэффициент VCE(sat) для сбалансированного параллельного распределения тока
Падение напряжения насыщения характеризуется положительным температурным коэффициентом, который возрастает с повышением температуры устройства. При параллельном подключении нескольких устройств это позволяет автоматически балансировать ток каждого устройства, снижая риск локального перегрева, вызванного смещением тока, и повышая стабильность работы многоустройственных параллельных систем.
2.3 Диод с мягким и быстрым восстановлением и антипараллельным расположением для снижения коммутационной нагрузки
Встроенный антипараллельный диод обладает мягкими характеристиками восстановления и высокой скоростью восстановления. Он эффективно подавляет скачки напряжения и тока во время обратного восстановления, снижает коммутационную нагрузку устройства и уменьшает потери, вызванные процессом восстановления диода, повышая общую эффективность преобразования энергии.
2.4 Низкий уровень электромагнитных помех для оптимизации характеристик электромагнитной совместимости системы
Плавный процесс переключения позволяет эффективно снизить значения di/dt и dv/dt в цепи, уменьшить генерацию электромагнитных помех, упростить проектирование ЭМС-фильтрации системы и адаптироваться к сценариям промышленного управления с высокими требованиями к электромагнитной совместимости.
2.5 Широкий диапазон температур перехода для высокой адаптивности к окружающей среде
Поддерживая диапазон температур перехода от -40℃ до 175℃, он может адаптироваться к колебаниям температуры в различных условиях эксплуатации, стабильно работать даже в средах с высоким повышением температуры внутри корпуса и удовлетворять требованиям как запуска при низких температурах, так и работы при высоких температурах и больших нагрузках.
Корпус TO-263 SMD 2.6 с превосходным теплоотводом и совместимостью при сборке.
Благодаря использованию корпуса TO-263 для поверхностного монтажа, металлическая теплоотводящая база может быть непосредственно прикреплена к области теплоотвода печатной платы или к внешнему радиатору, обеспечивая короткий путь теплопроводности и превосходную эффективность рассеивания тепла. Кроме того, она совместима с автоматизированными процессами поверхностного монтажа и подходит для серийного промышленного производства.
3 Основные области применения
Благодаря своей долговечности, превосходным диодным характеристикам и низкому уровню помех, SL15T65FK в основном используется в различных сценариях управления двигателями малой и средней мощности и инверторами: преобразователи частоты для промышленных двигателей, сервоприводы, маломощные источники питания инверторов, контроллеры частотного регулирования бытовой техники, схемы регулирования скорости электроинструментов, микроинверторы для фотоэлектрических систем, силовые каскады ИБП и т. д.
4. Руководящие принципы инженерного проектирования
Запас по напряжению : В практических приложениях рекомендуется закладывать соответствующий запас по напряжению, избегать длительной работы вблизи номинального выдерживаемого напряжения и снижать риск пробоя, вызванного скачками напряжения. Тепловая схема : Корпус TO-263 должен быть подобран с соответствующей схемой рассеивания тепла в соответствии с фактическим рабочим током и коэффициентом заполнения, чтобы обеспечить температуру перехода устройства в заданном диапазоне и повысить надежность работы. Подбор параметров управления : Выберите соответствующие параметры управления затвором для балансировки скорости переключения и уровня электромагнитных помех, учитывая как потери устройства, так и электромагнитную совместимость системы. Параллельное подключение : При параллельном подключении нескольких устройств можно использовать положительный температурный коэффициент устройства, и предпочтение следует отдавать устройствам с хорошей согласованностью параметров для обеспечения эффекта распределения тока. Применение диодов : Встроенный антипараллельный диод может использоваться в сценариях свободного хода. Если необходимо выдерживать большие скачки обратного тока, параметры диода следует проверить в сочетании с фактическими условиями работы.
5. Краткое описание продукта
Slkor SL15T65FK — это дискретный IGBT-транзистор промышленного класса в корпусе TO-263. Он обладает выдерживаемым напряжением 650 В, током пропускания 15 А при температуре корпуса 100℃ и максимальной температурой перехода 175℃. Благодаря положительному температурному коэффициенту напряжения насыщения, быстрому восстановлению и антипараллельному диоду, а также низким электромагнитным помехам, он обеспечивает исключительную долговечность. Подходит для различных сценариев применения в маломощной и среднемощной промышленной силовой электронике, таких как инверторы управления двигателями, и является надежным выбором среди отечественных силовых устройств, обеспечивающих баланс между производительностью и стоимостью.
Введение СкораПо словам Сун Шицяна, Slkor Semiconductor (https://www.slkormicro.comКомпания торжественно открыла свой третий франчайзинговый магазин в Хуацянбэй 14 августа 2026 года. В магазине в основном продаются MOSFET-транзисторы, микросхемы управления питанием, датчики Холла, оптопары, IGBT-транзисторы, компоненты из карбида кремния (SiC), приборы переменного/постоянного тока, TVS-диоды, диоды Шоттки, тиристоры и другие электронные компоненты.SL15T65FK На страницу продукта
Диод общего назначения Slkor SM4007PL (A7): маломощный выпрямитель в пластиковом корпусе SOD-123, напряжение 1000 В.
2026-09-09
256
В маломощных импульсных источниках питания, адаптерах бытовой электроники, драйверах светодиодов, зарядных устройствах для батарей и других схемах выпрямительные диоды играют ключевую роль в преобразовании переменного тока в постоянный и блокировке обратного тока. Выдерживаемое напряжение, характеристики утечки, устойчивость к импульсным перенапряжениям и надежность корпуса устройства напрямую влияют на стабильность работы и срок службы системы электропитания. Slkor SM4007PL (рыночная модель: A7) — это универсальный выпрямительный диод в пластиковом корпусе миниатюрного типа SOD-123. Он имеет номинальное пиковое обратное напряжение 1000 В, поддерживает средний прямой выпрямленный ток 1.0 А, обеспечивает низкую обратную утечку, высокую устойчивость к импульсным перенапряжениям и совместимость с высокотемпературной пайкой. Подходит для различных сценариев выпрямления малой мощности и является экономичным решением для бытовой электроники и вспомогательных источников питания в промышленности.
1. Основные параметры продукта
Тип устройства: Универсальный выпрямительный диод в пластиковом корпусе
Повторяющееся пиковое обратное напряжение (VRRM): 1000 В
Блокирующее напряжение постоянного тока (В постоянного тока): 1000 В
Средний прямой выпрямленный ток (IO(AV), TA=75℃): 1.0А
Пиковый импульсный ток в прямом направлении (IFSM): 30 А
Типичное прямое напряжение (VF, при 1.0 А): 1.1 В
Типичное время обратного восстановления (trr): 30 мкс
Диапазон рабочих температур перехода (TJ): -50℃ ~ +175℃
Упаковка: пластиковая капсула SOD-123
2. Основные характеристики продукта
2.1 Выдерживаемое напряжение 1000 В для сценариев общего выпрямления
Благодаря номинальному обратному выдерживаемому напряжению 1000 В, он удовлетворяет требованиям к выпрямлению на входе большинства маломощных автономных источников питания и адаптеров. Он может использоваться в различных топологиях, таких как однодиодное выпрямление и мостовое выпрямление, и адаптируется к условиям выпрямления высокого напряжения на стороне переменного тока, что обеспечивает широкую область применения.
2.2 Низкий уровень обратной утечки для снижения потерь в режиме ожидания
Устройство отличается низким обратным током утечки, обеспечивая минимальные потери на утечку при номинальном блокирующем напряжении. Это помогает снизить энергопотребление энергосистем в режиме ожидания и повысить общую энергоэффективность. При этом увеличение тока утечки в условиях высоких температур хорошо контролируется, обеспечивая эффективность выпрямления в высокотемпературной среде.
2.3 Высокая устойчивость к импульсным перепадам напряжения при запуске
Благодаря допустимому пиковому прямому импульсному току в 30 А, устройство способно выдерживать пусковой ток при включении, снижая риск повреждения устройства из-за пусковых скачков и повышая долговременную эксплуатационную надежность всего оборудования.
2.4 Надежный процесс формования для массового производства
Благодаря использованию технологии формования пластика без пустот, пластиковый корпус соответствует классу огнестойкости UL 94V-0 и обладает превосходными показателями безопасности. Он поддерживает высокотемпературную пайку при 250℃ в течение 10 секунд, совместим со стандартными процессами волновой пайки и пайки оплавлением, а также соответствует соответствующим стандартам паяемости и подходит для автоматизированного массового производства SMT-компонентов. Осевая конструкция выводов обеспечивает гибкие варианты монтажа, а компактные размеры и малый вес позволяют использовать его на компактных печатных платах.
2.5 Широкий диапазон температур перехода для высокой адаптивности к окружающей среде
Поддерживая диапазон температур перехода от -50℃ до +175℃, он адаптируется к колебаниям температуры в различных регионах и условиях эксплуатации, отвечает требованиям как запуска при низких температурах, так и работы при высокой температуре и полной нагрузке, а также стабильно работает в бытовой электронике, вспомогательном промышленном электропитании и других сценариях.
3 Основные области применения
Благодаря сбалансированным электрическим характеристикам и надежному пластиковому корпусу, микросхема SM4007PL (A7) широко используется в различных сценариях маломощного выпрямления: импульсные источники питания малой мощности, адаптеры питания, зарядные устройства для мобильных телефонов, источники питания для светодиодов, схемы зарядки аккумуляторов, выпрямительные блоки в платах управления бытовой техникой, силовые модули для малой бытовой техники, схемы выпрямления сигналов, входное выпрямление промышленных вспомогательных источников питания и т. д.
4. Руководящие принципы инженерного проектирования
Технические характеристики пайки : При пайке следует использовать высокотемпературный режим 250℃ в течение 10 секунд. Избегайте длительной пайки при высокой температуре, чтобы предотвратить повреждение пластикового корпуса и дрейф характеристик устройства. Запас по напряжению : В практических приложениях рекомендуется закладывать соответствующий запас по напряжению, избегать длительной работы вблизи номинального выдерживаемого напряжения и снижать риск пробоя, вызванного скачками напряжения. Тепловая схема : Для номинального тока 1.0 А тепловая схема должна проектироваться в соответствии с фактическим рабочим циклом, чтобы обеспечить температуру перехода устройства в заданном диапазоне и повысить долговременную стабильность работы. Параллельная работа : При параллельном использовании нескольких устройств рекомендуется выбирать устройства с хорошей согласованностью параметров и, при необходимости, применять меры по распределению тока для обеспечения сбалансированного распределения тока. Хранение и обращение : Поскольку это полупроводниковое устройство в пластиковом корпусе, следует уделять внимание защите от влаги и механических нагрузок во время хранения и сборки, чтобы избежать деформации выводов и повреждения пластикового корпуса.
5. Краткое описание продукта
Slkor SM4007PL (A7) — это универсальный выпрямительный диод в пластиковом корпусе SOD-123. Он обладает обратным выдерживаемым напряжением 1000 В, возможностью прямого выпрямления до 1.0 А и устойчивостью к импульсным перенапряжениям до 30 А, а также низким обратным током утечки, надежным огнестойким пластиковым корпусом и широким диапазоном рабочих температур. Благодаря сбалансированным параметрам и отработанной технологии, он может широко применяться в различных маломощных источниках питания и выпрямительных схемах, являясь надежным и экономичным отечественным устройством для сценариев маломощного выпрямления.Введение СкораПо словам Сун Шицяна, Slkor Semiconductor (https://www.slkormicro.comКомпания торжественно открыла свой третий франчайзинговый магазин в Хуацянбэй 14 августа 2026 года. В магазине в основном продаются MOSFET-транзисторы, микросхемы управления питанием, датчики Холла, оптопары, IGBT-транзисторы, компоненты из карбида кремния (SiC), приборы переменного/постоянного тока, TVS-диоды, диоды Шоттки, тиристоры и другие электронные компоненты.SM4007PL A7 К странице продукта
Диод общего назначения Slkor S2M: кремниевый выпрямитель для поверхностного монтажа, 1000 В, 2 А, в корпусе SMA.
2026-09-10
253
В силовых электронных схемах, таких как импульсные источники питания, адаптеры питания, платы управления бытовой техникой и драйверы светодиодов, выпрямительные диоды выполняют основную функцию преобразования переменного тока в постоянный, а устройства поверхностного монтажа становятся все более выгодными для миниатюризации продукции и автоматизированного массового производства. Slkor S2M — это кремниевый выпрямительный диод общего назначения для поверхностного монтажа в корпусе SMA. Благодаря стеклянной пассивированной кристаллической структуре он обеспечивает максимальное повторяющееся пиковое обратное напряжение 1000 В и средний прямой выпрямленный ток 2 А. Низкий обратный ток утечки, высокая устойчивость к импульсным перенапряжениям и соответствие требованиям RoHS, бессвинцовая конструкция позволяют использовать его в высокоплотном SMT-производстве и служат высоконадежным решением для отечественных устройств в сценариях выпрямления малой и средней мощности.
1. Основные параметры продукта
Тип устройства: Кремниевый выпрямительный диод общего назначения для поверхностного монтажа
Максимальное повторяющееся пиковое обратное напряжение (VRRM): 1000 В
Максимальное блокирующее напряжение постоянного тока (В постоянного тока): 1000 В
Максимально возможный средний прямой выпрямленный ток (IF(AV)): 2 А
Пиковый импульсный ток в прямом направлении (IFSM, 8.3 мс, одиночная полусинусоидальная волна): 50 А
Прямое напряжение (VF, при 2 А): 1.1 В
Обратный постоянный ток (IR, при номинальном напряжении 25°C): 5 мкА
Типичная емкость перехода (CJ): 25 пФ
Термостойкость (RθJA): 65°C/Вт
Диапазон рабочих температур перехода и температуры хранения: от -55℃ до +150℃
Корпус: пластиковый корпус для поверхностного монтажа SMA.
2. Основные преимущества продукта
2.1. Переход кристалла с пассивацией стеклом для стабильной и надежной работы.
Благодаря использованию технологии пассивации кристалла стеклом, устройство оптимизирует обратные характеристики и обеспечивает стабильность при высоких температурах. Оно обеспечивает превосходный контроль обратной утечки, снижает дрейф характеристик при длительной работе, повышает надежность непрерывной работы и подходит для выпрямительных приложений с длительным временем работы от сети.
2.2. Выдерживаемое напряжение 1000 В и номинальный ток 2 А соответствуют основным потребностям в выпрямлении.
Благодаря повторяющемуся пиковому обратному напряжению 1000 В и среднему прямому выпрямленному току 2 А, он соответствует требованиям мостового и однодиодного выпрямления большинства маломощных и среднемощных автономных источников питания и адаптеров. Он адаптируется к условиям выпрямления высокого напряжения на стороне переменного тока и применяется в широком диапазоне сценариев.
2.3 Высокая устойчивость к импульсным перепадам напряжения при запуске
Он выдерживает пиковый импульсный ток до 50 А в условиях одноимённой полусинусоидальной волны длительностью 8.3 мс, противостоит пусковому току при включении питания, снижает риск повреждения устройства из-за скачков пускового тока и повышает долговременную надежность всей системы.
2.4 Низкопрофильный SMD-корпус SMA для автоматизированного массового производства
Низкопрофильный корпус SMA для поверхностного монтажа отличается компактными размерами, экономит место на печатной плате и поддерживает проектирование схем высокой плотности. Форм-фактор устройства упрощает монтаж методом «захват и размещение», совместим со стандартными процессами пайки оплавлением SMT и соответствует директиве ЕС RoHS 2011/65/EU о бессвинцовой пайке, что делает его пригодным для крупномасштабного автоматизированного производства.
2.5 Широкий температурный диапазон для высокой адаптации к окружающей среде
Поддерживая диапазон рабочих температур перехода от -55℃ до +150℃, он адаптируется к колебаниям температуры в различных регионах и условиях эксплуатации, отвечает требованиям как запуска при низких температурах, так и работы при высокой температуре и полной нагрузке, а также стабильно работает в бытовой электронике, вспомогательном промышленном электропитании и различных других сценариях.
3 Основные области применения
Благодаря сбалансированным электрическим характеристикам и надежному качеству SMD-корпуса, микросхема S2M широко используется в различных сценариях выпрямления малой и средней мощности: импульсные источники питания, адаптеры переменного/постоянного тока, зарядные устройства для батарей, источники питания для светодиодов, выпрямительные блоки в платах управления бытовой техникой, силовые модули для малой бытовой техники, входное выпрямление для промышленных вспомогательных источников питания, схемы выпрямления сигналов и выпрямление на входе инверторов.
4. Руководящие принципы инженерного проектирования
Процесс пайки : Совместим со стандартными процессами пайки оплавлением. Параметры пайки устанавливаются в соответствии с температурным допуском устройства; избегайте длительной пайки при перегреве, чтобы предотвратить дрейф характеристик и повреждение корпуса. Запас по напряжению : В практических приложениях рекомендуется закладывать разумный запас по напряжению, избегать длительной работы вблизи номинального выдерживаемого напряжения и снижать риск пробоя, вызванного скачками напряжения. Тепловая схема : Разрабатывайте схему теплоотвода на основе фактического рабочего тока, коэффициента заполнения и температуры окружающей среды, чтобы обеспечить поддержание температуры перехода устройства в заданном диапазоне и повысить долговременную стабильность работы. Снижение нагрузки : Для приложений с емкостной нагрузкой рекомендуется снижение прямого тока на 20% для обеспечения безопасной работы устройства. Разводка печатной платы : Разрабатывайте контактные площадки на печатной плате в соответствии с рекомендуемыми размерами контактных площадок, чтобы обеспечить надежность пайки и эффективность рассеивания тепла устройством.
5. Краткое описание продукта
Slkor S2M — это кремниевый выпрямительный диод общего назначения для поверхностного монтажа, рассчитанный на 1000 В и 2 А, в корпусе SMA. В нем используется технология пассивации кристалла стеклом, обеспечивающая стабильные обратные характеристики, высокую устойчивость к импульсным перенапряжениям и широкий диапазон рабочих температур. Низкопрофильный корпус SMD поддерживает автоматизированное массовое производство и соответствует экологическим требованиям RoHS. Благодаря сбалансированным параметрам и отработанной технологии, он широко применяется в различных источниках питания и выпрямительных схемах малой и средней мощности, являясь высококачественным отечественным устройством, обеспечивающим баланс надежности и стоимости в приложениях поверхностного монтажа.
Введение СкораПо словам Сун Шицяна, Slkor Semiconductor (https://www.slkormicro.comКомпания торжественно открыла свой третий франчайзинговый магазин в Хуацянбэй 14 августа 2026 года. В магазине в основном продаются MOSFET-транзисторы, микросхемы управления питанием, датчики Холла, оптопары, IGBT-транзисторы, компоненты из карбида кремния (SiC), приборы переменного/постоянного тока, TVS-диоды, диоды Шоттки, тиристоры и другие электронные компоненты.S2M К продукту Страница
N-канальный MOSFET Slkor FDV305N: маломощный силовой MOSFET для траншейных работ, 20 В, в корпусе SOT-23.
2026-09-11
288
В схемах таких устройств, как портативная бытовая электроника, защита литиевых батарей, маломощные переключатели и системы управления питанием с низким энергопотреблением, потери проводимости, скорость переключения, совместимость с драйверами и габариты маломощных MOSFET-транзисторов напрямую влияют на срок службы батареи и уровень миниатюризации конечного оборудования. Slkor FDV305N — это N-канальный силовой MOSFET с траншейной структурой (TrenchFET) в миниатюрном корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Он имеет напряжение пробоя сток-исток 20 В и непрерывный ток стока 0.9 А, низкое сопротивление в открытом состоянии, низкий заряд затвора и совместимость с низковольтными драйверами. Подходит для различных сценариев управления с низким напряжением и низким энергопотреблением, является экономичным решением для силовых переключателей в портативной электронике и маломощных системах.
1. Основные параметры продукта
Тип устройства: N-канальный силовой MOSFET Trench (TrenchFET)
Напряжение пробоя сток-исток (VDS): 20 В
Напряжение затвор-исток (VGS): ±12 В
Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)): 220 мОм макс. при VGS=4.5 В, ID=0.9 А; 300 мОм макс. при VGS=2.5 В, ID=0.7 А
Постоянный ток стока (ID, TC=25℃): 0.9 А
Импульсный ток стока (IDM): 2.0 А
Максимальная рассеиваемая мощность (ПД, TC=25℃): 0.35 Вт
Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 0.6 В ~ 1.5 В
Общий заряд затвора (Qg): типичное значение 0.8 нКл.
Максимальная рабочая температура перехода (TJ): 150℃
Диапазон температур хранения: от -50℃ до 155℃
Корпус: SOT-23 для поверхностного монтажа
2. Основные преимущества продукта
2.1 Архитектура TrenchFET с низкими потерями проводимости
Созданное с использованием технологического процесса TrenchFET, устройство обеспечивает оптимизированные характеристики проводимости. Типичное сопротивление в открытом состоянии составляет всего 170 мОм при напряжении управления затвором 4.5 В, что эффективно снижает потери мощности в открытом состоянии, повышает эффективность преобразования энергии в цепи и подходит для работы в условиях низкого напряжения и низкого тока.
2.2 Низкий заряд затвора для быстрого переключения
Устройство имеет типичный суммарный заряд затвора 0.8 нКл в сочетании с задержкой переключения и временем нарастания/спада в наносекундном масштабе. Это обеспечивает высокую скорость переключения и низкие динамические потери, поддерживает высокочастотное переключение и отвечает требованиям быстрого переключения в приложениях управления маломощными устройствами и коммутаторах нагрузки.
2.3 Совместимость с низковольтными приводами для множества управляющих сигналов
Благодаря пороговому напряжению затвора в диапазоне от 0.6 В до 1.5 В, устройство может быть полностью включено при напряжении затвора всего 2.5 В. Оно совместимо с различными уровнями управления низким напряжением, включая 1.8 В, 2.5 В, 3.3 В и 4.5 В, и может напрямую управляться низковольтными микросхемами-мастерами, такими как микроконтроллеры и PMIC, адаптируясь к низковольтной системной архитектуре портативных устройств.
2.4 Миниатюрный SMD-корпус для миниатюризации продукции
Сверхкомпактный корпус SOT-23 для поверхностного монтажа занимает минимальное пространство на печатной плате и поддерживает стандартную автоматизированную сборку SMT с гарантированным качеством пайки. Он подходит для компактных схем высокой плотности и соответствует требованиям миниатюризации портативных электронных устройств.
2.5 Низкий уровень утечки для снижения энергопотребления в режиме ожидания
Как нулевой ток стока затвора, так и ток утечки затвора поддерживаются на низком уровне, что снижает статическое энергопотребление в режиме ожидания схемы. Это идеально подходит для портативных устройств с батарейным питанием и помогает продлить срок службы батареи.
3 Основные области применения
Благодаря преимуществам низковольтного управления, низким потерям и компактным размерам, микросхема FDV305N широко используется в различных сценариях управления низким напряжением и низким энергопотреблением: платы защиты литиевых батарей, переключатели нагрузки для портативных устройств, USB-переключатели питания, малогабаритные модули управления питанием, носимая электроника, схемы управления низким энергопотреблением в бытовой электронике и схемы переключения питания в системах с батарейным питанием.
4. Руководящие принципы инженерного проектирования
Согласование управляющего напряжения : Для оптимальной проводимости рекомендуется напряжение управления затвором 4.5 В. При использовании напряжения затвора 2.5 В или ниже следует учитывать увеличение потерь, вызванное более высоким сопротивлением в открытом состоянии, и проверить, соответствует ли пропускная способность по току проектным требованиям. Снижение номинального тока : При практическом применении следует учитывать снижение номинального тока с учетом температуры окружающей среды, условий теплоотвода и коэффициента заполнения. Необходимо обеспечить, чтобы температура перехода устройства не превышала 150℃ для обеспечения долговременной надежности работы. Разводка печатной платы : Рекомендуется соответствующим образом расширить силовые дорожки для оптимизации пути теплоотвода устройства. Следует использовать короткие дорожки управления затвором, чтобы уменьшить влияние паразитных параметров на скорость переключения. Защита от электростатического разряда : MOSFET-транзисторы являются электростатически чувствительными устройствами. Для предотвращения электростатического пробоя затвора во время производства, хранения и сборки должны быть внедрены стандартные процедуры защиты от электростатического разряда. Применение встроенного диода : Встроенный диод исток-сток может использоваться в сценариях свободного хода с низким током. В случае больших скачков обратного тока проверьте параметры диода в соответствии с фактическими условиями эксплуатации.
5. Краткое описание продукта
Slkor FDV305N — это N-канальный MOSFET с траншейной структурой, разработанный для низковольтных и маломощных схем, в миниатюрном корпусе SOT-23. Он обладает выдерживаемым напряжением 20 В, током 0.9 А, низким сопротивлением в открытом состоянии, низким зарядом затвора и совместимостью с низковольтными системами управления. Благодаря сбалансированным параметрам и компактным размерам, он широко применяется в таких областях, как защита батарей, переключение нагрузки и управление питанием портативных устройств, являясь экономичным вариантом для низковольтных схем управления малой мощности.Введение СкораПо словам Сун Шицяна, Slkor Semiconductor (https://www.slkormicro.comКомпания торжественно открыла свой третий франчайзинговый магазин в Хуацянбэй 14 августа 2026 года. В магазине в основном продаются MOSFET-транзисторы, микросхемы управления питанием, датчики Холла, оптопары, IGBT-транзисторы, компоненты из карбида кремния (SiC), приборы переменного/постоянного тока, TVS-диоды, диоды Шоттки, тиристоры и другие электронные компоненты.FDV305N На страницу продукта




粤公网安备44030002007346号