hotline
● Groen apparaat beschikbaar.
● Uitstekende verpakking voor goede warmteafvoer.
● Geavanceerde technologie met hoge celdichtheid in sleufbehuizingen voor een ultralage RDS(ON)
Beschrijving
Deze Dual N-Channel MOSFET maakt gebruik van geavanceerde trenchtechnologie en -ontwerp om uitstekende RDS(on) te leveren met een lage gate-lading. Deze kan in een breed scala aan toepassingen worden gebruikt.
Kenmerken
● VDS=60V,ID=5A,RDS(AAN)<36mΩ@VGS=10V
● Lage gate-lading.
● Groen apparaat beschikbaar.
● Geavanceerde sleuftechnologie met hoge celdichtheid voor extreem lage RDS(ON).
● Uitstekende verpakking voor goede warmteafvoer.
Support
Als u ontwerp- of technische ondersteuning nodig heeft, laat het ons dan weten en vul het reactieformulier in. We nemen zo snel mogelijk contact met u op.
Duurzaamheid
Het Levensduurprogramma is bedoeld om onze klanten periodiek te informeren over de verwachte levertijd van onze producten. Het programma wordt regelmatig herzien en bijgewerkt door ons managementteam. Bekijk ons levensduurprogramma hier.















