servicio de teléfono directo
● Dispositivo ecológico disponible.
● Excelente embalaje para una buena disipación del calor.
● Tecnología avanzada de trinchera de alta densidad celular para un RDS(ON) ultrabaja
Mareas Ideales para Lecciones
Este MOSFET de canal N doble utiliza tecnología de trinchera avanzada y diseño para brindar un excelente RDS(on) con baja carga de compuerta. Se puede utilizar en una amplia variedad de aplicaciones.
Caracteristicas
● VDS=60 V, ID=5 A, RDS(ENCENDIDO)<36 mΩ a VGS=10 V
● Cargo de entrada bajo.
● Dispositivo ecológico disponible.
● Tecnología avanzada de zanja de alta densidad celular para RDS(ON) ultra bajo.
● Excelente embalaje para una buena disipación del calor.
Soporte
Si necesita asistencia técnica o de diseño, háganoslo saber y complete el formulario de respuesta. Nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
Longevidad
El Programa de Longevidad tiene como objetivo informar a nuestros clientes periódicamente sobre el tiempo estimado de disponibilidad de nuestros productos. Este programa es revisado y actualizado regularmente por nuestro equipo directivo. Consulte nuestro programa de longevidad aquí.















