サービスホットライン
●グリーンデバイスが利用可能。
● 放熱性に優れたパッケージです。
● 超低RDS(ON)を実現する先進的な高密度セルトレンチ技術
詳細説明
このデュアル N チャネル MOSFET は、高度なトレンチ テクノロジーと設計を採用し、低いゲート電荷で優れた RDS(on) を実現します。さまざまなアプリケーションに使用できます。
特長
● VDS=60V、ID=5A、RDS(ON)<36mΩ@VGS=10V
● ゲート電荷が低い。
●グリーンデバイスが利用可能。
● 超低 RDS(ON) を実現する高度な高セル密度トレンチ テクノロジー。
● 放熱性に優れたパッケージです。
サポート
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耐用性アップ
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