Sự khác biệt giữa IGBT rời rạc và mô-đun IGBT

Trang chủ Tin tức Cơ bản về Điện tử Sự khác biệt giữa IGBT rời rạc và mô-đun IGBT

2022-03-17 719

Mô-đun IGBT có thể được coi là sự cải tiến và nâng cấp chức năng của IGBT rời rạc. Các lĩnh vực ứng dụng của họ về cơ bản là giống nhau. Tuy nhiên, do tích hợp nhiều mạch điều khiển và bảo vệ khác nhau nên việc lắp đặt các module IGBT rất thuận tiện cho người dùng. Với việc áp dụng công nghệ đóng gói mới, hiệu suất của IGBT cũng được cải thiện đáng kể, mở rộng lĩnh vực ứng dụng của IGBT.

??
Mô-đun nguồn IGBT được điều khiển bởi IC, các mạch bảo vệ dẫn động khác nhau, chip IGBT hiệu suất cao và công nghệ đóng gói mới, đã phát triển từ mô-đun nguồn tổng hợp PIM đến mô-đun nguồn thông minh IPM, khối xây dựng điện tử công suất PEBB và mô-đun nguồn IPEM. PIM đang phát triển theo hướng điện áp cao và dòng điện cao, và cấp sản phẩm là 1200-1800A/1800-3300V.

Ngoài khả năng điều chỉnh tốc độ tần số biến thiên, IPM 600A/2000V đã được sử dụng trong biến tần VVVF của đầu máy điện. Công nghệ đóng gói điện cảm thấp: Các mô-đun IGBT dòng điện cao là PEBB của các thiết bị chủ động, được sử dụng cho các máy phát trên tàu. IPEM sử dụng công nghệ mô-đun đa chip gốm nung đồng thời để lắp ráp PEBB, giúp giảm đáng kể điện cảm của mạch điện và cải thiện hiệu suất hệ thống. Hiện nay, IPEM thế hệ thứ hai đã được phát triển thành công, trong đó tất cả các linh kiện thụ động đều được chôn dưới đế. Thông minh hóa và mô-đun hóa đã trở thành điểm nóng trong phát triển IGBT.

Công ty Slkor Micro Semiconductor được cấp bằng sáng chế kiểu dáng công nghiệp mới cho thiết bị gia nhiệt Thyristor.

Tiếp

Tặng miễn phí 20 mẫu sản phẩm phổ biến – Slkor nắm bắt cơ hội thay thế sản phẩm trong nước.