Linha de Apoio
● Dispositivo ecológico disponível.
● Excelente embalagem para boa dissipação de calor.
● Tecnologia avançada de trincheiras de alta densidade celular para RDS(ON) ultrabaixo
Descrição
Este MOSFET de canal N duplo utiliza tecnologia e design de trincheira avançados para fornecer excelente RDS(on) com baixa carga de porta. Pode ser usado em uma ampla variedade de aplicações.
Diferenciais
● VDS=60V, ID=5A, RDS(ON)<36mΩ@VGS=10V
● Taxa de entrada baixa.
● Dispositivo ecológico disponível.
● Tecnologia avançada de trincheiras de alta densidade celular para RDS(ON) ultrabaixo.
● Excelente embalagem para boa dissipação de calor.
Suporte
Se precisar de suporte técnico/de design, informe-nos preenchendo o Formulário de Resposta. Entraremos em contato o mais breve possível.
Longevidade
O Programa de Longevidade visa fornecer aos nossos clientes informações periódicas sobre o prazo previsto para a disponibilidade dos nossos produtos. O Programa de Longevidade é revisto e atualizado regularmente pela nossa Equipa de Gestão Executiva. Consulte o nosso Programa de Longevidade aqui.















