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產品說明
這款雙N通道MOSFET採用先進的溝槽技術和設計,具有優異的導通電阻RDS(on)和低閘極電荷,可廣泛應用於各種領域。
產品特性
●VDS=60V,ID=5A,RDS(ON)<36mΩ@VGS=10V
● 低閘極電荷。
● 提供綠色環保設備。
● 先進的高密度溝槽技術,實現超低 RDS(ON)。
● 封裝性能優異,散熱效果好。
支持
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長壽
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