หน้าที่ของโมดูล IGBT คืออะไร?

โมดูลพลังงาน IGBT ขับเคลื่อนด้วยไอซี วงจรป้องกันไดรฟ์ที่หลากหลาย ชิป IGBT ประสิทธิภาพสูง และเทคโนโลยีบรรจุภัณฑ์แบบใหม่ พัฒนาจากโมดูลพลังงานแบบผสม PIM สู่โมดูลพลังงานอัจฉริยะ IPM ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์กำลัง PEBB และโมดูลพลังงาน IPEM PIM กำลังพัฒนาไปในทิศทางของแรงดันไฟฟ้าสูงและกระแสไฟฟ้าสูง ผลิตภัณฑ์มีระดับแรงดันไฟฟ้า 1200-1800A / 1800-3300V นอกจาก IPM ที่ใช้สำหรับควบคุมความเร็วในการแปลงความถี่แล้ว IPM ขนาด 600A / 2000V ยังถูกนำมาใช้สำหรับอินเวอร์เตอร์ VVVF ของหัวรถจักรไฟฟ้า เทคโนโลยีบรรจุภัณฑ์ความเหนี่ยวนำต่ำแบบระนาบคือ PEBB ที่ใช้โมดูล IGBT กระแสสูงเป็นอุปกรณ์แอคทีฟสำหรับเครื่องยิงขีปนาวุธบนเรือ IPEM ใช้เทคโนโลยีโมดูลเซรามิกหลายชิปแบบร่วมไฟเพื่อประกอบ PEBB ซึ่งช่วยลดความเหนี่ยวนำของสายไฟวงจรได้อย่างมากและปรับปรุงประสิทธิภาพของระบบ การพัฒนาเชิงปัญญาและการสร้างโมดูลแบบแยกส่วนได้กลายเป็นจุดสำคัญของการพัฒนา IGBT

เมื่อติดตั้งหรือเปลี่ยนโมดูล IGBT ให้ใส่ใจกับสภาพและความแน่นของพื้นผิวสัมผัสระหว่างโมดูล IGBT และแผงระบายความร้อน เพื่อลดความต้านทานความร้อน ให้ทาจาระบีระบายความร้อนระหว่างแผงระบายความร้อนและโมดูล IGBT โดยปกติ พัดลมระบายความร้อนจะติดตั้งอยู่ที่ด้านล่างของหม้อน้ำ เมื่อพัดลมระบายความร้อนชำรุดและแผงระบายความร้อนเสื่อมสภาพ โมดูล IGBT จะร้อนขึ้นและเกิดความผิดปกติ ดังนั้นควรตรวจสอบพัดลมระบายความร้อนเป็นประจำ โดยปกติ เซ็นเซอร์อุณหภูมิจะติดตั้งอยู่บนหม้อน้ำใกล้กับโมดูล IGBT เมื่ออุณหภูมิสูงเกินไป เซ็นเซอร์จะส่งเสียงเตือนหรือหยุดทำงานของโมดูล IGBT

ปัจจุบัน IGBT ที่มีกระแสสูงและแรงดันไฟฟ้าสูงได้ถูกออกแบบให้เป็นโมดูลาร์ และวงจรขับเคลื่อนประกอบด้วยส่วนประกอบแยกส่วน ปัจจุบันได้มีการผลิตวงจรขับเคลื่อน IGBT แบบพิเศษที่มีประสิทธิภาพดีขึ้น ความน่าเชื่อถือสูงขึ้น และน้ำหนักเบาลง

โทรศัพท์บริษัท: +86-0755-83044319

แฟกซ์/แฟกซ์: +86-0755-83975897

อีเมล์: 1615456225 @qq.com

QQ: 3518641314 ผู้จัดการหลี่

QQ: 332496225 ผู้จัดการชิว

ที่อยู่: ห้อง 809 บล็อก C อาคารเทคโนโลยี Zhantao เลขที่ 1079 minzhi Avenue เขตหลงหัวใหม่ เซินเจิ้น