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IRF7341 NチャンネルパワーMOSFET SOP-8

●グリーンデバイスが利用可能。

● 放熱性に優れたパッケージです。

● 超低RDS(ON)を実現する先進的な高密度セルトレンチ技術

詳細説明

このデュアル N チャネル MOSFET は、高度なトレンチ テクノロジーと設計を採用し、低いゲート電荷で優れた RDS(on) を実現します。さまざまなアプリケーションに使用できます。


特長

● VDS=60V、ID=5A、RDS(ON)<36mΩ@VGS=10V

● ゲート電荷が低い。

●グリーンデバイスが利用可能。

● 超低 RDS(ON) を実現する高度な高セル密度トレンチ テクノロジー。

● 放熱性に優れたパッケージです。






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