servis Hattı
● Yeşil cihaz mevcuttur.
● İyi ısı dağılımı için mükemmel paket.
● Ultra düşük RDS(ON) için gelişmiş yüksek hücre yoğunluklu kanal teknolojisi
Açıklama
Bu Çift N-Kanal MOSFET, düşük kapı yüküyle mükemmel RDS(açık) sağlamak için gelişmiş hendek teknolojisi ve Tasarım kullanır. Çok çeşitli uygulamalarda kullanılabilir.
Özellikler
● VDS=60V,ID=5A,RDS(AÇIK)<36mΩ@VGS=10V
● Düşük kapı ücreti.
● Yeşil cihaz mevcuttur.
● Ultra düşük RDS(ON) için gelişmiş yüksek hücre yoğunluklu hendek teknolojisi.
● İyi ısı dağılımı için mükemmel paket.
Destek
Tasarım/teknik desteğe ihtiyacınız varsa lütfen bize bildirin ve Yanıt Formunu doldurun. En kısa sürede sizinle iletişime geçeceğiz.
Ömür
Uzun Ömürlülük Programı, müşterilerimize ürünlerimizin ne zaman sipariş edilebileceğine dair zaman zaman bilgi sağlamayı amaçlamaktadır. Uzun Ömürlülük Programı, üst yönetim ekibimiz tarafından düzenli olarak gözden geçirilir ve güncellenir. Uzun Ömürlülük Programımızı buradan inceleyebilirsiniz.















