서비스 핫라인
● 녹색 장치를 사용할 수 있습니다.
● 방열성이 좋은 우수한 패키지입니다.
● 초저 RDS(ON)을 위한 첨단 고밀도 셀 트렌치 기술
기술설명
이 듀얼 N채널 MOSFET은 고급 트렌치 기술과 설계를 사용하여 낮은 게이트 전하로 우수한 RDS(on)을 제공합니다. 다양한 애플리케이션에 사용할 수 있습니다.
기능
● VDS=60V, ID=5A, RDS(ON)<36mΩ@VGS=10V
● 게이트 요금이 낮습니다.
● 녹색 장치를 사용할 수 있습니다.
● 초저 RDS(ON)을 위한 고급 고셀 밀도 트렌치 기술.
● 방열성이 좋은 우수한 패키지입니다.
고객 지원
디자인/기술 지원이 필요하시면 저희에게 알려주시고 응답 양식을 작성해 주세요. 최대한 빨리 연락드리겠습니다.
장기적
장수명 프로그램은 고객 여러분께 당사 제품의 예상 주문 가능 시기에 대한 정보를 수시로 제공하기 위해 마련되었습니다. 이 프로그램은 경영진이 정기적으로 검토 및 업데이트합니다. 장수명 프로그램에 대한 자세한 내용은 여기에서 확인하세요.















