Productos
Productos
IRF7341 MOSFET de potencia de canal N SOP-8

● Dispositivo ecológico disponible.

● Excelente embalaje para una buena disipación del calor.

● Tecnología avanzada de trinchera de alta densidad celular para un RDS(ON) ultrabaja

Mareas Ideales para Lecciones

Este MOSFET de canal N doble utiliza tecnología de trinchera avanzada y diseño para brindar un excelente RDS(on) con baja carga de compuerta. Se puede utilizar en una amplia variedad de aplicaciones.


Caracteristicas

● VDS=60 V, ID=5 A, RDS(ENCENDIDO)<36 mΩ a VGS=10 V

● Cargo de entrada bajo.

● Dispositivo ecológico disponible.

● Tecnología avanzada de zanja de alta densidad celular para RDS(ON) ultra bajo.

● Excelente embalaje para una buena disipación del calor.






Nombre
Título
Mareas Ideales para Lecciones
Hoja de Datos
Soporte

Soporte

 

Si necesita asistencia técnica o de diseño, háganoslo saber y complete el formulario de respuesta. Nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

Longevidad

 

El Programa de Longevidad tiene como objetivo informar a nuestros clientes periódicamente sobre el tiempo estimado de disponibilidad de nuestros productos. Este programa es revisado y actualizado regularmente por nuestro equipo directivo. Consulte nuestro programa de longevidad aquí.

whatsapp

servicio de teléfono directo

tel: +86 755 83044319

WhatsApp

Whatsapp:+8618073002950